一種防漏硅晶體生長爐制造技術

本實用新型專利技術提供了一種防漏硅晶體生長爐，包括：熱場，熱場內設有石英坩堝，石英坩堝內用于設置硅液；防漏硅接漏桶裝置，設置于石英坩堝的下方，包括：防漏盤和接料桶，其中，防漏盤，包括溢流槽和溢流孔，溢流孔成對設置且對稱設于溢流槽內，防漏盤設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽內；接料桶，接料桶通過導流管與溢流孔連通。作為本方案的進一步改進，防漏盤的中心處設有軸孔，軸孔的周圍均勻設置電極貫穿孔。本實用新型專利技術具有安全性高、方便使用的特點。

【技術實現步驟摘要】
一種防漏硅晶體生長爐
本技術屬于機械
，涉及一種防漏硅晶體生長爐。
技術介紹
單晶爐是多晶硅轉化為單晶硅工藝過程中的必備設備，而單晶硅又是光伏發電和半導體行業中的基礎原料。單晶硅作為現代信息社會的關鍵支撐材料，是目前世界上最重要的單晶材料之一，它不僅是發展計算機與集成電路的主要功能材料，也是光伏發電利用太陽能的主要功能材料。現有技術中，在單晶硅拉制的過程中，在單晶爐投料越來越多時，爐內硅料重量也越來越大時，就容易發生漏硅的安全事，故如若高溫硅液有泄漏，則高溫的硅液會流入設備內，直接導致石英坩堝的破損、設備的損壞，更甚者會引起安全事故，提升拉晶的成本和風險。綜上所述，為解決現有的倉庫在自動化管理上的不足，本技術設計了一種安全性高、方便使用的防漏硅晶體生長爐。
技術實現思路
本技術為解決現有技術存在的問題，提供了一種安全性高、方便使用的防漏硅晶體生長爐。本技術的目的可通過以下技術方案來實現：一種防漏硅晶體生長爐，包括：熱場，熱場內設有石英坩堝，石英坩堝內用于設置硅液；防漏硅接漏桶裝置，設置于石英坩堝的下方，包括：防漏盤和接料桶，其中，防漏盤，包括溢流槽和溢流孔，溢流孔成對設置且對稱設于溢流槽內，防漏盤設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽內；接料桶，接料桶通過導流管與溢流孔連通。作為本方案的進一步改進，防漏盤的中心處設有軸孔，軸孔的周圍均勻設置電極貫穿孔。作為本方案的進一步改進，導流管包括導管和輸出管，輸出管的上部與導管相連，輸出管的下部與接料桶相連，且輸出管的下部延伸至接料桶的內腔。作為本方案的進一步改進，輸出管的外側管為不銹鋼管，輸出管的內側管為石墨管或陶瓷管。作為本方案的進一步改進，導流管的外部設有真空管道。作為本方案的進一步改進，接料桶的內壁上設有內襯。作為本方案的進一步改進，內襯為氧化鋁固化氈。作為本方案的進一步改進，防漏盤為石墨材質。作為本方案的進一步改進，接料桶設置于機架內部。作為本方案的進一步改進，接料桶設置于機架的外部。與現有技術相比，本技術結構設計合理，通過石英坩堝下方的防漏盤承接高溫硅液；由于防漏盤設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽內，高溫硅液直接落入溢流槽內，再通過溢流孔留出，最終流過導流管，在接料桶內匯集，對比現有技術，有效避免了高溫硅液流入設備內，損壞設備，設置于外部的接料桶對硅液進行收集，有效避免了安全事故的發生，實用性好。附圖說明圖1是本技術防漏盤的結構示意圖。圖2是本技術防漏盤的另一結構示意圖。圖3是本技術防漏硅晶體生長爐使用狀態結構示意圖。圖4是本技術防漏硅晶體生長爐另一使用狀態結構示意圖。圖中，10-防漏盤，11-溢流槽，12-溢流孔，13-軸孔，14-電極貫穿孔，20-接料桶，21-內襯，30-導流管，31-導管，32-輸出管，33-真空管道，40-熱場，41-石英坩堝。具體實施方式下面結合實施例及附圖，對本技術的技術方案作進一步的闡述。如圖所示，本防漏硅晶體生長爐，包括：熱場40，熱場40內設有石英坩堝41，石英坩堝41內用于設置硅液；晶體生長爐用防漏硅接漏桶裝置，包括：防漏盤10，包括溢流槽11和溢流孔12，溢流孔12成對設置且對稱設于溢流槽11內，防漏盤10設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽11內；接料桶20，接料桶20通過導流管30與溢流孔12連通。現有技術中，在單晶硅拉制的過程中，在單晶爐投料越來越多時，爐內硅料重量也越來越大時，就容易發生漏硅的安全事，故如若高溫硅液有泄漏，則高溫的硅液會流入設備內，直接導致石英坩堝的破損、設備的損壞，更甚者會引起安全事故，提升拉晶的成本和風險。為此，本技術設計了一種防漏硅晶體生長爐，通過在晶體生長爐的下方設置晶體生長爐用防漏硅接漏桶裝置，特別是一種能夠在工作過程中，承接高溫從石英坩堝的側壁泄漏出的高溫硅液的晶體生長爐用防漏硅接漏桶裝置，使得在工作的過程中，溢流的硅液順排到溢流槽內，最終在接料桶20內，使得高溫的硅液不會燙穿或少燙穿爐底后漏水，從而有效避免產生安全隱患。