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    用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器制造技術(shù)

    技術(shù)編號:8148930 閱讀:141 留言:0更新日期:2012-12-28 19:18
    本實用新型專利技術(shù)公開了用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,包括第一電阻、第一PMOS管及第一NMOS管,第一電阻兩端分別與第一PMOS管源極和第一NMOS管漏極連接,第一NMOS管的源極接地,第一PMOS管為二極管連接的MOS管,第一NMOS管柵極與第一PMOS管漏極連接。第一NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線,第一PMOS管源極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本實用新型專利技術(shù)采用上述結(jié)構(gòu),整體結(jié)構(gòu)簡單,便于實現(xiàn),本實用新型專利技術(shù)應用時通過第一PMOS管和第一NMOS管的作用能避免泄放電壓出現(xiàn)跳變,進而避免解調(diào)失敗。(*該技術(shù)在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)涉及射頻
    ,具體是用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器
    技術(shù)介紹
    隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展和制造水平的不斷提高,采用無線電實現(xiàn)的射頻識別技術(shù)發(fā)展迅猛,射頻識別電子標簽作為一種非接觸式IC卡,其將無線電技術(shù)和IC技術(shù)結(jié)合,通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的高頻接口形成從閱讀器到電子標簽的高頻傳輸通路,高頻接口從其天線上吸收電流,并將吸收的電流整流穩(wěn)壓后作為電子標簽內(nèi)芯片的電源。高頻接口內(nèi)設(shè)有穩(wěn)壓器,穩(wěn)壓器主要用于防止整 流后的直流電源電壓過高,并對過高的直流電壓進行泄放,現(xiàn)有穩(wěn)壓器是通過對電源電壓與某個標準電壓進行比較,進而得到需泄放的電壓,這樣得到的泄放電壓會有一個電壓突然跳變的過程,使泄放電流在跳變前后的改變量較大,這可能使得接收信號的調(diào)制深度在某段場強范圍內(nèi)非常小,進而會導致解調(diào)失敗。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供了在輸入直流電壓過高時,對電壓進行泄放能避免泄放電壓出現(xiàn)跳變的用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器。本技術(shù)的目的主要通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,包括第一電阻、第一 PMOS管及第一 NMOS管,所述第一電阻兩端分別與第一 PMOS管源極和第一 NMOS管漏極連接,第一 NMOS管的源極接地,所述第一 PMOS管為二極管連接的MOS管,第一 NMOS管柵極與第一 PMOS管漏極連接;所述第一 NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線,所述第一 PMOS管源極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本技術(shù)中二極管連接的MOS管是將MOS管的柵極和漏極連接在一起,由于MOS管在一定電壓下存在漏電流,所以本技術(shù)中二極管連接的MOS管用來模擬一個阻值很大的電阻,并且可以通過調(diào)整MOS管的參數(shù)來實現(xiàn)對阻值的控制。本技術(shù)中的直流電壓輸入線接收高頻接口整流后的直流電壓,直流電壓輸出線將穩(wěn)壓后的直流電壓輸出。用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,還包括第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管,所述第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管三者的柵極均連接在第一電阻連接第一NMOS管漏極的一端上,所述第二 NMOS管漏極與第一 NMOS管柵極和第一 PMOS管漏極之間的線路連接,第三NMOS管的源極和漏極分別與第四NMOS管漏極和第二 NMOS管源極連接,第四NMOS管源極接地。本技術(shù)中第二 NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管連接的線路構(gòu)成過流保護電路。所述直流電壓輸出線上連接有第一電容,所述第一電容相對連接直流電壓輸出線端的另一端與第一 NMOS管源極連接。本技術(shù)通過第一電阻和第一電容對輸入的直流電壓進行濾波,濾除其中的高頻部分,從而使輸出的直流電壓更平穩(wěn),第一電容可接收泄放的電流。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本技術(shù)具有以下有益效果本技術(shù)包括第一電阻、第一PMOS管及第一 NMOS管,本技術(shù)在輸出直流電壓過高時通過第一 NMOS管對直流電壓進行泄放,從而達到降低電壓的目的,在第一 PMOS管的作用下,輸入第一 NMOS管柵極的電壓平穩(wěn),能避免泄放電壓時電壓出現(xiàn)跳變,進而能避免因泄放電流在跳變前后的改變量較大所導致的解調(diào)失敗。