封裝基板及其制造方法技術

本申請實施例涉及一種封裝基板及其制造方法。根據一實施例的封裝基板，其包括：線路頂層；線路底層；第一絕緣層，其位于線路頂層與線路底層之間；以及至少一個階梯狀斜側面，該階梯狀斜側面具有自線路頂層延伸至第一絕緣層的第一階梯斜側面及自第一絕緣層延伸至線路底層的第二階梯斜側面。本申請實施例提供的封裝基板及其制造方法，其可從外觀對封裝基板的焊錫性能做有效評估。

Packaging substrate and its manufacturing method

【技術實現步驟摘要】
封裝基板及其制造方法
本申請實施例大體上涉及半導體領域，更具體地，涉及封裝基板及其制造方法。
技術介紹
格柵陣列(landgridarray,LGA)封裝技術是半導體封裝
“跨越性的技術革命”，原因主要在于其使用金屬觸點式封裝取代了以往的針狀插腳。然而，一般很難從格柵陣列封裝的產品外觀來判斷其焊錫點，尤其是底部的焊錫點的性能是否良好。此外，LGA封裝側面的焊腳在生產過程中只是在封裝單元連接處切斷而露出焊腳切斷面。相應的，由于焊腳切斷面較小，焊接時很難粘附足夠的焊錫。而且，暴露的焊腳切斷面在一段時間后容易氧化，這就更會造成焊腳切斷面上錫的困難，進而影響封裝產品在應用時的操作性和穩定性。因此，現有的格柵陣列封裝類封裝基板需進一步改進。
技術實現思路
本申請實施例的目的之一在于提供一種封裝基板及其制造方法，其可從外觀對封裝基板的焊錫性能做有效評估性。本申請的一實施例提供一封裝基板，其包括：線路頂層；線路底層；第一絕緣層，其位于線路頂層與線路底層之間；以及至少一個階梯狀斜側面，該階梯狀斜側面具有自線路頂層延伸至第一絕緣層的第一階梯斜側面及自第一絕緣層延伸至線路底層的第二階梯斜側面。根據本申請的另一實施例，第一絕緣層具有核心層。線路頂層進一步包括導電頂層，導電頂層上方設有抗氧化頂層。封裝基板進一步包括側導電層，其自導電頂層沿著所述至少一個階梯狀斜側面延伸至線路底層，以及側抗氧化層，其位于側導電層上方，且自抗氧化頂層延伸。封裝基板進一步包括覆蓋線路底層的抗氧化底層，抗氧化底層自側抗氧化層延伸。根據本申請的另一實施例，線路底層進一步包括導電底層，導電底層下方設有抗氧化底層。導電頂層、側導電層及導電底層為銅層，抗氧化頂層、側抗氧化層及抗氧化底層為-鎳金層?？寡趸攲拥膫让嬉喑蕛A斜階梯狀。本申請的另一實施例還提供一種封裝基板料-條，其包括上述的封裝基板。本申請的另一實施例還提供一種制造封裝基板的方法，其包括：提供具有若干封裝基板單元的封裝基板料-條，每一封裝基板單元包含：線路頂層；線路底層；及第一絕緣層，其具有核心層，且位于線路頂層和線路底層之間；自線路頂層的上表面向下鉆孔至所述第一絕緣層的部分而形成第一凹槽，第一凹槽具有自線路頂層延伸至第一絕緣層的第一階梯斜側面；及自第一凹槽的底部鉆孔至線路底層而形成第二凹槽，第二凹槽具有自第一絕緣層延伸至線路底層的第二階梯斜側面；以及分割若干封裝基板單元形成單獨的封裝基板。根據本申請的另一實施例，線路頂層具有導電頂層，上述方法包括形成位于導電頂層上方的抗氧化頂層，進一步包括形成側導電層，該側導電層自導電頂層沿著第一階梯斜側面及第二階梯斜側面延伸至線路底層；以及形成側抗氧化層，其位于側導電層上方，且自抗氧化頂層延伸。根據本申請的另一實施例，上述方法進一步包括形成覆蓋線路底層的抗氧化底層，該抗氧化底層自側抗氧化層延伸。根據本申請的另一實施例，線路底層包括導電底層，上述方法進一步包括形成位于導電底層下方的抗氧化底層。與現有技術相比，本申請實施例提供的封裝基板具有焊錫可視性，從而能夠有效判斷封裝基板的焊錫性是否良好，同時使得封裝基板的切斷面不容易被氧化。附圖說明在下文中將簡要地說明為了描述本申請實施例或現有技術所必要的附圖以便于描述本申請的實施例。顯而易見地，下文描述中的附圖僅只是本申請中的部分實施例。對本領域技術人員而言，在不需要創造性勞動的前提下，依然可以根據這些附圖中所例示的結構來獲得其他實施例的附圖。圖1為根據本申請的一些實施例的封裝基板100的橫截面視圖圖2A-2G為根據本申請的一些實施例制造封裝基板100的方法圖3為根據本申請的一些實施由封裝基板100陣列組成的封裝基板料-條110的俯視圖與切割處的橫截面視圖具體實施方式為更好的理解本申請實施例的精神，以下結合本申請的部分優選實施例對其作進一步說明。本申請的實施例將會被詳細的描示在下文中。在本申請說明書全文中，將相同或相似的組件以及具有相同或相似的功能的組件通過類似附圖標記來表示。在此所描述的有關附圖的實施例為說明性質的、圖解性質的且用于提供對本申請的基本理解。本申請的實施例不應該被解釋為對本申請的限制。如本文中所使用，術語“大致”、“大體上”、“實質”及“約”用以描述及說明小的變化。當與事件或情形結合使用時，所述術語可指代其中事件或情形精確發生的例子以及其中事件或情形極近似地發生的例子。舉例來說，當結合數值使用時，術語可指代小于或等于所述數值的±10％的變化范圍，例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％。舉例來說，如果兩個數值之間的差值小于或等于所述值的平均值的±10％(例如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％、或小于或等于±0.05％)，那么可認為所述兩個數值“大體上”相同。在本說明書中，除非經特別指定或限定之外，相對性的用詞例如：“中央的”、“縱向的”、“側向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“內部的”、“外部的”、“較低的”、“較高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“頂部的”、“底部的”以及其衍生性的用詞(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)應該解釋成引用在討論中所描述或在附圖中所描示的方向。這些相對性的用詞僅用于描述上的方便，且并不要求將本申請以特定的方向建構或操作。另外，有時在本文中以范圍格式呈現量、比率和其它數值。應理解，此類范圍格式是用于便利及簡潔起見，且應靈活地理解，不僅包含明確地指定為范圍限制的數值，而且包含涵蓋于所述范圍內的所有個別數值或子范圍，如同明確地指定每一數值及子范圍一般。再者，為便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于區分一個圖或一系列圖的不同組件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述對應組件。圖1為根據本申請的一些實施例的封裝基板100的橫截面視圖。封裝基板100包含線路頂層10、線路底層12及位于線路頂層10和線路底層12之間的絕緣層14、絕緣層14可為核心層。此外，封裝基板100還包括至少一個階梯狀斜側面102，以方便對封裝基板100進行側面上錫，同時可根據焊錫點很好地判斷封裝基板100的焊錫狀況。在實際生產中，若干封裝基板100可在一封裝基板料條(未圖示)上集中加工、運輸，從而提高生產效率。根據本申請的一些實施例，階梯狀斜側面102可分為兩段，如圖1所示，第一段為自線路頂層10延伸至絕緣層14的第一階梯斜側面102a，第二段為自絕緣層14延伸至線路底層12的第二階梯斜側面102b。封裝基板100的兩段式的斜坡設計側面使得封裝上錫效果更好，且第一階梯斜側面102a和第二階梯斜側面102b與線路底層12的表面本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種封裝基板，其包括：/n線路頂層；/n線路底層；/n第一絕緣層，其位于所述線路頂層與所述線路底層之間；以及/n至少一個階梯狀斜側面，該階梯狀斜側面具有自所述線路頂層延伸至所述第一絕緣層的第一階梯斜側面及自所述第一絕緣層延伸至所述線路底層的第二階梯斜側面。/n

