【技術實現步驟摘要】
本申請屬于半導體器件，尤其涉及一種整流器件、功率模塊及電子設備。
技術介紹
1、功率模塊是一種將多個元件集成于一體的整體結構，其中，封裝工藝直接影響功率模塊的電學性能及可靠性。
2、相關技術中，功率模塊的封裝多采用硅膠灌封的形式，然而這種封裝形式在耐高溫性能以及防水性能等方面仍有不足。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種整流器件、功率模塊及電子設備，整流器件能夠提供一種集成度高的互連結構，并且這種互連結構具有較強的防水性能。
2、第一方面，本申請實施例提供一種整流器件，整流器件包括承載基板、封裝部及固定部，承載基板包括襯底、第一導電層與第二導電層，第一導電層與第二導電層同層設置于襯底，第一導電層用于連接功率器件，第二導電層用于連接連接端子，第一導電層與第二導電層通過連接件互連；封裝部與承載基板連接且至少覆蓋第一導電層與第二導電層設置，封裝部為環氧樹脂固化物；固定部與封裝部連接設置，整流器件通過固定部與散熱件連接。
3、在一些實施例中，整流器件還包括安裝支架，安裝支架設置于第二導電層，安裝支架開設有插孔以周向固定連接端子。
4、在一些實施例中，安裝支架在第一方向上的長度大于封裝部在第一方向上的長度以暴露插孔。
5、在一些實施例中，連接件包括載流體以及兩個接電端子，兩個接電端子分別連接第一導電層與第二導電層并且通過載流體互連。
6、在一些實施例中，載流體具有拱起部，沿第一方向，拱起部的底面高于任一接電端子的頂面
7、在一些實施例中，封裝部包括與承載基板連接的第一基體，第一基體覆蓋襯底且包覆第一導電層及第二導電層。
8、在一些實施例中，封裝部還包括兩個第二基體，固定部嵌入第二基體，兩個第二基體沿第二方向分設于第一基體的兩側，沿遠離第一基體的方向，第二基體在第一方向上的長度逐漸減小。
9、在一些實施例中，承載基板還包括傳熱層，傳熱層設置于襯底背離第一導電層與第二導電層的一側，傳熱層與襯底固定連接。
10、第二方面，本申請實施例提供了一種功率模塊，功率模塊包括散熱件、功率器件、連接端子以及前述任一項實施例所提供的整流器件，其中，功率器件與第一導電層電連接，連接端子與第二導電層電連接，功率器件與連接端子通過整流器件實現互連，散熱件通過固定部與整流器件連接。
11、第三方面，本申請實施例提供了一種電子設備，電子設備包括前述任一實施例所提供的功率模塊。
12、本申請實施例的整流器件采用環氧樹脂替代傳統封裝結構中的硅凝膠，環氧樹脂固化后形成封裝部，承載基板與固定部能夠通過封裝部形成為一體結構，提升整流器件的防水防滲性能。區別于傳統封裝結構中以殼體作為承載框架的硅凝膠，封裝部縮短了傳熱路徑以改善散熱性能，且環氧樹脂具有相比硅凝膠更優的耐高溫性能。
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1.一種整流器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件還包括安裝支架，所述安裝支架設置于所述第二導電層，所述安裝支架開設有插孔以周向固定連接端子。
3.根據權利要求2所述的整流器件，其特征在于，所述安裝支架在第一方向上的長度大于所述封裝部在第一方向上的長度以暴露所述插孔。
4.根據權利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述連接件包括載流體以及兩個接電端子，兩個所述接電端子分別連接所述第一導電層與所述第二導電層并且通過所述載流體互連。
5.根據權利要求4所述的整流器件，其特征在于，所述載流體具有拱起部，沿第一方向，所述拱起部的底面高于任一所述接電端子的頂面。
6.根據權利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述封裝部包括與所述承載基板連接的第一基體，所述第一基體覆蓋所述襯底且包覆所述第一導電層及所述第二導電層。
7.根據權利要求6所述的整流器件，其特征在于，所述封裝部還包括兩個第二基體，所述固定部嵌入所述第二基體，兩個所述第二基體沿第二方向分設于所述第一基體的兩側，沿遠離
8.根據權利要求1至7任一項所述的整流器件，其特征在于，所述承載基板還包括傳熱層，所述傳熱層設置于所述襯底背離所述第一導電層與所述第二導電層的一側，所述傳熱層與所述襯底固定連接。
9.一種功率模塊，其特征在于，包括：
10.一種電子設備，其特征在于，包括如權利要求9所述的功率模塊。
...【技術特征摘要】
1.一種整流器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述整流器件還包括安裝支架，所述安裝支架設置于所述第二導電層，所述安裝支架開設有插孔以周向固定連接端子。
3.根據權利要求2所述的整流器件，其特征在于，所述安裝支架在第一方向上的長度大于所述封裝部在第一方向上的長度以暴露所述插孔。
4.根據權利要求1所述的整流器件，其特征在于，所述連接件包括載流體以及兩個接電端子，兩個所述接電端子分別連接所述第一導電層與所述第二導電層并且通過所述載流體互連。
5.根據權利要求4所述的整流器件，其特征在于，所述載流體具有拱起部，沿第一方向，所述拱起部的底面高于任一所述接電端子的頂面。
6.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李光，金文慧，
申請(專利權)人：瑞能微恩半導體上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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