電子部件制造技術

一種電子部件包括導電載體。所述導電載體包括載體表面并且半導體芯片包括芯片表面。所述載體表面和所述芯片表面中的一個或二者包括非平面結構。所述芯片被附著到所述載體，芯片表面面向所述載體表面，使得由于所述載體表面與所述第一芯片表面中的一個或二者的所述非平面結構的原因在所述芯片表面與所述載體表面之間提供間隙。所述電子部件進一步包括位于所述間隙中的第一電沉積金屬層。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種電子部件和一種用于制造電子部件的方法。
技術介紹
當半導體芯片被安裝到例如引線框架的導電載體上時，由于半導體材料和載體材料的不同的熱膨脹系數的原因問題可能出現。特別地，如果在半導體芯片到載體上的安裝處理期間，例如在焊接處理(T = 3800C )中或者在粘合處理(T = 2000C )中特定的升高溫度被施加到組件，由于不同的熱膨脹系數的原因非常高的熱機械應力可能出現。在減薄的半導體芯片的情況下由于撕裂和裂縫的形成這些應力反應甚至可以導致半導體芯片的宏觀損傷。在其它情況下應力可以導致半導體襯底的強形變，使得后面的處理步驟不再是可能的，例如，激光震顫(laser thrilling)、層壓成形、引線結合等。一般而言,在半導體芯片中生成的應力嚴重地影響后面的處理步驟的可靠性。 附圖說明附圖被包括來提供實施例的進一步理解且被并入并且構成本說明書的一部分。附示了實施例并且與描述一起用來解釋實施例的原理。將容易地了解其它實施例和實施例的許多預定優點，因為通過參考以下的具體描述它們變得更好理解。附圖的元素不必相對于彼此按比例繪制。相同的附圖標記表示對應的相似部分； 圖I示出了根據一個實施例的電子部件的示意截面側視圖表示； 圖2A、2B示出了根據一個實施例的電子部件的示意頂視圖表示(圖2A)和沿著線B-B的示意截面側視圖表示(圖2B); 圖3示出了根據一個實施例的電子部件的示意截面側視圖表示； 圖4示出了根據一個實施例的電子部件的示意截面側視圖表示； 圖5示出了根據一個實施例的用于制造電子部件的方法的流程 圖6示出了根據一個實施例的用于制造電子部件的方法的流程圖；以及圖7A-7F示出根據一個實施例的中間產品的示意頂視圖表示以說明用于制造電子部件的方法。具體實施例方式現參考附圖對各方面和實施例進行描述，其中相同的附圖標記通常被利用來在所有圖中指代相同的元素。在以下描述中，為了解釋的目的，陳述了許多細節以便提供實施例的一個或多個方面的完全理解。然而，對本領域的技術人員顯而易見的是，實施例的一個或多個方面可以使用更少程度的細節來實現。在其它實例中，已知的結構和元素被以示意的形式示出以便幫助描述實施例的一個或多個方面。應當理解的是，在不背離本專利技術的范圍的情況下可以利用其它的實施例并且可以進行結構上的或邏輯上的變化。應該進一步注意到附圖未按比例繪制或者不必按比例繪制。此外，雖然可以相對于若干實施方式中的僅一個公開實施例的特定特征或方面，但是這樣的特征或方面可以按照所期望的并且對任何給定的或特定的應用有利的那樣與其它的實施方式的一個或多個特征或方面組合。另外，如果術語“包括”、“具有”、“含有”或其其它變體被用在具體描述或權利要求中，則這樣的術語旨在以類似于術語“包含”的方式進行包括。可以使用術語“耦合”或“連接”以及派生詞。應該理解的是，這些術語可以被用來指示兩個元素合作或者彼此交互而不管它們是否處于直接的物理或電接觸，或者它們彼此未直接接觸。同樣地，術語“示例性的”僅僅意指示例，而不是最佳的或最優的。因此，以下的具體描述未在限制意義上采用，并且本專利技術的范圍由所附權利要求限定。電子部件和用于制造電子部件的方法的實施例可以使用各種類型的半導體芯片或在半導體芯片中合并的電路，其中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、傳感器電路、MEMS (微電子機械系統)、功率集成電路、具有集成無源器件的芯片等。實施例也可以使用包括MOS晶體管結構或垂直晶體管結構的半導體芯片，所述結構例如IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)結構，或者一般而言，其中至少一個電接觸墊被布置在半導體芯片的第一主面上并且至少一個其它電接觸墊被布置在與半導體芯片的第一主面相對的半導體 芯片的第二主面上的晶體管結構。