本實用新型專利技術公開了射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器,包括第一N溝道增強型場效應管、第二N溝道增強型場效應管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容及第二電容。第三電阻和第四電阻串聯(lián)后與第一電容并聯(lián)構成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設有第三電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接。第一N溝道增強型場效應管和第二N溝道增強型場效應管兩者的柵極均與第三電阻和第四電阻之間的線路連接。第二電容和第五電阻的串聯(lián)支路設有第五電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接,其另一端與第三電阻和第四電阻之間的線路連接。采用上述結構,在對天線實現(xiàn)電壓限幅時不會對功率產生影響,操作方便。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本技術涉及射頻
,具體是射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器。
技術介紹
射頻識別是當前應用最廣泛的非接觸式自動目標識別技術之一,其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點,因此被廣泛應用于各個領域。射頻識別系統(tǒng)主要包括閱讀器和電子標簽,電子標簽接收閱讀器的能量會受作用距離、與閱讀器天線之間的角度影響,電子標簽感應到的電壓可能會比較大,所以必須有單獨的模塊電路實現(xiàn)限幅,將電壓限制在一定范圍之內,以防止接收MOS管柵極被擊穿。限幅的最簡單直接的措施是降低耦合系數(shù),現(xiàn)今人們常常通過調整閱讀器和電子標簽的作用距離或者調整電子標簽的輸入電容來降低耦合系數(shù),其中,采用調整閱讀器和電子標簽的作用距離對于操作人員來說是很 難把握的,該方法不切合實際;改電子標簽的輸入電容,即是改變諧振頻率,降低耦合系數(shù),電子標簽中傳送的功率也會降低,在大規(guī)模集成電路設計中電容的實現(xiàn)會占用較大的芯片面積,而且電容的參數(shù)浮動相對較大。
技術實現(xiàn)思路
本技術的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足,提供了一種便于操作控制,結構簡單,且在進行電壓限幅時不會影響傳送功率的射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器。本技術的目的主要通過以下技術方案實現(xiàn)射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器,包括第一 N溝道增強型場效應管、第二 N溝道增強型場效應管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容及第二電容,所述第一電阻的兩端分別與第一N溝道增強型場效應管的漏極和第二電阻連接,第二電阻相對連接第一電阻端的另一端與第二 N溝道增強型場效應管的漏極連接,第一 N溝道增強型場效應管源極和第二 N溝道增強型場效應管源極均接地,所述第三電阻和第四電阻串聯(lián)后與第一電容并聯(lián)構成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設有第三電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接,其另一端接地,所述第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管兩者的柵極均與第三電阻和第四電阻之間的線路連接;所述第二電容與第五電阻串聯(lián),第二電容和第五電阻的串聯(lián)支路設有第五電阻的一端與第一電阻和第二電阻之間的線路連接,其另一端與第三電阻和第四電阻之間的線路連接。所述第一電阻和第一 N溝道增強型場效應管漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端,第二電阻和第二N溝道增強型場效應管漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端。本技術通過設置第一天線信號輸入端和第二天線信號輸入端,便于與外接天線。所述第一電阻、第二電阻及第三電阻均為可調電阻。本技術可通過對第一電阻、第二電阻及第三阻的阻值進行調控來改變本技術的限幅電壓,從而使本技術改變限幅電壓時操作方便。本技術在應用時,第一電阻、第二電阻及第一電容用于采樣射頻信號,第三電阻和第四電阻上形成參考控制電壓,第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管為泄流管,第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管并聯(lián)在天線兩端進行限幅分流。當采樣的信號高于參考電平時,流經第四電阻的電流增加,因此控制第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管兩者柵極的電位提高,增加第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管的導通能力,流經第一 N溝道增強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管的電流增加,降低標簽天線的有效負載,從而限制天線信號的電壓幅度。本技術中第三電阻、第四電阻及第一電容構成的串并聯(lián)線路為低通濾波回路,其對低頻信號變化產生反應,該低通濾波回路反饋調整第一 N溝道增 強型場效應管和第二 N溝道增強型場效應管的導通程度,從而保證本技術應用時電壓的穩(wěn)定;第五電阻和第二電容構成高通通路,其對接收信號的突變做出迅速反映,以此增加限幅能力。