一種掩膜板制造技術

本實用新型專利技術公開了一種用于曝光工藝的掩膜板，包括透光襯底，透光襯底上具有至少一個圖案區域，至少一個圖案區域內具有半透光區和不透光區，半透光區與不透光區的寬度之和不小于曝光機的解析度，其中：不透光區的寬度小于曝光機的解析度，不透光區的至少一側為半透光區；和/或，半透光區的寬度小于曝光機的解析度，半透光區的至少一側為不透光區。本實用新型專利技術提供的掩膜板，通過半透光區實現對光刻膠的半曝光，經灰化去除經過半曝光的光刻膠后，基板上的光刻膠會形成寬度小于曝光機解析度的防護線，和/或，縫隙，然后再經過刻蝕剝離等工藝最終在基板中形成寬度較窄的線、和/或間隙，進而達到降低像素尺寸，提高像素密度的目的。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本實 用新型涉及顯示
，特別涉及一種掩膜板。
技術介紹
在顯示
，隨著時代的發展和技術的進步，高像素密度ppi (Point PerInch,點每英寸)產品的需求愈加旺盛，這就意味著需要在陣列基板上制作具有更小尺寸的像素單元以滿足需求。但是，由于目前顯示領域中使用最多的曝光機的解析度一定，曝光機能夠識別的掩膜板上的最小寬度與其解析度對應。傳統的掩膜板中，只能通過布置曝光機能夠識別寬度的不透光區域、以及曝光機能夠識別寬度的透光區域，經過I: I等比例的曝光后得到mask上設計的圖形中的線以及間隙。上述的線可以是數據線、柵線以及條形電極中的一種或者全部，而間隙可以是條形電極之間的間隙等。因此，陣列基板上的線和間隙的寬度完全受限于曝光機的解析度，而每ー個像素単元的最小尺寸又受限于像素単元內的線和間隙的寬度，因此，如果要生產更高像素密度的陣列基板，就不得不購買更高精度的曝光機以及配套產品，需要巨額的投入，而且造成了當前曝光機設備的浪費，極大地限制了高端產品的發展。所以，如何提供一種掩膜板，以能夠在使用當前曝光機的前提下可以得到具有更高像素密度的產品，是本領域技術人員需要解決的技術問題。
技術實現思路
本技術的第一個目的是提供一種用于曝光エ藝的掩膜板，使用該掩膜板可以得到寬度小于曝光機的解析度的線以及間隙，進而能夠提高產品的像素密度。為達到上述目的，本技術提供以下技術方案一種用于曝光エ藝的掩膜板，包括透光村底，所述透光村底上具有至少ー個圖案區域，至少ー個圖案區域內具有半透光區和不透光區，半透光區與不透光區的寬度之和不小于曝光機的解析度，其中所述不透光區的寬度小于曝光機的解析度，所述不透光區的至少ー側為半透光區；和/或，所述半透光區的寬度小于曝光機的解析度，所述半透光區的至少ー側為不透光區。優選地，至少ー個所述圖案區域內不透光區的寬度小于曝光機的解析度。優選地，所述不透光區的一側為半透光區。優選地，所述不透光區的兩側為半透光區。優選地，至少ー個所述圖案區域內半透光區的寬度小于曝光機的解析度。優選地，所述半透光區的一側為不透光區。優選地，所述半透光區的兩側為不透光區。優選地，至少ー個圖案區域內所述不透光區的寬度小于曝光機的解析度，且 所述半透光區的寬度小于曝光機的解析度。優選地，所述半透光區的兩側為不透光區，且兩所述不透光區的另ー側均為半透光區。本技術提供的用于曝光エ藝的掩膜板，包括透光村底，所述透光村底上具有至少ー個圖案區域，至少ー個圖案區域內具有半透光區和不透光區，半透光區與不透光區的寬度之和不小于曝光機的解析度，其中所述不透光區的寬度小于曝光機的解析度，所述不透光區的至少ー側為半透光區；和/或，所述半透光區的寬度小于曝光機的解析度，所述半透光區的至少ー側為不透光區。具有上述結構的掩膜板，當其至少ー個圖案區域內不透光區的寬度小于曝光機的解析度時，雖然該圖案區域中的不透光區的寬度小于曝光機的解析度，但是不透光區的至少ー側為半透光區，不透光區與其至少ー側的半透光區的寬度之和不小于曝光機的解析度，曝光機能夠分辨出該圖案區域并進行曝光；曝光過程中，該圖案區域內的不透光區不會有光透過，相應基板上與該不透光區對應區域的光刻膠完全保留，而半透光區根據設定透過率會透過一部分光，此部分光照射于基板中與該半透光區相對應區域的光刻膠上，從而對此區域光刻膠進行不完全曝光，曝光エ藝之后進行灰化工藝，將已經曝光一部分的光刻膠灰化去除，而基板上與上述不透光區對應的區域內依舊保留一部分光刻膠進行保護，基板的表面的光刻膠就會形成寬度小于曝光機的解析度的防護線，然后進行刻蝕以及剝離等エ藝，將沒有光刻膠保護的部分刻蝕掉，從而在基板上形成寬度較窄的線，進而可以減小像素尺寸，提高像素密度。