用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器制造技術

本實用新型專利技術公開了用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，包括第一MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二電容、電壓信號輸入線及電壓信號輸出線，第二電容的兩端分別與第一放大器的輸出端和第一電阻連接，第一MOS晶體管的柵極與第一放大器的輸出端和第二電容之間的線路連接，第一電阻相對連接第二電容端的另一端與第一MOS晶體管源極連接，第二電阻兩端分別與第一MOS晶體管漏極和第三電阻連接，第三電阻相對連接第二電阻端的另一端接地，第一放大器的同相輸入端與第二電阻和第三電阻之間的線路連接。本實用新型專利技術將輸入的電壓反饋后輸出，降低輸入與輸出電壓的敏感度，從而保證輸入到電子標簽內部電路中電壓的穩定性。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及射頻
，具體是用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器。
技術介紹
射頻識別是當前應用最廣泛的非接觸式自動目標識別技術之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優點，因此被廣泛應用于各個領域。射頻識別系統主要包括閱讀器和電子標簽，閱讀器發射接收天線耦合過來的是交流信號，在獲取內部電源前必須對其進行整流，即將交流信號轉換為直流信號。現有電子標簽中整流出的直流電壓幅度抖動較大，直流電壓應用于電子標簽內部電路時不能保證信號的穩定，從而會影響電子標簽與閱讀器之間進行信號傳遞時的穩定性。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術的不足，提供了一種能對整流后的電壓進行穩壓，從而提高輸入到電子標簽內部電路中電壓穩定性的用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器。本技術的目的主要通過以下技術方案實現用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，包括第一 MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻及第二電容，所述第二電容的兩端分別與第一放大器的輸出端和第一電阻連接，所述第一 MOS晶體管的柵極與第一放大器的輸出端和第二電容之間的線路連接，第一電阻相對連接第二電容端的另一端與第一 MOS晶體管源極連接，所述第二電阻兩端分別與第一 MOS晶體管漏極和第三電阻連接，第三電阻相對連接第二電阻端的另一端接地，所述第一放大器的同相輸入端與第二電阻和第三電阻之間的線路連接；所述第一 MOS晶體管源極與第一電阻之間的線路上連接有電壓信號輸入線，所述第一 MOS晶體管漏極與第二電阻之間的線路上連接有電壓信號輸出線。其中，電壓信號輸入線接收整流后的電壓，電壓信號輸出線將穩壓后的電壓輸出至電子標簽的內部電路中。用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，還包括第一電容和第四電阻，所述第一電容一端連接在電壓信號輸入線上，其另一端接地；所述第四電阻一端連接在電壓信號輸出線上，其另一端接地。本技術通過第一電容對輸入本技術中的電壓進行初步濾波，而第四電阻則用于進行負載保護。所述第一 MOS晶體管為P溝道增強型場效應管。與現有技術相比，本技術具有以下有益效果本技術包括第一 MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻及第二電容，其中，電壓信號輸入線連接在第一 MOS晶體管源極與第一電阻之間的線路上，電壓信號輸出線連接在第一 MOS晶體管漏極與第二電阻之間的線路上，本技術中第一電阻、第二電阻、第二電容、第一放大器及第一 MOS晶體管構成一個負反饋，電壓經該負反饋穩壓后輸出，降低了輸出電壓與輸入電壓之間的敏感度，從而可達到穩壓后輸出的要求，這就保證了電子標簽與閱讀器之間信號傳遞的穩定性，有利于射頻識別系統的推廣應用。附圖說明圖I為本技術實施例的結構示意圖。附圖中附圖標記所對應的名稱為P1—第一 MOS晶體管，Al—第一放大器，Rl—第一電阻，R2—第二電阻，R3—第三電阻，R4—第三電阻，Cl一第一電容，C2—第二電容，I一電壓信號輸入線，2—電壓信號輸出線。具體實施方式下面結合實施例及附圖對本技術作進一步的詳細說明，但本技術的實施 方式不限于此。實施例如圖I所示，用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，包括第一 MOS晶體管P1、第一放大器Al、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3及第二電容C2，其中，第一 MOS晶體管Pl優選采用P溝道增強型場效應管，第一放大器Al優選采用LM324。第二電容C2的兩端分別與第一放大器Al的輸出端和第一電阻Rl連接,第一 MOS晶體管Pl的柵極與第一放大器Al的輸出端和第二電容C2之間的線路連接，第一電阻Rl相對連接第二電容C2端的另一端與第一 MOS晶體管Pl源極連接。