【技術特征摘要】
1.一種封裝基板，其包括：
線路頂層；
線路底層；
第一絕緣層，其位于所述線路頂層與所述線路底層之間；以及
至少一個階梯狀斜側面，該階梯狀斜側面具有自所述線路頂層延伸至所述第一絕緣層的第一階梯斜側面及自所述第一絕緣層延伸至所述線路底層的第二階梯斜側面。


2.根據權利要求1所述的封裝基板，其中所述第一絕緣層具有核心層。


3.根據權利要求1所述的封裝基板，其中所述線路頂層進一步包括導電頂層，所述導電頂層上方設有抗氧化頂層。


4.根據權利要求3所述的封裝基板，其中所述封裝基板進一步包括：
側導電層，其自所述導電頂層沿著所述至少一個階梯狀斜側面延伸至所述線路底層；以及側抗氧化層，其位于所述側導電層上方，且自所述抗氧化頂層延伸。


5.根據權利要求4所述的封裝基板，其進一步包括覆蓋所述線路底層的抗氧化底層，所述抗氧化底層自所述側抗氧化層延伸。


6.根據權利要求1所述的封裝基板，其中所述線路底層進一步包括導電底層，所述導電底層下方設有抗氧化底層。


7.根據權利要求4或6所述的封裝基板，其中所述導電頂層、所述側導電層及所述導電底層為銅層。


8.根據權利要求4-6中任一權利要求所述的封裝基板，其中所述抗氧化頂層、所述側抗氧化層及所述抗氧化底層為鎳金層。


9.根據權利要求3所述的封裝基板，其中所述抗氧化頂層的側面亦呈傾斜階梯狀。


10.一種封裝基板料條，其包括根據權利要求1-9中任一權利要求所述的封裝基板。


11.一種制造封裝基板的方法，其包括：
提供具有若干封裝基板單元的封裝基板料條，每一所述封裝基板單元包含：
線路頂層；
...

【專利技術屬性】
技術研發人員：歐憲勛，廖順興，程曉玲，羅光淋，王鵬，
申請(專利權)人：日月光半導體上海有限公司，日月光半導體制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31