同理，具有上述結構的掩膜板，當至少ー層圖案區域內半透光區的寬度小于曝光機的解析度時，雖然該圖案區域中的半透光區的寬度小于曝光機的解析度，但是該半透光區的至少ー側為不透光區，半透光區與其至少ー側的不透光區的寬度之和不小于曝光機的解析度，曝光機能夠分辨出該圖案區域并進行曝光；曝光過程中，該圖案區域內的不透光區不會有光透過，相應基板上與該不透光區對應區域的光刻膠完全保留，而半透光區根據設定透過率會透過一部分光，此部分光照射于基板中與該半透光區相對應區域的光刻膠上，從而對此區域光刻膠進行不完全曝光，曝光エ藝之后進行灰化工藝，將已經曝光一部分的光刻膠灰化去除，而基板上與上述不透光區對應的區域內依舊保留一部分光刻膠進行保護，基板的表面的光刻膠就會形成寬度小于曝光機的解析度的縫隙，然后進行刻蝕以及剝離等エ藝，將沒有光刻膠保護的部分刻蝕掉，從而在基板上形成寬度較窄的間隙，進而也可以減小像素尺寸，提高像素密度。當然，當至少ー個圖案區域的不透光區以及半透光區的寬度同時小于曝光機的解析度時，經過相關步驟エ藝之后，基板上會形成寬度較窄的線和間隙，其原理與上述原理相同，這里不再贅述。因此，使用本技術提供的上述掩膜板可以在現有曝光機的基礎上制作出寬度更窄的線，和/或，間隙，進而能夠提高產品的像素密度。附圖說明圖I為本技術提供的掩膜板的結構示意圖；圖2為本技術提供的掩膜板中至少ー個圖案區域的第一種圖案示意圖；圖3為本技術提供的掩膜板中至少ー個圖案區域的第二種圖案示意圖；圖4為本技術提供的掩膜板中至少ー個圖案區域的第三種圖案示意圖；圖5為本技術提供的掩膜板中至少ー個圖案區域的第四種圖案示意圖；圖6為本技術提供的掩膜板制作陣列基板的線以及間隙的原理示意圖。具體實施方式下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。如圖I所示，本技術提供的用于曝光エ藝的掩膜板，包括透光村底3，透光村底3上具有至少ー個圖案區域D，如圖I中虛線框所示，至少ー個圖案區域D內具有半透光區2和不透光區I，半透光區2與不透光區I的寬度之和不小于曝光機的解析度，其中不透光區I的寬度小于曝光機的解析度，不透光區I的至少ー側為半透光區2 ;和/或，半透光區2的寬度小于曝光機的解析度，半透光區2的至少ー側為不透光區I。具有上述結構的掩膜板，當其至少ー個圖案區域D內不透光區I的寬度小于曝光機的解析度時，雖然該圖案區域D中的不透光區I的寬度小于曝光機的解析度，但是不透光區I的至少ー側為半透光區2，不透光區I與其至少ー側的半透光區2的寬度之和不小于曝光機的解析度，曝光機能夠分辨出該圖案區域D并進行曝光；曝光過程中，該圖案區域D內的不透光區I不會有光透過，相應基板上與該不透光區I對應區域的光刻膠完全保留，而半透光區2根據設定透過率會透過一部分光，此部分光照射于基板中與該半透光區2相對應區域的光刻膠上，從而對此區域光刻膠進行不完全曝光，曝光エ藝之后進行灰化工藝，將已經曝光一部分的光刻膠灰化去除，而基板上與上述不透光區I對應的區域內依舊保留一部分光刻膠進行保護，基板的表面的光刻膠就會形成寬度小于曝光機的解析度的防護線，然后進行刻蝕以及剝離等エ藝，將沒有本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于曝光工藝的掩膜板，包括透光襯底，所述透光襯底上具有至少一個圖案區域，其特征在于，至少一個所述圖案區域內具有半透光區和不透光區，半透光區與不透光區的寬度之和不小于曝光機的解析度，其中：所述不透光區的寬度小于曝光機的解析度，所述不透光區的至少一側為半透光區；和/或，所述半透光區的寬度小于曝光機的解析度，所述半透光區的至少一側為不透光區。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：李月，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：