扇出型半導(dǎo)體封裝件制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種扇出型半導(dǎo)體封裝件。所述扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：半導(dǎo)體芯片；包封劑，覆蓋所述半導(dǎo)體芯片；連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的下方；以及第一金屬圖案層和第二金屬圖案層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片的不同高度上，其中，所述第一金屬圖案層設(shè)置為電連接到諸如框架的電連接構(gòu)件，設(shè)置用于封裝件的通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的路徑的在豎直方向上的電連接。

Fan out semiconductor package

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
扇出型半導(dǎo)體封裝件本申請要求于2018年11月16日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0141648號(hào)韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過整體引用被包含于此。
本公開涉及一種半導(dǎo)體封裝件，例如，扇出型半導(dǎo)體封裝件。
技術(shù)介紹
近年來與半導(dǎo)體芯片相關(guān)的技術(shù)開發(fā)中的主要趨勢之一是減小組件的尺寸。因此，在封裝領(lǐng)域中，根據(jù)隨著對小型半導(dǎo)體芯片等的需求的激增，需要實(shí)現(xiàn)大量的具有小尺寸的引腳。為了滿足這種需求，提出的半導(dǎo)體封裝件技術(shù)中的一種是扇出型半導(dǎo)體封裝件。扇出型半導(dǎo)體封裝件可將電連接結(jié)構(gòu)重新分布在其中設(shè)置有半導(dǎo)體芯片的區(qū)域之外，從而能夠在保持小尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)大量引腳。另一方面，近來，為了改善高端智能手機(jī)產(chǎn)品的電特性并有效利用空間，并且應(yīng)用包括不同半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體封裝件的層疊封裝(POP)，需要在半導(dǎo)體封裝件結(jié)構(gòu)中形成背側(cè)電路，并且對背側(cè)電路的線和空間的需求根據(jù)芯片特性的增強(qiáng)和面積減小的需求而不斷增加。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本公開的一方面在于提供一種扇出型半導(dǎo)體封裝件，該扇出型半導(dǎo)體封裝件具有背側(cè)電路，能夠應(yīng)用于層疊封裝(POP)結(jié)構(gòu)，能夠確保優(yōu)異的信號(hào)和功率特性，并且還能夠確保產(chǎn)品的輕量化、纖薄化、縮短化和緊湊性。本公開的一方面在于提供設(shè)置在封裝件的背側(cè)上的不同高度上的第一金屬圖案層和第二金屬圖案層，其中，所述第一金屬圖案層設(shè)置為電連接到諸如框架的電連接構(gòu)件，設(shè)置用于封裝件的通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的路徑的在豎直方向上的電連接。根據(jù)本公開的一方面，一種扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：框架，具有通孔并且包括一個(gè)或更多個(gè)布線層；半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述通孔中；連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)的下方，并且包括一個(gè)或更多個(gè)重新分布層；包封劑，覆蓋所述框架和所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)的上表面，并且填充所述框架的所述通孔的壁表面和所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面之間的空間；第一金屬圖案層，設(shè)置在所述包封劑的上表面上；絕緣材料，設(shè)置在所述包封劑的上表面上并覆蓋所述第一金屬圖案層；以及第二金屬圖案層，設(shè)置在所述絕緣材料的上表面上，其中，所述第一金屬圖案層位于所述第二金屬圖案層的下表面和所述框架的所述布線層之中的最上面的布線層的上表面之間的高度上，并且所述第一金屬圖案層通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的路徑電連接到所述最上面的布線層。根據(jù)本公開的另一方面，一種扇出型半導(dǎo)體封裝件包括：連接結(jié)構(gòu)，包括一個(gè)或更多個(gè)重新分布層；半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述連接結(jié)構(gòu)上，并具有電連接到所述重新分布層的連接墊；電連接構(gòu)件，設(shè)置在所述連接結(jié)構(gòu)上，并電連接到所述重新分布層以提供豎直電連接路徑；包封劑，設(shè)置在所述連接結(jié)構(gòu)上并且覆蓋所述半導(dǎo)體芯片和所述電連接構(gòu)件中的每個(gè)的至少一部分；第一金屬圖案層，設(shè)置在所述包封劑上；絕緣材料，設(shè)置在所述包封劑上并覆蓋所述第一金屬圖案層；以及第二金屬圖案層，設(shè)置在所述絕緣材料上，其中，所述第一金屬圖案層位于所述第二金屬圖案層的下表面和所述電連接構(gòu)件的上表面之間的高度上，并且所述第一金屬圖案層通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的路徑電連接到所述電連接構(gòu)件。