電路板以及電路板的制造方法技術(shù)

電路板(100)在芯基板(10)兩側(cè)分別交替地層疊有兩層以上的導(dǎo)體層(21、31、41、51、61、71)和兩層以上的絕緣層(20a、30a、40a、50a、60a、70a)，其中，芯基板(10)和層疊的絕緣層(20a、30a、40a、50a、60a、70a)分別具有在孔(12a、22a、32a、42a、52a、62a、72a)內(nèi)填充鍍層而成的連接導(dǎo)體(12、22、32、42、52、62、72)。另外，芯基板的連接導(dǎo)體(12)和層疊的絕緣層的連接導(dǎo)體(22、32、42、52、62、72)堆疊。并且，層疊的絕緣層中的一側(cè)的外層的連接導(dǎo)體(62)的位置和另一側(cè)的外層上的連接導(dǎo)體(72)的位置與芯基板的連接導(dǎo)體(12)的位置相比沿大致同一方向移位。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種在芯基板的兩側(cè)分別交替地層疊兩層以上的導(dǎo)體層和兩層以上的絕緣層而成的電路板及其制造方法。
技術(shù)介紹
在專利文獻(xiàn)I中公開了ー種電路板，該電路板具有在通孔內(nèi)填充鍍層而成的通孔導(dǎo)體以及在通路孔內(nèi)填充鍍層而成的通路導(dǎo)體。這些通孔導(dǎo)體和通路導(dǎo)體在正上方(Z方向)進(jìn)行堆疊。 專利文獻(xiàn)I :日本特開2001-210952號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
_4] 專利技術(shù)要解決的問題在專利文獻(xiàn)I所記載的電路板中，認(rèn)為硬導(dǎo)體(金屬)不均勻分布，對于落下沖擊等從外部瞬間施加的應(yīng)カ的承受カ差。本專利技術(shù)是鑒于上述情況而完成的，目的在于容易地制造具有良好的電特性的電路板。_7] 用于解決問題的方案本專利技術(shù)的第一觀點所涉及的電路板是在芯基板兩側(cè)分別交替地層疊兩層以上的導(dǎo)體層和兩層以上的絕緣層而成，上述芯基板和上述層疊的絕緣層分別具有孔內(nèi)填充鍍層而成的連接導(dǎo)體；上述芯基板的上述連接導(dǎo)體和上述層疊的絕緣層的上述連接導(dǎo)體進(jìn)行堆疊；對于上述層疊的絕緣層的ー側(cè)的外層的上述連接導(dǎo)體的位置和另ー側(cè)的外層的上述連接導(dǎo)體的位置，從上述芯基板的上述連接導(dǎo)體的位置起大致在同一方向上移位。本專利技術(shù)的第二觀點所涉及的電路板的制造方法包括以下步驟準(zhǔn)備具有連接導(dǎo)體的芯基板，該連接導(dǎo)體是在孔內(nèi)填充鍍層而成的；在上述芯基板的兩側(cè)形成絕緣層；在上述芯基板兩側(cè)，在上述絕緣層中形成孔；在上述芯基板兩側(cè)，在上述絕緣層的上述孔內(nèi)填充鍍層來形成連接導(dǎo)體；以及在上述芯基板兩側(cè)，在上述絕緣層上形成導(dǎo)體層，其中，通過反復(fù)進(jìn)行上述絕緣層的形成、上述連接導(dǎo)體的形成以及上述導(dǎo)體層的形成，來在上述芯基板的兩側(cè)交替地層疊兩層以上的上述導(dǎo)體層和兩層以上的上述絕緣層，堆疊上述芯基板的上述連接導(dǎo)體以及上述層疊的絕緣層的上述連接導(dǎo)體，并且使上述層疊的絕緣層的一側(cè)的外層的上述連接導(dǎo)體的位置和另ー側(cè)的外層的上述連接導(dǎo)體的位置與上述芯基板的上述連接導(dǎo)體的位置相比沿大致同一方向上移位。此外，準(zhǔn)備除了購買材料、部件來自己制造之外，還包括購買成品來使用等。專利技術(shù)的效果根據(jù)本專利技術(shù)，能夠容易地制造具有良好的電特性的電路板。附圖說明圖I是本專利技術(shù)的實施方式所涉及的電路板的截面圖。圖2是本專利技術(shù)的實施方式所涉及的電路板的俯視圖。圖3A是表示填充堆疊體的填充導(dǎo)體沿傾斜方向(XY方向)移位的例子的圖。圖3B是表示填充堆疊體的填充導(dǎo)體沿Y方向移位的例子的圖。圖4是放大表示填充堆疊體的圖。圖5A是放大表示圖4中的局部的圖，詳細(xì)地說是放大顯示芯基板的填充導(dǎo)體以及堆疊在其第二面上的填充導(dǎo)體的圖。 