本說(shuō)明書(shū)提供了一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備。設(shè)備包括溫場(chǎng)裝置，溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、筒以及填充體，底板設(shè)置于溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于筒一開(kāi)口端；蓋板設(shè)置于溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于筒另一開(kāi)口端；填充體填充于筒內(nèi)部，填充體至少用于支撐堝；加料部件，加料部件用于將反應(yīng)物料補(bǔ)充料送入堝內(nèi)，加料部件包括稱(chēng)重組件、傳料組件以及控制組件，其中，控制組件用于獲取生長(zhǎng)中的晶體的重量，并至少根據(jù)生長(zhǎng)中的晶體的重量和用于生長(zhǎng)晶體的各反應(yīng)物料之間的比例確定反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量；以及實(shí)時(shí)獲取稱(chēng)重組件稱(chēng)量的反應(yīng)物料的稱(chēng)量重量，反應(yīng)物料補(bǔ)充料的稱(chēng)量重量與反應(yīng)物料的補(bǔ)充重量相等，控制傳料組件將反應(yīng)物料補(bǔ)充料由稱(chēng)重組件轉(zhuǎn)移至堝內(nèi)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備分案說(shuō)明本申請(qǐng)是針對(duì)申請(qǐng)日為2020年06月05日、申請(qǐng)?zhí)枮?02080004460.5、專(zhuān)利技術(shù)名稱(chēng)為“無(wú)需退火的高均一性晶體生長(zhǎng)方法及設(shè)備”的中國(guó)申請(qǐng)?zhí)岢龅姆职干暾?qǐng)。
本申請(qǐng)涉及晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，特別涉及一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備。
技術(shù)介紹
閃爍晶體是一種能將電離輻射能(如γ射線(xiàn)、X射線(xiàn))轉(zhuǎn)化為光能(主要為可見(jiàn)光)的能量轉(zhuǎn)化介質(zhì)，其被廣泛用于核醫(yī)學(xué)如X射線(xiàn)斷層掃描(CT)、正電子發(fā)射斷層掃描(PET)，核探測(cè)技術(shù)如工業(yè)斷層掃描(工業(yè)CT)、油井勘探、核物理、高能物理、環(huán)境檢測(cè)、安全檢測(cè)、武器裝備火控及制導(dǎo)等領(lǐng)域。特別是在高能物理及核醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域，要求閃爍晶體具有較高的光產(chǎn)額，較強(qiáng)的γ射線(xiàn)吸收能力，較短的發(fā)光衰減時(shí)間，較大的輻照硬度、密度、原子序數(shù)等。而傳統(tǒng)工藝條件下生長(zhǎng)的晶體，其頭尾濃度差很大，原因是當(dāng)晶體不斷長(zhǎng)大時(shí)，坩堝內(nèi)的液面不斷降低，由于溶質(zhì)的分凝系數(shù)不等于1，使坩堝內(nèi)熔體的溶質(zhì)濃度不斷升高或降低，生長(zhǎng)出的晶體濃度會(huì)隨著熔體溶質(zhì)濃度的升高或降低而升高或降低，影響晶體的質(zhì)量或可利用率。因此，需要一種用于生長(zhǎng)大尺寸、高均一性且無(wú)需退火的氧化物晶體的生長(zhǎng)方法及設(shè)備。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例披露了的一種無(wú)需退火的用于生長(zhǎng)大尺寸、高均一性的晶體生長(zhǎng)方法，使用該方法晶體生長(zhǎng)有令人訝異的優(yōu)秀的重復(fù)性，并使晶體每次生長(zhǎng)的品質(zhì)都能達(dá)到另人訝異一致性，解決了二氧化硅易揮發(fā)，生長(zhǎng)時(shí)易開(kāi)裂和組分偏離，生產(chǎn)周期長(zhǎng)，不易獲得閃爍性能均勻且無(wú)氧缺位晶體的問(wèn)題。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例一方面披露了一種晶體生長(zhǎng)方法。所述方法包括：對(duì)生長(zhǎng)氧化物晶體各反應(yīng)物料進(jìn)行第一預(yù)處理后進(jìn)行稱(chēng)重；對(duì)晶體生長(zhǎng)裝置的至少一個(gè)部件進(jìn)行裝配前處理后，將執(zhí)行過(guò)第二預(yù)處理的反應(yīng)物料置于所述晶體生長(zhǎng)裝置內(nèi)，其中，所述晶體生長(zhǎng)裝置的至少一個(gè)部件包括堝；所述裝配前處理至少包括對(duì)所述堝進(jìn)行涂層保護(hù)、酸液泡洗、異物清潔中的一種或多種；所述晶體生長(zhǎng)裝置密閉后內(nèi)部通入保護(hù)氣體；啟動(dòng)所述晶體生長(zhǎng)裝置生長(zhǎng)晶體，其中，在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中實(shí)時(shí)向所述晶體生長(zhǎng)裝置內(nèi)加入反應(yīng)物料補(bǔ)充料。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例另一方面披露了一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備。所述設(shè)備包括溫場(chǎng)裝置。所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、筒以及填充體。所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述筒一開(kāi)口端。所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述筒另一開(kāi)口端。所述填充體填充于所述筒內(nèi)部。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例另一方面披露了一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備。所述設(shè)備包括溫場(chǎng)裝置。所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、第一筒、第二筒、以及填充體。所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述第一筒的一開(kāi)口端；所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述第一筒的另一開(kāi)口端；所述第二筒管設(shè)置于所述第一筒內(nèi)部；所述填充體填充于所述第二筒內(nèi)部，和/或所述第二筒和所述第一筒之間的空隙中。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例的另一方面披露了一種晶體，所述晶體的分子式如下所示：或X(1-z)ZzVO4。