附圖說明圖I為本技術(shù)實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為R1—第一電阻,Pl—第一 PMOS管,NI—第一NMOS管,N2—第二 NMOS管,N3—第三NMOS管,N4—第四NMOS管,I一直流電壓輸入線,2— 直流電壓輸出線。具體實施方式下面結(jié)合實施例及附圖對本技術(shù)作進一步的詳細說明,但本技術(shù)的實施方式不限于此。實施例如圖I所示,用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,包括第一電阻R1、第一電容Cl及五個MOS管,其中,五個MOS管包括一個PMOS管和四個NMOS管,一個PMOS管為第一 PMOS管Pl,四個NMOS管分別為第一 NMOS管NI、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3及第四NMOS管N4。第一 PMOS管Pl為二極管連接的MOS管,具體為第一 PMOS管Pl的柵極與其源極連接。第一電阻Rl兩端分別與第一 PMOS管Pl源極和第一 NMOS管NI漏極連接,第一 NMOS管NI的源極接地,第一匪OS管NI柵極與第一 PMOS管Pl漏極連接。第一 NMOS管NI漏極與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸入線1,第一 PMOS管Pl源極與第一電阻Rl之間的線路上連接有直流電壓輸出線2。第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3及第四NMOS管N4三者的柵極均連接在第一電阻Rl連接第一 NMOS管NI漏極的一端上,第二 NMOS管N2漏極與第一 NMOS管NI柵極和第一PMOS管NI漏極之間的線路連接,第三NMOS管N3的源極和漏極分別與第四NMOS管N4漏極和第二 NMOS管N2源極連接,第四NMOS管N4源極接地。第一電容Cl相對連接直流電壓輸出線2端的另一端與第一 NMOS管NI源極連接。如上所述,則能很好的實現(xiàn)本技術(shù)。權(quán)利要求1.用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,其特征在于包括第一電阻(R1)、第一PMOS管(Pl)及第一 NMOS管(NI ),所述第一電阻(Rl)兩端分別與第一 PMOS管(Pl)源極和第一 NMOS管(NI)漏極連接,第一 NMOS管(NI)的源極接地,所述第一 PMOS管(Pl)為二極管連接的MOS管,第一 NMOS管(NI)柵極與第一 PMOS管(Pl)漏極連接;所述第一 NMOS管(NI)漏極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸入線(1),所述第一 PMOS管(Pl)源極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有直流電壓輸出線(2 )。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,其特征在于還包括第二匪OS管(N2)、第三匪OS管(N3)及第四NMOS管(N4),所述第二 NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)及第四NMOS管(N4)三者的柵極均連接在第一電阻(Rl)連接第一 NMOS管(NI)漏極的一端上,所述第二 NMOS管(N2)漏極與第一 NMOS管(NI)柵極和第一 PMOS管(NI)漏極之間的線路連接,第三NMOS管(N3)的源極和漏極分別與第四NMOS管(N4)漏極和第二 NMOS管(N2)源極連接,第四NMOS管(N4)源極接地。3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,其特征在于所述直流電壓輸出線(2)上連接有第一電容(Cl),所述第一電容(Cl)相對連接直流電壓輸出線(2)端的另一端與第一 NMOS管(NI)源極連接。專利摘要本技術(shù)公開了用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,包括第一電阻、第一PMOS管及第一NMOS管,第一電阻兩端分別與第一PMOS管源極和第一NMOS管漏極連接,第一NMOS管的源極接地,第一PMOS管為二極管連接的MOS管,第一NMOS管柵極與第一PMOS管漏極連接。第一NMOS管漏極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸入線,第一PMOS管源極與第一電阻之間的線路上連接有直流電壓輸出線。本技術(shù)采用上述結(jié)構(gòu),整體結(jié)構(gòu)簡單,便于實現(xiàn),本技術(shù)應用時通過第一PMOS管和第一NMOS管本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    用于電子標簽中高頻接口的穩(wěn)壓器,其特征在于:包括第一電阻(R1)、第一PMOS管(P1)及第一NMOS管(N1),所述第一電阻(R1)兩端分別與第一PMOS管(P1)源極和第一NMOS管(N1)漏極連接,第一NMOS管(N1)的源極接地,所述第一PMOS管(P1)為二極管連接的MOS管,第一NMOS管(N1)柵極與第一PMOS管(P1)漏極連接;所述第一NMOS管(N1)漏極與第一電阻(R1)之間的線路上連接有直流電壓輸入線(1),所述第一PMOS管(P1)源極與第一電阻(R1)之間的線路上連接有直流電壓輸出線(2)。

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:曾維亮
    申請(專利權(quán))人:成都市宏山科技有限公司
    類型:實用新型
    國別省市:

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