附圖說明通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的以上和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，在附圖中：圖1是示出電子裝置系統(tǒng)的示例的示意性框圖；圖2是示出電子裝置的示例的示意性透視圖；圖3A和圖3B是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件在被封裝之前和在被封裝之后的狀態(tài)的示意性剖視圖；圖4是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件的封裝工藝的示意性剖視圖；圖5是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件安裝在印刷電路板上并最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性剖視圖；圖6是示出扇入型半導(dǎo)體封裝件嵌入在印刷電路板中并最終安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性剖視圖；圖7是示出扇出型半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖；圖8是示出扇出型半導(dǎo)體封裝件安裝在電子裝置的主板上的情況的示意性剖視圖；圖9是示出扇出型半導(dǎo)體封裝件的示例的示意性剖視圖；圖10至圖13是示出圖9的扇出型半導(dǎo)體封裝件的示例制造過程的示意圖；并且圖14示意性示出了扇出型半導(dǎo)體封裝件的另一示例。具體實(shí)施方式在下文中，將參照附圖如下描述本公開的實(shí)施例。為清楚起見，可夸大或減小附圖中的元件的形狀和尺寸。電子裝置圖1是示意性地示出電子裝置系統(tǒng)的示例的框圖。參照附圖，電子裝置1000可包括主板1010。主板1010可物理連接和/或電連接到芯片相關(guān)組件1020、網(wǎng)絡(luò)相關(guān)組件1030和其它組件1040。它們還可通過各種信號(hào)線1090與以下將描述的其它組件組合。芯片相關(guān)組件1020可包括：存儲(chǔ)器芯片，諸如易失性存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(例如，ROM)、閃存等；應(yīng)用處理器芯片，諸如中央處理器(例如，CPU)、圖形處理器(例如，GPU)、數(shù)字信號(hào)處理器、密碼處理器、微處理器、微控制器等；邏輯芯片等，諸如模數(shù)轉(zhuǎn)換器、專用IC(ASIC)等，但不限于此，并且可包括其它類型的芯片相關(guān)組件。芯片相關(guān)組件1020可彼此組合。網(wǎng)絡(luò)相關(guān)組件1030可包括Wi-Fi(IEEE802.11族等)、WiMAX(IEEE802.16族等)、IEEE802.20、長期演進(jìn)LTE、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPS、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍(lán)牙、3G、4G、5G、無線LAN以及如之后指定的任意其它無線協(xié)議和有線協(xié)議，但不限于此，并且可進(jìn)一步包括任意其它各種無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議或者有線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議。網(wǎng)絡(luò)相關(guān)組件1030也可與芯片相關(guān)組件1020組合。其它組件1040可包括高頻電感器、鐵氧體電感器、功率電感器、鐵氧體磁珠、低溫共燒陶瓷(LTCC)、電磁干擾(EMI)濾波器、多層陶瓷電容器(MLCC)，但不限于此，并且可包括用于各種其它目的的其它無源組件。其它組件1040除了可與芯片相關(guān)組件1020和/或網(wǎng)絡(luò)相關(guān)組件1030組合之外，還可彼此組合。根據(jù)電子裝置1000的類型，電子裝置1000可包括可物理連接和/或電連接到主板1010或者可不物理連接和/或電連接到主板1010的其它組件。其它組件可包括例如相機(jī)1050、天線1060、顯示器1070、電池1080、音頻編解碼器(未示出)、視頻編解碼器(未示出)、功率放大器(未示出)、指南針(未示出)、加速計(jì)(未示出)、陀螺儀(未示出)、揚(yáng)聲器(未示出)、大容量存儲(chǔ)裝置(例如，硬盤驅(qū)動(dòng)器)(未示出)、光盤(CD)(未示出)和數(shù)字通用光盤(DVD)(未示出)等，但不限于此，并且根據(jù)電子裝置1000的類型，可包括用于各種目的的其它組件。電子裝置1000可以是智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)、監(jiān)視器、平板計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、電視機(jī)、視頻游戲機(jī)、智能手表、汽車組件等，但不限于此，并且可以是處理數(shù)據(jù)的任意其它電子裝置。圖2是示意性地示出電子裝置的示本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種扇出型半導(dǎo)體封裝件，包括：/n框架，具有通孔并且包括一個(gè)或更多個(gè)布線層；/n半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述通孔中；/n連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)的下方，并且包括一個(gè)或更多個(gè)重新分布層；/n包封劑，覆蓋所述框架和所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)的上表面，并且填充所述框架的所述通孔的壁表面和所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面之間的空間；/n第一金屬圖案層，設(shè)置在所述包封劑的上表面上；/n絕緣材料，設(shè)置在所述包封劑的上表面上并覆蓋所述第一金屬圖案層；以及/n第二金屬圖案層，設(shè)置在所述絕緣材料的上表面上，/n其中，所述第一金屬圖案層位于所述第二金屬圖案層的下表面和所述框架的所述布線層之中的最上面的布線層的上表面之間的高度上，并且/n所述第一金屬圖案層通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的路徑電連接到所述最上面的布線層。/n

