流體處理結構、光刻設備和器件制造方法技術

本發明專利技術公開了一種流體處理結構、光刻設備和器件制造方法。所述流體處理結構在配置用于將浸沒流體限制在流體處理結構之外的區域的空間的邊界處具有：彎液面釘扎特征，用以抵抗浸沒流體沿徑向向外的方向離開所述空間；線性陣列形式的多個氣體供給開口，其至少部分地圍繞彎液面釘扎特征并且在彎液面釘扎特征的徑向向外位置處；其中所述線性陣列的多個氣體供給開口的尺寸類似或相同。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種流體處理結構、光刻設備和使用光刻設備制造器件的方法。
技術介紹
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個 或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單個的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水)中，以便充滿投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本專利技術的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望是具有比水的折射率高的折射率。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠實現更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高系統的有效數值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達IOnm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4, 509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。在浸沒設備中，浸沒液體通過流體處理系統、器件結構或設備處理。在一個實施例中，流體處理系統可以供給浸沒流體并因此是流體供給系統。在一個實施例中，流體處理系統可以至少部分地限制浸沒流體并因此是流體限制系統。在一個實施例中，流體處理系統可以提供阻擋件至浸沒流體并因此是阻擋構件，例如流體限制結構。在一個實施例中，流體處理系統可以產生或使用氣流，例如以便幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成用以限制浸沒流體的密封，因而流體處理結構可以稱為密封部件；例如密封部件可以是流體限制結構。在一個實施例中，浸沒液體被用作浸沒流體。在這種情形中，流體處理系統可以是流體處理系統。參考前面的說明書，本段中提到的相對于流體限定的特征可以理解為包括相對于液體限定的特征。
技術實現思路
如果浸沒液體通過流體處理系統限制到投影系統下面的表面上的局部區域，彎液面在流體處理系統和該表面之間延伸。如果彎液面與表面上的液滴碰撞，則這會導致浸沒液體中夾雜氣泡。液滴可能由于多種原因存在于表面上，包括因為從流體處理系統泄露。浸沒液體中的氣泡可以導致成像誤差，例如由于在襯底的成像期間與投影束相互作用。期望地，例如提供一種光刻設備，其中至少減少夾雜或包含氣泡的可能性。根據本專利技術的一方面，提供一種用于光刻設備的流體處理結構，所述流體處理結構在配置用于將浸沒流體限制在流體處理結構之外的區域的空間的邊界處具有一個或多個彎液面釘扎特征，用以抵抗浸沒流體沿徑向向外方向離開所述空間；線性陣列形式的多個氣體供給開口，其至少部分地圍繞彎液面釘扎特征并且在彎液面釘扎特征的徑向向外位置處，其中所述多個氣體供給開口布置成線性陣列的每單位長度供給大體一致的流量。根據本專利技術的一方面，提供一種用于光刻設備的流體處理結構，所述流體處理結構在配置用于將浸沒流體限制在流體處理結構之外的區域的空間的邊界處具有以線性陣列形式布置的多個氣體供給開口，其至少部分地圍繞所述空間；和與所述線性陣列間隔分開的外抽取器。根據本專利技術的一方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案化輻射束投影通過限制在投影系統的最終元件和襯底之間的空間的浸沒液體；通過線性陣列形式的多個氣體供給開口提供氣體至鄰近浸沒液體的彎液面的位置；其中通過多個氣體供給開口提供的氣體在線性陣列的每單位長度具有大體一致的流量。附圖說明現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本專利技術的實施例，其中，在附圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中圖I示出了根據本專利技術一個實施例的光刻設備；圖2和3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統；圖4示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖5示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖6示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統的橫截面；圖7示出用于光刻投影設備中的液體供給系統的平面圖；圖8示出在狹縫形式的氣體供給開口 61的情況下和在多個離散氣體供給開口的情況下流出氣體供給開口的氣體流量(X軸)隨流體處理結構上留下的液體體積(y軸)變化的曲線；圖9示出用于光刻投影設備中的液體供給系統的平面圖；圖10是徑向距離(X軸)隨壓力(y軸)變化的曲線；圖11是橫向距離(X軸)隨壓力(y軸)變化的曲線；以及圖12示出用于光刻投影設備中的液體供給系統的平面圖。具體實施例方式圖I示意地示出了根據本專利技術的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括-照射系統(照射器)IL，其配置用于調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；-支撐臺，例如用于支撐一個或多個傳感器的傳感器臺或構 造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)w的襯底臺WT，與配置用于根據確定的參數精確地定位臺的表面(例如襯底W)的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統IL可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構MT保持圖案形成裝置MA。支撐結構MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統PS)。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩模”都可以認為與更上位的術語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于光刻設備的流體處理結構，所述流體處理結構在配置用于將浸沒流體限制在流體處理結構之外的區域的空間的邊界處具有：一個或多個彎液面釘扎特征，用以抵抗浸沒流體沿徑向向外的方向離開所述空間；線性陣列形式的多個氣體供給開口，其至少部分地圍繞彎液面釘扎特征并且在彎液面釘扎特征的徑向向外位置處，其中所述多個氣體供給開口布置成線性陣列的每單位長度供給大體一致的氣體流量。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：R·H·M·考蒂，N·坦凱特，N·J·J·羅塞特，M·瑞鵬，H·J·卡斯特里金斯，C·M·諾普斯，J·V·奧沃卡姆普，
申請(專利權)人：ASML荷蘭有限公司，
類型：發明
國別省市：