半導體封裝結構制造技術

本發明專利技術實施例公開了一種半導體封裝結構，包括：重分布層結構，其中該重分布層結構包括：導電跡線；以及重分布層接觸墊，電性耦接至該導電跡線；其中，該重分布層接觸墊，由對稱部分和連接至該對稱部分的延伸翼部分構成，并且第一距離不同于第二距離，該第一距離指該對稱部分的中心點與該對稱部分的邊界之間的距離，該第二距離指該對稱部分的中心點與該延伸翼部分的邊界之間的距離。本發明專利技術實施例，通過對重分布層接觸墊的改進，從而可以提高半導體封裝結構的可靠性。

Semiconductor package structure

【技術實現步驟摘要】
半導體封裝結構
本專利技術涉及半導體封裝
，特別涉及一種半導體封裝結構。
技術介紹
為了確保電子產品與通信裝置的持續微型化和多功能性，業界期望半導體封裝具有小尺寸、支持多引腳連接，高速操作以及具有高功能性。這些影響將迫使半導體封裝制造者發展扇出(fan-out)半導體封裝。但是，多功能芯片封裝的大量增加的輸入/輸出連接可能引起熱電問題，例如散熱，串擾，信號傳播延遲，RF(射頻)電路中的電磁干擾等問題。熱電問題會影響產品的可靠性和質量。因此，期待一種創新的半導體封裝結構。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術實施例提供了一種半導體封裝結構，可以提高可靠性。本專利技術實施例提供了一種半導體封裝結構，包括：重分布層結構，其中該重分布層結構包括：導電跡線和重分布層接觸墊，其中該重分布層接觸墊電性耦接至該導電跡線；其中，該重分布層接觸墊包括：對稱部分和連接至該對稱部分的延伸翼部分構成；其中，第一距離不同于第二距離，該第一距離定義為該對稱部分的中心點與該對稱部分的邊界之間的距離，該第二距離定義為該對稱部分的中心點與該延伸翼部分的邊界之間的距離。其中，該RDL結構包括：第一區域和第二區域，其中該第二區域圍繞該第一區域，并且該第一區域用于半導體晶粒設置于其上。其中，該對稱部分的形狀為：圓形、橢圓形或多邊形。其中，第一方向定義為從該對稱部分的中心點至該第一區域的中心點，第二方向定義為從該對稱部分的中心點至該延伸翼部分的邊界的中心點；當該RDL接觸墊設置在該第一區域中時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針或逆時針方向上介于0°～90°之間；或者，當該RDL接觸墊設置在該第二區域中時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針方向上介于90°～270°之間。其中，該導電跡線包括：尾部，與該對稱部分重疊并且向該重分布接觸墊外延伸。其中，第三方向定義為該導電跡線向該重分布接觸墊外延伸的方向，第四方向定義為從該對稱部分的中心點至該延伸翼部分的邊界的中心點；其中，該重分布接觸墊設置在該第一區域或第二區域內時，該第三方向和第四方向之間的角度在順時針方向上介于45°～315°之間。其中，該重分布層結構包括：相對的第一表面和第二表面；該半導體封裝結構進一步包括：模塑料，設置于該第一表面上并且圍繞該半導體晶粒，其中該模塑料接觸該第一表面位于該第二區域內的部分和該半導體晶粒；以及導電結構，設置于該第二表面上并且接觸和電性連接至該重分布層接觸墊。其中，當從平面圖觀察時，該延伸翼部分與該對稱部分的邊界部分重疊本專利技術實施例提供了一種半導體封裝結構，包括：重分布層結構，其中該重分布層結構包括：導電跡線和重分布層接觸墊，其中該重分布層接觸墊電性耦接至該導電跡線；其中，該重分布層接觸墊具有一弦，將該重分布層接觸墊劃分為第一部分和第二部分，其中該第一部分具有第一對對稱形狀的至少一半，該第二部分具有第二對稱形狀的至少一半，該第一對稱形狀不同于該第二對稱形狀。其中，該重分布層結構包括：第一區域和第二區域，其中該第二區域圍繞該第一區域，并且該第一區域用于半導體晶粒設置于其上。其中，該第一部分由該弦與連接至該弦兩相對端的第一邊界部分圍繞；該第二部分由該弦與連接至該弦兩相對端的第二邊界部分圍繞。其中，第一距離不同于第二距離，其中該第一距離定義為該弦的中心點與該第一邊界部分之間的距離，該第二距離定義為該弦的中心點與該第二邊界部分之間的距離。其中，第一方向定義為該弦的中心點至該第一區域的中心點，第二方向定義為該弦的中心點至該第二邊界部分的中心點；當該重分布層接觸墊設置在該第一區域時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針或逆時針方向上介于0°～90°之間；或者，當該重分布層接觸墊設置在該第二區域時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針方向上介于90°～270°之間。