圖5B是放大表示圖4的局部的圖，詳細(xì)地說是放大顯示芯基板的填充導(dǎo)體以及堆疊在其第一面上的填充導(dǎo)體的圖。圖6是表示填充堆疊體的填充導(dǎo)體的移位量的圖。圖7是表示施加到六層、八層以及十層的電路板的應(yīng)カ的模擬結(jié)果的曲線圖。圖8是表示施加到六層、八層以及十層的電路板的應(yīng)カ的模擬結(jié)果的圖表。圖9是表示八層產(chǎn)品和十層產(chǎn)品中各層的裂紋占有率的模擬結(jié)果的圖表。圖10是表示本專利技術(shù)的實施方式所涉及的電路板的制造方法的流程圖。圖IlA是用于說明準(zhǔn)備芯基板的第一エ序的圖。圖IlB是用于說明圖IlA的エ序之后的第二エ序的圖。圖IlC是用于說明圖IlB的エ序之后的第三エ序的圖。圖IlD是用于說明圖IlC的エ序之后的第四エ序的圖。圖12A是用于說明在芯基板的兩側(cè)形成絕緣層的エ序的圖。圖12B是用于說明在圖12A的エ序之后形成通路孔的エ序的圖。圖12C是用于說明圖12B的エ序之后的鍍處理工序的圖。圖12D是用于說明圖12C的エ序之后的圖案形成エ序的圖。圖13是用于說明在圖12D的エ序之后在芯基板的兩側(cè)進(jìn)行積層的エ序的圖。圖14是用于說明在圖13的エ序之后在芯基板的兩側(cè)形成絕緣層的エ序的圖。圖15A是用于說明在圖14的エ序之后形成通路孔和通孔的エ序的圖。圖15B是用于說明圖15A的エ序之后的鍍處理工序的圖。圖16是表示填充堆疊體中的填充導(dǎo)體的移位角度不固定的例子的圖。圖17是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導(dǎo)體與堆疊在其第二面上的填充導(dǎo)體的位置關(guān)系的第一其它例的圖。圖18是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導(dǎo)體與堆疊在其第二面上的填充導(dǎo)體的位置關(guān)系的第二其它例的圖。圖19是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導(dǎo)體與堆疊在其第一面上的填充導(dǎo)體的位置關(guān)系的第一其它例的圖。圖20是表示填充堆疊體中的芯基板的填充導(dǎo)體與堆疊在其第一面上的填充導(dǎo)體的位置關(guān)系的第二其它例的圖。圖21是表示填充堆疊體中的填充導(dǎo)體的移位量不固定的例子的圖。圖22A是表示填充堆疊體的各填充導(dǎo)體被配置成鋸齒狀的第一例子的圖。圖22B是表示填充堆疊體的各填充導(dǎo)體被配置成鋸齒狀的第二例子的圖。圖23是表示填充堆疊體的移位方向不是大致固定而是ー側(cè)外層的連接導(dǎo)體的位置和另ー側(cè)外層上的連接導(dǎo)體的位置從芯基板的連接導(dǎo)體的位置起大致在同一方向上移位、內(nèi)層的連接導(dǎo)體位于芯基板的連接導(dǎo)體與外層的連接導(dǎo)體之間的電路板的例子的截面圖。圖24是圖23示出的電路板的俯視圖。圖25是表示填充堆疊體的移位方向不固定而是ー側(cè)外層的連接導(dǎo)體的位置和另一側(cè)外層的連接導(dǎo)體的位置從芯基板的連接導(dǎo)體的位置起大致在同一方向上移位、內(nèi)層的連接導(dǎo)體不位于芯基板的連接導(dǎo)體與外層的連接導(dǎo)體之間的電路板的例子的截面圖。圖26是圖25示出的電路板的俯視圖。 圖27A是表示通路孔和通孔的橫截面形狀的第一其它例的圖。圖27B是表示通路孔和通孔的橫截面形狀的第二其它例的圖。圖27C是表示通路孔和通孔的橫截面形狀的第三其它例的圖。圖28是表示用于形成填充堆疊體的通路孔的組合非相似的圖形的例子的圖。圖29A是表示通路孔和通孔的縱截面形狀的第一其它例的圖。圖29B是表示通路孔和通孔的縱截面形狀的第二其它例的圖。圖30A是表示在填充堆疊體附近配置通孔的例子的圖。圖30B是表不僅具有一個通孔的電路板的一例的圖。圖31A是表示導(dǎo)體層和通路導(dǎo)體的第一結(jié)構(gòu)的圖。圖31B是表示導(dǎo)體層和通路導(dǎo)體的第二結(jié)構(gòu)的圖。圖31C是表示導(dǎo)體層和通路導(dǎo)體的第三結(jié)構(gòu)的圖。圖32是表示芯基板的填充導(dǎo)體為通孔導(dǎo)體的例子的圖。