封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

一種封裝結(jié)構(gòu)，包括中介層、控制單元、多個運(yùn)算單元、信號傳輸層以及光電材料。控制單元接合到中介層，運(yùn)算單元設(shè)置于控制單元周圍并連接至控制單元。信號傳輸層形成于控制單元和運(yùn)算單元中，光電材料形成于控制單元與運(yùn)算單元內(nèi)，且光電材料與信號傳輸層重疊。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)實(shí)施例涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種設(shè)有與信號傳輸層重疊的光電材料的封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)介紹

1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過不斷縮小最小特征尺寸來繼續(xù)提高各種電子元件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許將更多元件整合到給定區(qū)域中。單獨(dú)的晶粒通常會分別進(jìn)行封裝。封裝不僅為半導(dǎo)體裝置提供保護(hù)免受環(huán)境污染，而且為封裝在其中的半導(dǎo)體裝置提供連接界面。

2、三維集成電路(three?dimensional?integrated?circuit；3dic)是半導(dǎo)體封裝的最新發(fā)展，其中多個半導(dǎo)體晶粒彼此堆疊，例如堆疊封裝(package-on-package；pop)和系統(tǒng)級封裝(system-in-package；sip)封裝技術(shù)。一些三維集成電路是在半導(dǎo)體晶片級上通過將晶粒放置于晶粒上方來制備的。由于例如堆疊晶粒之間的內(nèi)連線長度縮短，三維集成電路提供了改良的集成密度和其他優(yōu)勢，例如更快的速度和更高的頻寬。然而，仍有很多與三維集成電路相關(guān)的挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的在于提出一種封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述至少一個問題。

2、本技術(shù)實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括中介層、控制單元、多個運(yùn)算單元、信號傳輸層以及光電材料。控制單元接合到中介層。運(yùn)算單元設(shè)置于控制單元周圍并連接至控制單元。信號傳輸層形成于控制單元和運(yùn)算單元中。光電材料形成于控制單元與運(yùn)算單元內(nèi)，且光電材料與信號傳輸層重疊。

3、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，多個所述運(yùn)算單元與該控制單元之間由一底部填充物分隔開，且多個所述運(yùn)算單元通過該中介層中的另一信號傳輸層連接至該控制單元。

4、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，還包括：一信號源，接合至該中介層，其中該信號源通過該信號傳輸層連接到該控制單元或多個所述運(yùn)算單元。

5、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，還包括：一光學(xué)元件，設(shè)置于該控制單元內(nèi)且通過該信號傳輸層連接至多個所述運(yùn)算單元。

6、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，該光電材料的一寬度與該信號傳輸層的一寬度不同。

7、本技術(shù)實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括中介層、形成在中介層中的信號傳輸層、形成在中介層中的光電材料、接合到中介層的控制單元以及多個運(yùn)算單元。光電材料與信號傳輸層重疊。運(yùn)算單元與中介層接合，并通過信號傳輸層與控制單元相連。

8、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，還包括：一重分布結(jié)構(gòu)，形成于該中介層中，其中該重分布結(jié)構(gòu)與該信號傳輸層隔離。

9、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，還包括：一處理器，接合至該中介層；以及一存儲器裝置，接合至該中介層且鄰接于該處理器，其中該處理器和該存儲器裝置通過該重分布結(jié)構(gòu)連接至該控制單元。

10、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，該控制單元和多個所述運(yùn)算單元還包括：一第二信號傳輸層，形成于該控制單元與多個所述運(yùn)算單元中；以及一第二光電材料，形成于該控制單元與多個所述運(yùn)算單元中，其中該第二光電材料與該第二信號傳輸層重疊。

11、根據(jù)本技術(shù)其中的一個實(shí)施方式，該光電材料的一側(cè)壁與該信號傳輸層的一側(cè)壁垂直地對齊。

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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述運(yùn)算單元與該控制單元之間由一底部填充物分隔開，且多個所述運(yùn)算單元通過該中介層中的另一信號傳輸層連接至該控制單元。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該光電材料的一寬度與該信號傳輸層的一寬度不同。

6.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

8.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

9.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該控制單元和多個所述運(yùn)算單元還包括：

10.如權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該光電材料的一側(cè)壁與該信號傳輸層的一側(cè)壁垂直地對齊。

【技術(shù)特征摘要】

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個所述運(yùn)算單元與該控制單元之間由一底部填充物分隔開，且多個所述運(yùn)算單元通過該中介層中的另一信號傳輸層連接至該控制單元。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該光電材料的一寬...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林佳加，盧致昕，蔡仲豪，夏興國，王垂堂，余振華，
申請(專利權(quán))人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：