【技術(shù)特征摘要】
20181116 KR 10-2018-01416481.一種扇出型半導(dǎo)體封裝件，包括：
框架，具有通孔并且包括一個(gè)或更多個(gè)布線層；
半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述框架的所述通孔中；
連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述框架和所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)的下方，并且包括一個(gè)或更多個(gè)重新分布層；
包封劑，覆蓋所述框架和所述半導(dǎo)體芯片中的每個(gè)的上表面，并且填充所述框架的所述通孔的壁表面和所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)表面之間的空間；
第一金屬圖案層，設(shè)置在所述包封劑的上表面上；
絕緣材料，設(shè)置在所述包封劑的上表面上并覆蓋所述第一金屬圖案層；以及
第二金屬圖案層，設(shè)置在所述絕緣材料的上表面上，
其中，所述第一金屬圖案層位于所述第二金屬圖案層的下表面和所述框架的所述布線層之中的最上面的布線層的上表面之間的高度上，并且
所述第一金屬圖案層通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的路徑電連接到所述最上面的布線層。


2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，所述扇出型半導(dǎo)體封裝件還包括：
第一金屬過孔，穿過所述絕緣材料并且使所述第一金屬圖案層和所述第二金屬圖案層電連接；以及
第二金屬過孔，穿過所述絕緣材料和所述包封劑并且使所述第二金屬圖案層和所述最上面的布線層電連接，
其中，所述路徑依次穿過所述第一金屬過孔、所述第二金屬圖案層和所述第二金屬過孔或者依次穿過所述第二金屬過孔、所述第二金屬圖案層和所述第一金屬過孔。


3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，在所述第一金屬圖案層和所述最上面的布線層之間不存在使所述第一金屬圖案層和所述最上面的布線層直接連接的金屬過孔。


4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二金屬過孔高于所述第一金屬過孔。


5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一金屬圖案層比所述最上面的布線層薄。


6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一金屬圖案層比所述第二金屬圖案層薄。


7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第二金屬圖案層比所述最上面的布線層薄。


8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一金屬圖案層包括接地圖案，而不包括信號(hào)圖案，
所述第二金屬圖案層包括接地圖案和信號(hào)圖案，并且
所述最上面的布線層包括接地圖案和信號(hào)圖案。


9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一金屬圖案層的接地圖案通過經(jīng)過所述第二金屬圖案層的接地圖案的路徑電連接到所述最上面的布線層的接地圖案。


10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述第一金屬圖案層的覆蓋所述包封劑的上表面的平面區(qū)域大于所述第二金屬圖案層的覆蓋所述絕緣材料的上表面的平面區(qū)域。


11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝件，其中，所述半導(dǎo)體芯片具有其上設(shè)置有電連接到所述重新分布層的連接墊的有效表面和與所述有效表面相對的無效表面，并且
所述有效表面與所述連接結(jié)構(gòu)接觸。


12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型半導(dǎo)體封裝...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金俊成，李斗煥，樸振嫙，
申請(專利權(quán))人：三星電子株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：韓國;KR