圖33是表示代替通孔而使用切ロ的例子的截面圖。圖34是表示代替通孔而使用切ロ的例子的俯視圖。圖35是表示同時使用通孔和切ロ的例子的圖。圖36是表示切ロ的形成方法的一例的圖。圖37A是表示具有向相反的方向移位的兩個填充堆疊體的電路板的一例的圖。圖37B是圖37A的截面圖。圖38是表示內(nèi)置電子部件的電路板的一例的圖。圖39是表示表面安裝了電子部件的電路板的一例的圖。圖40是表示六層電路板的一例的圖。具體實施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說明本專利技術(shù)的實施方式。此外，在圖中，箭頭Zl、Z2分別指與電路板的主面(表面和背面)的法線方向(或者芯基板的厚度方向)相當(dāng)?shù)碾娐钒宓膶盈B方向。另ー方面，箭頭X1、X2和Y1、Y2分別指與層疊方向正交的方向(與電路板的主面平行的方向)。電路板的主面成為X-Y平面。另外，電路板的側(cè)面成為X-Z平面或者Y-Z平面。關(guān)于填充導(dǎo)體或者其孔，將與Z方向正交的截面(X-Y平面)稱為橫截面。另外，將與Z方向平行的截面(X-Z平面或者Y-Z平面)稱為縱截面。關(guān)于填充導(dǎo)體，將與Z方向平行且經(jīng)過橫截面的中心(圓以外時為各橫截面的重心)的線設(shè)為軸。即，Z方向大致相當(dāng)于軸方向。在本實施方式中，將朝向相反的法本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】2010.03.31 US 61/319,568;2011.01.25 US 13/012,8731.一種電路板，在芯基板兩側(cè)分別交替地層疊有兩層以上的導(dǎo)體層和兩層以上的絕緣層，該電路板的特征在干， 上述芯基板和層疊的上述絕緣層分別具有在孔內(nèi)填充鍍層而成的連接導(dǎo)體； 上述芯基板的上述連接導(dǎo)體和層疊的上述絕緣層的上述連接導(dǎo)體堆疊； 層疊的上述絕緣層中的ー側(cè)的外層的上述連接導(dǎo)體的位置和另ー側(cè)的外層的上述連接導(dǎo)體的位置與上述芯基板的上述連接導(dǎo)體的位置相比沿大致同一方向移位。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電路板，其特征在干， 層疊的上述絕緣層中的內(nèi)層的上述連接導(dǎo)體在上述芯基板的兩側(cè)分別配置在上述芯基板的上述連接導(dǎo)體與上述外層的上述連接導(dǎo)體之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路板，其特征在干， 上述芯基板的上述連接導(dǎo)體和層疊的上述絕緣層的上述連接導(dǎo)體在上述芯基板的兩側(cè)分別以從上述芯基板起向上層側(cè)沿大致固定的方向移位的方式進(jìn)行配置。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路板，其特征在干， 沿上述大致固定的方向移位的角度大致固定。5.根據(jù)權(quán)利要求3或者4所述的電路板，其特征在干， 沿上述大致固定的方向移位的量大致固定。6.根據(jù)權(quán)利要求:Γ5中的任一項所述的電路板，其特征在干， 上述芯基板ー側(cè)的上述移位的方向與上述芯基板另ー側(cè)的上述移位的方向相互相同。7.根據(jù)權(quán)利要求:Te中的任一項所述的電路板，其特征在干， 各層間的上述移位的量分別處于大約I μ πΓ25 μ m的范圍內(nèi)。8.根據(jù)權(quán)利要求廣7中的任一項所述的電路板，其特征在干， 在上述電路板中形成有在層疊方向上貫通該電路板的通孔或者切ロ， 上述通孔或者上述切ロ的壁面上形成有鍍層。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電路板，其特征在干， 上述通孔的開ロ形狀是橢圓。10.根據(jù)權(quán)利要求廣9中的任一項所述的電路板...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：脅田英之，川口章秀，
申請(專利權(quán))人：揖斐電株式會社，
類型：
國別省市：