其中，X由Ca、Mg、Sr、Mn、Ba、Al、Fe、Re、La、Ce、Rr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、HO、Er、Yb、Tm、Lu、Sc、Y中的一個(gè)或以上組成，Y由B、Li、Ga、Gd、Ce、Y、Yb、Er、Sc、Mg、Ca、Tb中的一個(gè)或以上組成，M由Ce、Cl、F、Br、N、P、S中的一個(gè)或以上組成，Z由Li、B、Gd、Mg、Ca、Tb、Y、Lu、La、Yb、Sc、Er、Ga中的一個(gè)或以上組成，Q由O、Cl、F、Br、S中的一個(gè)或以上組成，N由Cl、F、Br、S中的一個(gè)或以上組成，A由Al、Ga、In、Sc中的一個(gè)或以上組成，B由Al組成；x＝0-0.06，y＝0-1，b＝0-1，m＝0.000001-0.06，Z＝0-1，n＝0-5。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例的另一方面披露了一種晶體，所述晶體的分子式如下所示：(X1-yYy)3(A1-bBb)5O12。其中，X由Gd、Lu、Y、La、Yb中的一個(gè)或以上組成，Y由B、Li、Ga、Gd、Ce、Y、Yb、Er中的一個(gè)或以上組成，A由Al、Ga、In、Sc中的一個(gè)或以上組成，B由Al組成；x＝0-1，y＝0-1，b＝0-1。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例另一方面披露了一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備，所述設(shè)備包括：溫場(chǎng)裝置，所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、筒以及填充體，其中，所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述筒一開(kāi)口端；所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述筒另一開(kāi)口端；所述填充體填充于所述筒內(nèi)部，所述填充體至少用于支撐堝，晶體生長(zhǎng)所需反應(yīng)物料置于所述堝內(nèi)以進(jìn)行反應(yīng)；加料部件，所述加料部件用于將反應(yīng)物料補(bǔ)充料送入所述堝內(nèi)，所述加料部件包括稱(chēng)重組件、傳料組件以及控制組件，其中，所述稱(chēng)重組件用于根據(jù)所述控制組件確定的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量稱(chēng)量所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料；所述傳料組件用于將所述稱(chēng)量組件稱(chēng)量完畢的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)；所述控制組件用于：獲取生長(zhǎng)中的晶體的重量，并至少根據(jù)所述生長(zhǎng)中的晶體的重量和用于生長(zhǎng)晶體的各反應(yīng)物料之間的比例確定所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量；以及實(shí)時(shí)獲取所述稱(chēng)重組件稱(chēng)量的所述反應(yīng)物料的稱(chēng)量重量，所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的稱(chēng)量重量與所述反應(yīng)物料的補(bǔ)充重量相等，控制所述傳料組件將所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料由所述稱(chēng)重組件轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)。本說(shuō)明書(shū)實(shí)施例另一方面披露了一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備，所述設(shè)備包括：溫場(chǎng)裝置，所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、第一筒、第二筒以及填充體，其中，所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述第一筒的一開(kāi)口端；所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述第一筒的另一開(kāi)口端；所述第二筒管設(shè)置于所述第一筒內(nèi)部；所述填充體填充于所述第二筒內(nèi)部和/或所述第二筒和所述第一筒之間的空隙中，填充于所述第二筒內(nèi)部的所述填充體至少用于支撐堝，晶體生長(zhǎng)所需反應(yīng)物料置于所述堝內(nèi)以進(jìn)行反應(yīng)；加料部件，所述加料部件用于將反應(yīng)物料補(bǔ)充料送入所述堝內(nèi)，所述加料部件包括稱(chēng)重組件、傳料組件以及控制組件，其中，所述稱(chēng)重組件用于根據(jù)所述控制組件確定的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量稱(chēng)量所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料；所述傳料組件用于將所述稱(chēng)量組件稱(chēng)量完畢的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)；所述控制組件用于：獲取生長(zhǎng)中的晶體的重量，并至少根據(jù)所述生長(zhǎng)中的晶體的重量和用于生長(zhǎng)晶體的各反應(yīng)物料之間的比例確定所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量；以及實(shí)時(shí)獲取所述稱(chēng)重組件稱(chēng)量的所述反應(yīng)物料的稱(chēng)量重量，所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的稱(chēng)量重量與所述反應(yīng)物料的補(bǔ)充重量相等，控制所述傳料組件將所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料由所述稱(chēng)重組件轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)。附圖說(shuō)明本申請(qǐng)將以示例性實(shí)施例的方式進(jìn)一步說(shuō)明，這些示例性實(shí)施例將通過(guò)附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。