防漏硅晶體生長爐上設置的防漏硅接漏桶裝置主要包括防漏盤10和接料桶20，在具體工作過程中，高溫工作中，高溫硅液從石英坩堝的側壁泄漏出時，設置于石英坩堝下方的防漏盤10承接高溫硅液；由于防漏盤10設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽11內，高溫硅液直接落入溢流槽11內，再通過溢流孔12留出，最終流過導流管30，在接料桶20內匯集。再者，每個接料桶20容量約300KG～500KG，一個晶體生長爐至少配備兩個接料桶20。上述過程，使得當硅液發生泄漏情況時，對比現有技術，有效避免了高溫硅液流入設備內，損壞設備，設置于外部的接料桶20對硅液進行收集，有效避免了安全事故的發生。作為進一步的優選實施例，防漏盤10的中心處設有軸孔13，軸孔13的周圍均勻設置電極貫穿孔14。在本實施例中，防漏盤10中心處設置的軸孔13用于坩堝下方的軸穿設；電極貫穿孔14用于坩堝下方的電極放置。軸孔13和電極貫穿孔14皆為了匹配晶體生長爐的整體結構。作為進一步的優選實施例，導流管30包括導管31和輸出管32，輸出管32的上部與導管31相連，輸出管32的下部與接料桶20相連，且輸出管32的下部延伸至接料桶20的內腔。作為進一步的優選實施例，輸出管32的外側管為不銹鋼管，輸出管32的內側管為石墨管或陶瓷管。作為進一步的優選實施例，導流管30的外部設有真空管道33。在本實施例中，通過在導流管30的外部設有真空管道33，導流管30的外部設有套管，真空管道33設于套管內，使得保持整個空間為真空環境；再者，通過設置輸出管32的下部直接延伸至接料桶20的內腔，使得高溫硅液直接落入到接料桶20的底部，再在底部進行匯集。作為進一步的優選實施例，接料桶20的內壁上設有內襯21。作為進一步的優選實施例，內襯21為氧化鋁固化氈。在本實施例中，由于滴入到接料桶20的為高溫硅液，接料桶20的內壁上設有內襯21，且內襯21的材質為氧化鋁固化氈，氧化鋁固化氈能夠耐高溫，具體為日本三菱耐1800℃氧化鋁固化氈。作為進一步的優選實施例，防漏盤10為石墨材質。作為進一步的優選實施例，接料桶20設置于機架內部。如圖3所示，接料桶20在使用時，設置于機架的內部。作為進一步的優選實施例，接料桶20設置于機架的外部。如圖4所示，接料桶20在使用時，設于機架的外部。圖3和圖4是接料桶20的兩種設置方式，可以根據實際需求進行放置，不限定于上述兩種設置方式。本防漏硅晶體生長爐結構設計合理，在單晶爐投料越來越多時，爐內硅料重量也越來越大時，就容易發生漏硅的安全事故，所本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種防漏硅晶體生長爐，其特征在于，包括：/n熱場(40)，熱場(40)內設有石英坩堝(41)，石英坩堝(41)內用于設置硅液；/n防漏硅接漏桶裝置，設置于石英坩堝(41)的下方，包括：防漏盤(10)和接料桶(20)，其中，防漏盤(10)，包括溢流槽(11)和溢流孔(12)，溢流孔(12)成對設置且對稱設于溢流槽(11)內，防漏盤(10)設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽(11)內；接料桶(20)，接料桶(20)通過導流管(30)與溢流孔(12)連通。/n

【技術特征摘要】
1.一種防漏硅晶體生長爐，其特征在于，包括：
熱場(40)，熱場(40)內設有石英坩堝(41)，石英坩堝(41)內用于設置硅液；
防漏硅接漏桶裝置，設置于石英坩堝(41)的下方，包括：防漏盤(10)和接料桶(20)，其中，防漏盤(10)，包括溢流槽(11)和溢流孔(12)，溢流孔(12)成對設置且對稱設于溢流槽(11)內，防漏盤(10)設于石英坩堝的下方且石英坩堝側壁的投影落入在溢流槽(11)內；接料桶(20)，接料桶(20)通過導流管(30)與溢流孔(12)連通。


2.根據權利要求1所述的一種防漏硅晶體生長爐，其特征在于，防漏盤(10)的中心處設有軸孔(13)，軸孔(13)的周圍均勻設置電極貫穿孔(14)。


3.根據權利要求1所述的一種防漏硅晶體生長爐，其特征在于，導流管(30)包括導管(31)和輸出管(32)，輸出管(32)的上部與導管(31)相連，輸出管(32)的下部與接料桶(20)相連，且輸出管(32)的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：楊金海，
申請(專利權)人：浙江晶陽機電股份有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江;33