一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本實用新型專利技術(shù)涉及一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，屬于微機系統(tǒng)芯片技術(shù)領(lǐng)域。技術(shù)方案是：包含多后備擴容芯片（1）、主電源（2）、后備電源一（3）、后備電源二（4）和內(nèi)存芯片（5），所述多后備擴容芯片（1）的CCS01至CCS03片選管腳分別連接內(nèi)存芯片（5），多后備擴容芯片（1）通過主電源（2）與常備電源輸入相連接，多后備擴容芯片（1）通過后備電源一（3）和后備電源二（4）分別與一個3.6V電池連接。本實用新型專利技術(shù)的有益效果是：可以大幅提高RAM容量，同時提供不間斷的電源供給。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，屬于微機系統(tǒng)芯片

技術(shù)介紹
RAM(隨機訪問存儲器) 是微機系統(tǒng)的重要組成部分，具有訪問速度快的特點，是所有訪問設(shè)備中寫入和讀取速度最快的，取存延遲也和其他涉及機械運作的存儲設(shè)備相t匕，也顯得微不足道，被廣泛用于微系統(tǒng)處理器與外設(shè)之間的緩存。但它存在掉電易失性、容量小的特點，尤其是在供電電壓受外部環(huán)境影響產(chǎn)生波動及需要任何時候保持RAM數(shù)據(jù)應(yīng)用場合中，普通的RAM電路存在無法克服的缺點。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)目的是提供一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，提供一種新的SRAM電路設(shè)計，不但能大幅度提高RAM容量，同時為RAM提供了 2路額外的高效互備供電電源，從而解決
技術(shù)介紹
存在的上述問題。本技術(shù)解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，包含多后備擴各芯片、王電源、后備電源一、后備電源_■和內(nèi)存芯片，所述多后備擴容芯片的CCSOl至CCS03片選管腳分別連接內(nèi)存芯片，多后備擴容芯片通過主電源與常備電源輸入相連接，多后備擴容芯片通過后備電源一和后備電源二分別與一個3. 6V電池連接。所述內(nèi)存芯片是一組8*512K字節(jié)的SDRAM芯片，多后備擴容芯片通過片選的方式接入內(nèi)存芯片。所述后備電源一和后備電源二連接的是鋰電池。本技術(shù)的有益效果是，可以大幅提高RAM容量，同時提供不間斷的電源供給。附圖說明圖I是本技術(shù)的主芯片連接圖；圖中1.多后備擴各芯片；2.王電源；3.后備電源一 ；4.后備電源_■ ；5.內(nèi)存芯片。具體實施方式以下結(jié)合附圖和實施例對本技術(shù)進一步說明。在實施例中，一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，包含多后備擴容芯片I、主電源2、后備電源一 3、后備電源二 4和內(nèi)存芯片5，所述多后備擴容芯片I的CCSOl至CCS03片選管腳分別連接內(nèi)存芯片5，多后備擴容芯片I通過主電源2與常備電源輸入相連接，多后備擴容芯片I通過后備電源一 3和后備電源二 4分別與一個3. 6V電池連接。為系統(tǒng)提供三個電源輸入，其中一個為5V主電源，兩個3. 6V后備電源，后備電源根據(jù)電壓可以實時在線無縫切換，當(dāng)主電源2的電壓無效時，后備電源將自動為系統(tǒng)提供電源供應(yīng)，同時后備電源根據(jù)各自電壓值決定哪一路后備提供實際的能量供應(yīng)。在主電源2有效時，后備電源被多后備擴容芯片I自動隔離，防止漏電。所述內(nèi)存芯片5是一組8X512K字節(jié)的SDRAM芯片，多后備擴容芯片I通過片選的方式接入內(nèi)存芯片5。多后備擴容芯片I在一次片選的過程中采用16位地址的方式進行 內(nèi)存數(shù)據(jù)的讀寫，因此一次片選可以訪問兩個SDRAM芯片，組成16 X 512K字節(jié)的內(nèi)存空間，多后備擴容芯片I具有四種片選方案，因此可以接入4X16X512K字節(jié)的內(nèi)存空間，從而達(dá)到擴容的設(shè)計需求。所述后備電源一 3和后備電源二 4連接的是鋰電池。權(quán)利要求1.一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，其特征是包含多后備擴容芯片(I)、主電源(2)、后備電源一(3)、后備電源_. (4)和內(nèi)存芯片(5)，所述多后備擴各芯片(I)的CCSOl至CCS03片選管腳分別連接內(nèi)存芯片(5)，多后備擴容芯片(I)通過主電源(2)與常備電源輸入相連接，多后備擴容芯片(I)通過后備電源一(3)和后備電源二(4)分別與一個3. 6V電池連接。2.如權(quán)利要求I所述的大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，其特征是所述內(nèi)存芯片(5)是一組8X512K字節(jié)的SDRAM芯片，多后備擴容芯片(I)通過片選的方式接入內(nèi)存芯片(5)。3.如權(quán)利要求I所述的大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，其特征是所述后備電源一(3)和后備電源二(4)連接的是鋰電池。專利摘要本技術(shù)涉及一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，屬于微機系統(tǒng)芯片
技術(shù)方案是包含多后備擴容芯片(1)、主電源(2)、后備電源一(3)、后備電源二(4)和內(nèi)存芯片(5)，所述多后備擴容芯片(1)的CCS01至CCS03片選管腳分別連接內(nèi)存芯片(5)，多后備擴容芯片(1)通過主電源(2)與常備電源輸入相連接，多后備擴容芯片(1)通過后備電源一(3)和后備電源二(4)分別與一個3.6V電池連接。本技術(shù)的有益效果是可以大幅提高RAM容量，同時提供不間斷的電源供給。文檔編號G11C11/413GK202677857SQ201220332939公開日2013年1月16日 申請日期2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月11日專利技術(shù)者甘景福, 許自剛, 韓丹, 姜才海, 劉福強, 袁燕嶺, 牛冠清, 吳超 申請人:冀北電力有限公司唐山供電公司, 北京華星恒業(yè)電氣設(shè)備有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種大容量非易失的內(nèi)存芯片電路結(jié)構(gòu)，其特征是包含多后備擴容芯片（1）、主電源（2）、后備電源一（3）、后備電源二（4）和內(nèi)存芯片（5），所述多后備擴容芯片（1）的CCS01至CCS03片選管腳分別連接內(nèi)存芯片（5），多后備擴容芯片（1）通過主電源（2）與常備電源輸入相連接，多后備擴容芯片（1）通過后備電源一（3）和后備電源二（4）分別與一個3.6V電池連接。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：甘景福，許自剛，韓丹，姜才海，劉福強，袁燕嶺，牛冠清，吳超，
申請(專利權(quán))人：冀北電力有限公司唐山供電公司，北京華星恒業(yè)電氣設(shè)備有限公司，
類型：實用新型
國別省市：