與現(xiàn)有技術相比,本技術具有以下有益效果本技術包括第一 N溝道增強型場效應管、第二 N溝道增強型場效應管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一電容及第二電容,本技術使用電子元件的數(shù)量少,整體結構簡單,集成在模塊上時體積小,便于實現(xiàn)、成本低,且本技術在應用時通過提高第一 N溝道增強型場效應管和第二增強型場效應管的柵極電壓,不會對功率產生影響,在輸入電壓高于一定電壓值時使并聯(lián)分流電路導通,使電路的電流變大,從而使電壓穩(wěn)壓在一定的范圍內。附圖說明圖I為本技術實施例的結構示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為N1—第一N溝道增強型場效應管,N2—第二N溝道增強型場效應管,Cl一第一電容,C2—第二電容,Rl—第一電阻,R2—第二電阻,R3—第二電阻,R4一第四電阻,R5一第五電阻,Antl一第一天線彳目號輸入端,Ant2—第二天線/[目號輸入端。具體實施方式下面結合實施例及附圖對本技術作進一步的詳細說明,但本技術的實施方式不限于此。實施例如圖I所示,射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器,包括與電子標簽其它部件共用的外殼,以及設置在外殼內的內部電路,其中,內部電路包括第一 N溝道增強型場效應管NI、第二 N溝道增強型場效應管N2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一電容Cl及第二電容C2,為了便于對天線的限幅電壓進行調控,第一電阻R1、第二電阻R2及第三電阻R3均為可調電阻。第一電阻Rl的兩端分別與第一 N溝道增強型場效應管NI的漏極和第二電阻R2連接,第二電阻R2相對連接第一電阻Rl端的另一端與第二 N溝道增強型場效應管N2的漏極連接,第一 N溝道增強型場效應管NI源極和第二 N溝道增強型場效應管N2源極均接地。第三電阻R3和第四電阻R4串聯(lián)后與第一電容Cl并聯(lián)構成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設有第三電阻R3的一端與第一電阻Rl和第二電阻R2之間的線路連接,其另一端接地。第一 N溝道增強型場效應管NI和第二 N溝道增強型場效應管N2兩者的柵極均與第三電阻R3和第四電阻R4之間的線路連接。第二電容C2與第五電阻R5串聯(lián),第二電容C2和第五電阻R5的串聯(lián)支路設有第五電阻R5的一端與第一電阻Rl和第二電阻R2之間的線路連接,其另一端與第三電阻R3和第四電阻R4之間的線路連接。為了便于外接天線,第一電阻Rl和第一 N溝道增強型場效應管NI漏極之間的線路上連接有第一天線信號輸入端Antl,第二電阻R2和第二 N溝道增強型場效應管N2漏極之間的線路上連接有第二天線信號輸入端Ant2。如上所述,則能很好的實現(xiàn)本技術。權利要求1.射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器,其特征在于包括第一N溝道增強型場效應管(NI)、第二 N溝道增強型場效應管(N2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第一電容(Cl)及第二電容(C2),所述第一電阻(Rl)的兩端分別與第一 N溝道增強型場效應管(NI)的漏極和第二電阻(R2)連接,第二電阻(R2)相對連接第一電阻(Rl)端的另一端與第二 N溝道增強型場效應管(N2)的漏極連接,第一 N溝道增強型場效應管(NI)源極和第二 N溝道增強型場效應管(N2)源極均接地,所述第三電阻(R3)和第四電阻(R4)串聯(lián)后與第一電容(Cl)并聯(lián)構成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設有第三電阻(R3)的一端與第一電阻(Rl)和第二電阻(R2)之間的本文檔來自技高網...
【技術保護點】
射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的天線限幅器,其特征在于:包括第一N溝道增強型場效應管(N1)、第二N溝道增強型場效應管(N2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)、第四電阻(R4)、第五電阻(R5)、第一電容(C1)及第二電容(C2),所述第一電阻(R1)的兩端分別與第一N溝道增強型場效應管(N1)的漏極和第二電阻(R2)連接,第二電阻(R2)相對連接第一電阻(R1)端的另一端與第二N溝道增強型場效應管(N2)的漏極連接,第一N溝道增強型場效應管(N1)源極和第二N溝道增強型場效應管(N2)源極均接地,所述第三電阻(R3)和第四電阻(R4)串聯(lián)后與第一電容(C1)并聯(lián)構成串并聯(lián)線路,該串并聯(lián)線路設有第三電阻(R3)的一端與第一電阻(R1)和第二電阻(R2)之間的線路連接,其另一端接地,所述第一N溝道增強型場效應管(N1)和第二N溝道增強型場效應管(N2)?兩者的柵極均與第三電阻(R3)和第四電阻(R4)之間的線路連接;所述第二電容(C2)與第五電阻(R5)串聯(lián),第二電容(C2)和第五電阻(R5)的串聯(lián)支路設有第五電阻(R5)的一端與第一電阻(R1)和第二電阻(R2)之間的線路連接,其另一端與第三電阻(R3)和第四電阻(R4)之間的線路連接。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:曾維亮,
申請(專利權)人:成都市宏山科技有限公司,
類型:實用新型
國別省市:
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。