電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器制造技術

本實用新型專利技術公開了電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，包括第一電阻、第二電阻及第一NMOS管，第一電阻兩端分別與第二電阻和第一NMOS管漏極連接，第一NMOS管的源極接地，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第一NMOS管柵極連接。第一NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線，第二電阻與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本實用新型專利技術采用上述結構，整體結構簡單，便于實現，本實用新型專利技術應用時通過第一NMOS管的作用能避免泄放電壓出現跳變，進而避免解調失敗。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及射頻
，具體是電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器。
技術介紹
隨著電子技術的迅猛發展和制造水平的不斷提高，采用無線電實現的射頻識別技術發展迅猛，射頻識別電子標簽作為一種非接觸式IC卡，其將無線電技術和IC技術結合，通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關數據。射頻識別系統中電子標簽的高頻接口形成從閱讀器到電子標簽的高頻傳輸通路，高頻接口從其天線上吸收電流，并將吸收的電流整流穩壓后作為電子標簽內芯片的電源。高頻接口內設有穩壓器，穩壓器主要用于防止整流后的直流電源電壓過高，并對過高的直流電壓進行泄放，現有穩壓器是通過對電源電壓與某個標準電壓進行比較，進而得到需泄放的電壓，這樣得到的泄放電壓會有一個電壓突然跳變的過程，使泄放電流在跳變前后的改變量較大，這可能使得接收信號的調制深度在某段場強范圍內非常小，進而會導致解調失敗。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術的不足，提供了在輸入直流電壓過高時，對電壓進行泄放能避免泄放電壓出現跳變的電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器。本技術的目的主要通過以下技術方案實現電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，包括第一電阻、第二電阻及第一 NMOS管，所述第一電阻兩端分別與第二電阻和第一 NMOS管漏極連接，第一 NMOS管的源極接地，所述第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第一 NMOS管柵極連接；所述第一 NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線，所述第二電阻與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本技術中的直流電壓輸入線接收高頻接口整流后的直流電壓，直流電壓輸出線將穩壓后的直流電壓輸出。電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，還包括第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管，所述第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管三者的柵極均連接在第一電阻連接第一 NMOS管漏極的一端上，所述第二 NMOS管漏極與第一 NMOS管柵極和第二電阻之間的線路連接，第三NMOS管的源極和漏極分別與第四NMOS管漏極和第二 NMOS管源極連接，第四NMOS管源極接地。本技術中第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管連接的線路構成過流保護電路。所述直流電壓輸出線上連接有第一電容，所述第一電容相對連接直流電壓輸出線端的另一端與第一 NMOS管源極連接。本技術通過第一電阻和第一電容對輸入的直流電壓進行濾波，濾除其中的高頻部分，從而使輸出的直流電壓更平穩，第一電容可接收泄放的電流。所述第二電阻為可調電阻。本技術可通過可調電阻對本技術中作用于第一 NMOS管柵極的電壓進行調控，進而對泄放電壓進行調控。與現有技術相比，本技術具有以下有益效果本技術包括第一電阻、第二電阻及第一 NMOS管，本技術在輸出直流電壓過高時通過第一 NMOS管對直流電壓進行泄放，從而達到降低電壓的目的，因第一 NMOS管的自身調控作用，能避免泄放電壓時電壓出現跳變，進而能避免因泄放電流在跳變前后的改變量較大所導致的解調失敗。附圖說明圖I為本技術實施例的結構示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為R1—第一電阻，R2—第二電阻，NI—第一NMOS管，N2—第二 NMOS管，N3—第三NMOS管，N4—第四NMOS管，I一直流電壓輸入線，2—直流電壓輸出線。具體實施方式下面結合實施例及附圖對本技術作進一步的詳細說明，但本技術的實施方式不限于此。實施例如圖I所示，電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，包括第一電阻R1、第二電阻R2、第一電容Cl及四個MOS管，其中，四個MOS管分別為第一 NMOS管NI、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3及第四NMOS管N4。第二電阻R2為可調電阻，第一電阻Rl兩端分別與第二電阻R2和第一 NMOS管NI漏極連接，第一匪OS管NI的源極接地，第二電阻R2相對連接第一電阻Rl端的另一端與第一 NMOS管NI柵極連接。第一 NMOS管NI漏極與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸入線1，第二電阻R2與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸出線2。第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3及第四NMOS管N4三者的柵極均連接在第一電阻Rl連接第一 NMOS管NI漏極的一端上，第二 NMOS管N2漏極與第一 NMOS管NI柵極和第二電阻R2之間的線路連接，第三NMOS管N3的源極和漏極分別與第四NMOS管N4漏極和第二NMOS管N2源極連接，第四NMOS管N4源極接地。第一電容Cl相對連接直流電壓輸出線2端的另一端與第一 NMOS管NI源極連接。如上所述，則能很好的實現本技術。權利要求1.電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，其特征在于包括第一電阻(R1)、第二電阻(R2)及第一 NMOS管(NI)，所述第一電阻(Rl)兩端分別與第二電阻(R2)和第一 NMOS管(NI)漏極連接，第一 NMOS管(NI)的源極接地，所述第二電阻(R2)相對連接第一電阻(Rl)端的另一端與第一 NMOS管(NI)柵極連接；所述第一 NMOS管(NI)漏極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸入線(1)，所述第二電阻(R2)與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸出線(2 )。2.根據權利要求I所述的電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，其特征在于還包括第二 NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)及第四NMOS管(N4)，所述第二 NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)及第四NMOS管(N4)三者的柵極均連接在第一電阻(Rl)連接第一 NMOS管(NI)漏極的一端上，所述第二 NMOS管(N2)漏極與第一 NMOS管(NI)柵極和第二電阻(R2)之間的線路連接，第三NMOS管(N3)的源極和漏極分別與第四NMOS管(N4)漏極和第二 NMOS管(N2)源極連接，第四NMOS管(N4)源極接地。3.根據權利要求I所述的電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，其特征在于所述直流電壓輸出線(2)上連接有第一電容(Cl)，所述第一電容(Cl)相對連接直流電壓輸出線(2)端的另一端與第一 NMOS管(NI)源極連接。4.根據權利要求I 3所述的任一種電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，其特征在于所述第二電阻(R2)為可調電阻。專利摘要本技術公開了電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，包括第一電阻、第二電阻及第一NMOS管，第一電阻兩端分別與第二電阻和第一NMOS管漏極連接，第一NMOS管的源極接地，第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第一NMOS管柵極連接。第一NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線，第二電阻與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本技術采用上述結構，整體結構簡單，便于實現，本技術應用時通過第一NMOS管的作用能避免泄放電壓出現跳變，進而避免解調失敗。文檔編號G06K19/077GK202632347SQ20122031638公開日2012年12月26日 申請日期2012年7月3日 優先權日2012年7月3日專利技術者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
電子標簽的高頻接口中泄放電壓的穩壓器，其特征在于：包括第一電阻（R1）、第二電阻（R2）及第一NMOS管（N1），所述第一電阻（R1）兩端分別與第二電阻（R2）和第一NMOS管（N1）漏極連接，第一NMOS管（N1）的源極接地，所述第二電阻（R2）相對連接第一電阻（R1）端的另一端與第一NMOS管（N1）柵極連接；所述第一NMOS管（N1）漏極與第一電阻（R1）之間的線路上連接有直流電壓輸入線（1），所述第二電阻（R2）與第一電阻（R1）之間的線路上連接有直流電壓輸出線（2）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：曾維亮，
申請(專利權)人：成都市宏山科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：