第二電阻R2兩端分別與第一 MOS晶體管Pl漏極和第三電阻R3連接，第三電阻R3相對連接第二電阻R2端的另一端接地，第一放大器Al的同相輸入端與第二電阻R2和第三電阻R3之間的線路連接，為了便于對參考電壓進行測試，第一放大器Al的反相輸入端懸空。第一 MOS晶體管Pl源極與第一電阻Rl之間的線路上連接有電壓信號輸入線I，第一 MOS晶體管Pl漏極與第二電阻R2之間的線路上連接有電壓信號輸出線2，其中，電壓信號輸入線I接收整流后的電壓，電壓信號輸出線2將穩壓后的電壓輸入到電子標簽的內部電路內。用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，還包括第一電容Cl和第四電阻R4，其中，第一電容Cl 一端連接在電壓信號輸入線I上,第一電容Cl相對連接電壓信號輸入線I端的另一端接地，第四電阻R4 —端連接在電壓信號輸出線2上，第四電阻R4相對連接電壓信號輸出線2端的另一端接地。如上所述，則能很好的實現本技術。權利要求1.用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，其特征在于包括第一MOS晶體管(Pl)、第一放大器(Al)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)、第三電阻(R3)及第二電容(C2)，所述第二電容(C2)的兩端分別與第一放大器(Al)的輸出端和第一電阻(Rl)連接，所述第一 MOS晶體管(Pl)的柵極與第一放大器(Al)的輸出端和第二電容(C2)之間的線路連接，第一電阻(Rl)相對連接第二電容(C2)端的另一端與第一 MOS晶體管(Pl)源極連接，所述第二電阻(R2)兩端分別與第一 MOS晶體管(Pl)漏極和第三電阻(R3)連接，第三電阻(R3)相對連接第二電阻(R2)端的另一端接地，所述第一放大器(Al)的同相輸入端與第二電阻(R2)和第三電阻(R3)之間的線路連接；所述第一 MOS晶體管(Pl)源極與第一電阻(Rl)之間的線路上連接有電壓信號輸入線(1)，所述第一 MOS晶體管(Pl)漏極與第二電阻(R2)之間的線路上連接有電壓信號輸出線(2)。2.根據權利要求I所述的用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，其特征在于還包括第一電容(Cl)和第四電阻(R4)，所述第一電容(Cl) 一端連接在電壓信號輸入線(I)上，其另一端接地；所述第四電阻(R4 ) —端連接在電壓信號輸出線(2 )上，其另一端接地。3.根據權利要求I或2所述的用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，其特征在于所述第一 MOS晶體管(Pl)為P溝道增強型場效應管。專利摘要本技術公開了用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，包括第一MOS晶體管、第一放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二電容、電壓信號輸入線及電壓信號輸出線，第二電容的兩端分別與第一放大器的輸出端和第一電阻連接，第一MOS晶體管的柵極與第一放大器的輸出端和第二電容之間的線路連接，第一電阻相對連接第二電容端的另一端與第一MOS晶體管源極連接，第二電阻兩端分別與第一MOS晶體管漏極和第三電阻連接，第三電阻相對連接第二電阻端的另一端接地，第一放大器的同相輸入端與第二電阻和第三電阻之間的線路連接。本技術將輸入的電壓反饋后輸出，降低輸入與輸出電壓的敏感度，從而保證輸入到電子標簽內部電路中電壓的穩定性。文檔編號G05F1/56GK202632147SQ201220316349公開日2012年12月26日 申請日期2012年7月3日 優先權日2012年7月3日專利技術者曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
用于電子標簽中穩定電壓的穩壓器，其特征在于：包括第一MOS晶體管（P1）、第一放大器（A1）、第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）及第二電容（C2），所述第二電容（C2）的兩端分別與第一放大器（A1）的輸出端和第一電阻（R1）連接，所述第一MOS晶體管（P1）的柵極與第一放大器（A1）的輸出端和第二電容（C2）之間的線路連接，第一電阻（R1）相對連接第二電容（C2）端的另一端與第一MOS晶體管（P1）源極連接，所述第二電阻（R2）兩端分別與第一MOS晶體管（P1）漏極和第三電阻（R3）連接，第三電阻（R3）相對連接第二電阻（R2）端的另一端接地，所述第一放大器（A1）的同相輸入端與第二電阻（R2）和第三電阻（R3）之間的線路連接；所述第一MOS晶體管（P1）源極與第一電阻（R1）之間的線路上連接有電壓信號輸入線（1），所述第一MOS晶體管（P1）漏極與第二電阻（R2）之間的線路上連接有電壓信號輸出線（2）。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：曾維亮，
申請(專利權)人：成都市宏山科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：