在若干實施例中層或層堆疊被施加到彼此，或者材料被施加或者沉積到層上。應該了解的是，如“施加”或“沉積”這樣的術語旨在字面上覆蓋將層施加到彼此之上的所有種類和技術。特別地，它們旨在覆蓋其中層被作為整體施加一次的技術(例如層壓技術)以及其中層被以順序方式沉積的技術(例如濺射、電鍍、模塑法、CVD等)。半導體芯片可以包括在它們的一個或多個外表面上的接觸元件或接觸墊，其中接觸元件用于電接觸半導體芯片。接觸元件可以具有任何希望的形式或形狀。例如，它們能夠具有平臺(land)(即半導體封裝的外表面上的平接觸層)的形式。例如，接觸元件或接觸墊可以由任何導電材料制成，例如由諸如鋁、金、或銅之類的金屬或金屬合金或導電有機材料或導電半導體材料制成。在權利要求中和在以下描述中，用于制造電子部件的方法的不同的實施例被描述為特別是在流程圖中的處理或措施的特定序列。應當注意的是，實施例不應該限于所描述的特定序列。也能夠同時地或以任何其它有用的和適當的序列來實施所有不同的處理或措施或其中特定的一些。下文中所示出和描述的各種實施例以以下原理優點為特征 -最小管芯附著層厚度為“0”，意指不必使用粘合層使得管芯附著層厚度幾乎為零； -芯片與引線框架或載體之間最小的熱機械應力； -在管芯附著之后載體或引線框架的最小彎曲； -通過粘合或焊接避免任何額外的管芯附著處理； -在載體或引線框架的表面上并行芯片附著和層的制造；以及 -芯片與載體之間改進的熱和電連接。參考圖1，根據一個實施例不出了電子部件的不意截面側視圖表不。圖I的電子部件10包括包含載體表面2A的導電載體2和包含芯片表面IA的半導體芯片I。半導體芯片I附著到導電載體2，其中芯片表面IA面向載體表面2A，使得由于載體表面2A和芯片表面IA中的一個或它們二者的非平面結構的原因在芯片表面IA與載體表面2A之間提供間隙。電子部件10進一步包括位于間隙中的第一電沉積金屬層3。第一電沉積金屬層3直接在芯片表面IA與載體表面2A之間延伸并且是導電的。進一步，第一電沉積金屬層3能夠通過特征微結構并且通過其紋理和結晶完整性在結構上識別，生長機制和方向可以根據該特征微結構來識別。第一電沉積金屬層3因此能夠與由諸如濺射或熱蒸發或化學汽相沉積之類的其它沉積技術形成的金屬層區分開來，并且與由通常通過滾壓所形成的金屬片提供的金屬層區分開來。第一電沉積金屬層3也能夠在結構上與由軟焊(soft solder)或擴散焊(diffusion solder)形成的金屬層區分開來。第一電沉積金屬層3可以是無錫的并且沒有軟焊和擴散焊。電沉積金屬層的連接結構也可以是無錫的并且沒有軟焊和擴散焊。第一電沉積金屬層3位于芯片表面IA與載體表面2A之間的間隙中，并且直接從芯片表面IA延伸到載體表面2A。第一電沉積金屬層3與芯片表面IA和載體表面2A中的每一個之間的界面沒有進一步的粘合劑、包括軟焊的基于焊料的材料以及在擴散焊處理期 間形成的中間金屬相。此界面結構還使第一電沉積金屬層3能夠與諸如例如擴散焊結合之類的其它的導電連接結構區分開來，該擴散焊結合也可以通過電沉積來沉積但是然后要經歷進一步的熱處理以產生該結合。電子部件10的芯片表面IA和載體表面2A與第一電沉積金屬層3之間的界面沒有由第一電沉積金屬層3與毗鄰表面的材料之間的反應所產生的中間金屬相。根據圖I的電子部件10的一個實施例，第一電沉積金屬層3可以包括金屬或合金，并且可以基本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電子部件，包括：包括第一載體表面的導電載體；包括第一芯片表面的半導體芯片，其中，所述第一載體表面和所述第一芯片表面中的一個或二者包括非平面結構，并且其中所述半導體芯片被附著到所述載體，并且所述第一芯片表面面向所述第一載體表面，使得由于所述第一載體表面和所述第一芯片表面中的一個或二者的所述非平面結構的原因在所述第一芯片表面與所述第一載體表面之間提供間隙；以及位于所述間隙中的第一電沉積金屬層。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：K霍賽尼，FP卡爾茨，J馬勒，M門格爾，K施密特，
申請(專利權)人：英飛凌科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：