光刻設備、投影系統和器件制造方法技術方案

本發明專利技術公開了一種光刻設備(1)，包括：投影系統(7)，其配置成將所述圖案化的輻射束(9)投影到襯底的目標部分上；真空室(8)，在使用期間所述圖案化的輻射束(9)被投影通過真空室；和凈化系統(13、16、17)，其配置成在所述室(8)內提供凈化氣體流。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種光刻設備、一種投影系統以及一種器件制造方法。
技術介紹
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。在已知的光刻系統中，投影系統包括其中投影圖案化的輻射束的真空室。這樣，投影束穿過真空室的至少一個區域。在真空室中，具有顆粒的污染物，例如源自襯底結構的碳輕基(carbon hydroxyl)顆粒,可能損傷光學元件,例如反射鏡。此外，污染物顆?？赡苡绊懲队笆墓鈱W透射率。具體地，極紫外(EUV)光刻系統可能會遭受這種氣體污染。在美國專利申請出版物第US6714279號中，真空室設置有惰性氣體源。通過在真空室中供給惰性氣體可以抑制光學部件的污染。
技術實現思路
期望例如實現一種光刻設備，其中能夠進一步地抑制在真空室內產生污染物顆粒。根據本專利技術的一方面，提供一種光刻設備，包括配置成調節輻射束的照射系統；構造成支撐圖案形成裝置的支撐結構，所述圖案形成裝置能夠將圖案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化的輻射束；構造成保持襯底的襯底臺，配置成將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標部分上的投影系統；真空室，在使用期間所述圖案化的輻射束被投影通過真空室；和凈化系統，配置成在所述室內提供凈化氣體流。根據本專利技術的一方面，提供一種投影系統，配置成在光刻設備中將圖案化輻射束投影到襯底的目標部分上，其中所述投影系統包括真空室，其中在使用期間所述圖案化的輻射束被投影，并且其中所述投影系統還包括凈化系統，所述凈化系統配置成在所述室內提供凈化氣體流。根據本專利技術的一方面，還提供一種器件制造方法，包括將圖案化的輻射束投影到襯底上，其中在真空室中應用凈化氣體流，所述圖案化輻射束被投影通過所述真空室。附圖說明現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本專利技術的實施例，其中，在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中圖I示出了根據本專利技術實施例的光刻設備； 圖2示出光刻設備的示意圖；圖3示出根據本專利技術實施例的光刻設備的示意圖；圖4示出施加在顆粒上的拖曳力和重力的圖；圖5示出沿表面行進的污染物顆粒的示意圖。具體實施例方式圖I示意地示出了根據本專利技術的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括-照射系統(照射器)IL，其配置用于調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或可見光福射)；-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-襯底臺(例如晶片臺)WT，其構造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據確定的參數精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。支撐結構MT以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術保持圖案形成裝置。所述支撐結構可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統)。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J為與更上位的術語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術語“投影系統”應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統，投影系統的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或對于諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術語“投影系統”同義。如這里所示的，所述設備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。 光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置支撐結構)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺和/或支撐結構，或可以在一個或更多個臺和/或支撐結構上執行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺和/或支撐結構用于曝光。所述光刻設備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以由具有相對高的折射率的液體覆蓋(例如水)，以便填滿投影系統和襯底之間的空間。浸沒液體還可以施加到光刻設備的其他空間中，例如掩模和投影系統之間的空間。浸沒技術在本領域是熟知的用于提高投影系統的數值孔徑。這里使用的術語“浸沒”并不意味著必須將結構(例如襯底)浸入到液體中，而僅意味著在曝光過程中液體位于投影系統和該襯底之間。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源看成形成光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統BD —起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器。通常，可以對所述照射器的光瞳本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光刻設備，包括：照射系統，其配置成調節輻射束；支撐結構，其構造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠將圖案在所述輻射束的橫截面上賦予所述輻射束以形成圖案化的輻射束；襯底臺，其構造成保持襯底；襯底處理裝置，構造并布置成沿襯底交換路徑移動襯底；投影系統，其配置成將所述圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標部分上；真空室，在使用期間所述圖案化的輻射束被投影通過所述真空室；和凈化系統，其配置成在所述室內提供凈化氣體流；其中所述凈化系統包括泵，所述泵配置成接收凈化氣體流并布置成在污染物顆?？邕^襯底交換路徑之前去除污染物顆粒。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：Y·J·G·范德維基沃爾，J·H·J·莫爾斯，W·J·M·沃斯蒂格，P·G·約克斯，
申請(專利權)人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發明
國別省市：