這些實(shí)施例并非限制性的，在這些實(shí)施例中，相同的編號(hào)表示相同的結(jié)構(gòu)，其中：圖1是根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例所示的晶體生長(zhǎng)方法的示例性流程圖；圖2是根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例所示的溫場(chǎng)裝置示意圖；圖3是根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例所示的溫場(chǎng)裝置俯視圖；圖4是根據(jù)本申請(qǐng)的一些實(shí)施例所示的第一蓋板的示意圖；圖5是根本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：/n溫場(chǎng)裝置，所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、筒以及填充體，其中，/n所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述筒一開(kāi)口端；/n所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述筒另一開(kāi)口端；/n所述填充體填充于所述筒內(nèi)部，所述填充體至少用于支撐堝，晶體生長(zhǎng)所需反應(yīng)物料置于所述堝內(nèi)以進(jìn)行反應(yīng)；/n加料部件，所述加料部件用于將反應(yīng)物料補(bǔ)充料送入所述堝內(nèi)，所述加料部件包括稱(chēng)重組件、傳料組件以及控制組件，其中，/n所述稱(chēng)重組件用于根據(jù)所述控制組件確定的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量稱(chēng)量所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料；/n所述傳料組件用于將所述稱(chēng)量組件稱(chēng)量完畢的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)；/n所述控制組件用于：/n獲取生長(zhǎng)中的晶體的重量，并至少根據(jù)所述生長(zhǎng)中的晶體的重量和用于生長(zhǎng)晶體的各反應(yīng)物料之間的比例確定所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量；以及/n實(shí)時(shí)獲取所述稱(chēng)重組件稱(chēng)量的所述反應(yīng)物料的稱(chēng)量重量，所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的稱(chēng)量重量與所述反應(yīng)物料的補(bǔ)充重量相等，控制所述傳料組件將所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料由所述稱(chēng)重組件轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)。/n
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：
溫場(chǎng)裝置，所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、筒以及填充體，其中，
所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述筒一開(kāi)口端；
所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述筒另一開(kāi)口端；
所述填充體填充于所述筒內(nèi)部，所述填充體至少用于支撐堝，晶體生長(zhǎng)所需反應(yīng)物料置于所述堝內(nèi)以進(jìn)行反應(yīng)；
加料部件，所述加料部件用于將反應(yīng)物料補(bǔ)充料送入所述堝內(nèi)，所述加料部件包括稱(chēng)重組件、傳料組件以及控制組件，其中，
所述稱(chēng)重組件用于根據(jù)所述控制組件確定的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量稱(chēng)量所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料；
所述傳料組件用于將所述稱(chēng)量組件稱(chēng)量完畢的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)；
所述控制組件用于：
獲取生長(zhǎng)中的晶體的重量，并至少根據(jù)所述生長(zhǎng)中的晶體的重量和用于生長(zhǎng)晶體的各反應(yīng)物料之間的比例確定所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量；以及
實(shí)時(shí)獲取所述稱(chēng)重組件稱(chēng)量的所述反應(yīng)物料的稱(chēng)量重量，所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的稱(chēng)量重量與所述反應(yīng)物料的補(bǔ)充重量相等，控制所述傳料組件將所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料由所述稱(chēng)重組件轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)。
2.一種用于生長(zhǎng)晶體的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：
溫場(chǎng)裝置，所述溫場(chǎng)裝置包括底板、蓋板、第一筒、第二筒以及填充體，其中，所述底板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置底部，覆蓋于所述第一筒的一開(kāi)口端；
所述蓋板設(shè)置于所述溫場(chǎng)裝置頂部，覆蓋于所述第一筒的另一開(kāi)口端；
所述第二筒管設(shè)置于所述第一筒內(nèi)部；
所述填充體填充于所述第二筒內(nèi)部和/或所述第二筒和所述第一筒之間的空隙中，填充于所述第二筒內(nèi)部的所述填充體至少用于支撐堝，晶體生長(zhǎng)所需反應(yīng)物料置于所述堝內(nèi)以進(jìn)行反應(yīng)；
加料部件，所述加料部件用于將反應(yīng)物料補(bǔ)充料送入所述堝內(nèi)，所述加料部件包括稱(chēng)重組件、傳料組件以及控制組件，其中，
所述稱(chēng)重組件用于根據(jù)所述控制組件確定的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料的補(bǔ)充重量稱(chēng)量所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料；
所述傳料組件用于將所述稱(chēng)量組件稱(chēng)量完畢的所述反應(yīng)物料補(bǔ)充料轉(zhuǎn)移至所述堝內(nèi)；
所述控制組件用于：...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王宇，官偉明，梁振興，李敏，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：眉山博雅新材料有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：四川;51
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