其中，該導電跡線包括：尾部，與該重分布接觸墊重疊并且向該重分布接觸墊外延伸。其中，第三方向定義為該導電跡線向該重分布接觸墊外延伸的方向，第四方向定義為從該弦的中心點至該第二邊界部分的中心點；該第三方向和第四方向之間的角度在順時針方向上介于45°～315°之間。其中，該第一對稱形狀和該第二對稱形狀包括：圓形、橢圓形或多邊形。其中，該重分布層結構包括：相對的第一表面和第二表面；該半導體封裝結構進一步包括：模塑料，設置于該第一表面上并且圍繞該半導體晶粒，其中該模塑料接觸該半導體晶粒以及該第一表面中位于該第二區域內的部分；以及導電結構，設置于該第二表面上并且接觸和電性連接至該重分布層接觸墊。本專利技術實施例的有益效果是：本專利技術實施例通過在RDL接觸墊上設置延伸翼部分，從而有助于緩解來自RDL結構上的半導體晶粒和模塑料的應力，從而搞半導體封裝結構的可靠性。附圖說明圖1為根據本專利技術一些實施例的半導體封裝結構的剖面示意圖；圖2A～2H為平面示意圖，用來顯示根據本專利技術一些實施例的RDL(RedistributionLayer，重分布層)結構中的RDL接觸墊的形狀；圖3A～3H圖為平面示意圖，用來顯示根據本專利技術一些實施例的RDL結構中的RDL接觸墊的形狀；圖4A為平面示意圖，用來顯示根據本專利技術一些實施例的RDL結構中的模塑料區中布置的RDL接觸墊的布局；圖4B為平面示意圖，用來顯示根據本專利技術一些實施例的RDL結構中的晶粒區中布置的RDL接觸墊的布局；圖5A為平面示意圖，用來顯示根據本專利技術一些實施例的RDL結構中的晶粒區中布置的RDL接觸墊與連接至該RDL接觸墊的導電跡線(conductivetrace)的布局；圖5B為平面示意圖，用來顯示根據本專利技術一些實施例的RDL結構中的模塑料區中布置的RDL接觸墊與連接至該RDL接觸墊的墊導電跡線的布局；以及圖6為根據本專利技術一些實施例的半導體封裝結構的剖面示意圖。具體實施方式以下描述為實現本專利技術的較佳預期方式。但是，此描述僅作為說明本專利技術一般原理的目的，而不意味著限制。本專利技術的范圍可參考所附的權利要求來確定。本專利技術主要涉及RDL結構中的RDL接觸墊的設計。圖1為根據本專利技術一些實施例的半導體封裝結構500a的剖面示意圖。在一些實施例中，該半導體封裝結構500a包括：FOWLP(fan-outwafer-levelsemiconductorpackage，扇出晶圓級半導體封裝)350，例如，倒裝芯片(flip-chip)半導體封裝。需要注意的是，在半導體封裝結構500a中使用的FOWLP350僅為示例而不意味著限制本專利技術。在一些實施例中，該FOWLP350包括：純SOC封裝或者混合SOC封裝(包括DRAM(DynamicRandomAccessMemory，動態隨機存取存儲器)、PMIC(PowerManagementIntegratedCircuit，電源管理集成電路)、閃存、GPS(GlobalPositioningSystem，全球本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：/n重分布層結構，其中該重分布層結構包括：導電跡線和重分布層接觸墊，其中該重分布層接觸墊電性耦接至該導電跡線；/n其中，該重分布層接觸墊包括：對稱部分和連接至該對稱部分的延伸翼部分構成；/n其中，第一距離不同于第二距離，該第一距離定義為該對稱部分的中心點與該對稱部分的邊界之間的距離，該第二距離定義為該對稱部分的中心點與該延伸翼部分的邊界之間的距離；/n該重分布層結構包括：第一區域和第二區域，其中該第二區域圍繞該第一區域，并且該第一區域用于半導體晶粒設置于其上；/n第一方向定義為從該對稱部分的中心點至該第一區域的中心點，第二方向定義為從該對稱部分的中心點至該延伸翼部分的邊界的中心點；/n當該重分布層接觸墊設置在該第一區域中時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針或逆時針方向上介于0°～90°之間；/n或者，當該重分布層接觸墊設置在該第二區域中時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針方向上介于90°～270°之間。/n

【技術特征摘要】
20160519 US 62/338,555;20170407 US 15/481,5001.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
重分布層結構，其中該重分布層結構包括：導電跡線和重分布層接觸墊，其中該重分布層接觸墊電性耦接至該導電跡線；
其中，該重分布層接觸墊包括：對稱部分和連接至該對稱部分的延伸翼部分構成；
其中，第一距離不同于第二距離，該第一距離定義為該對稱部分的中心點與該對稱部分的邊界之間的距離，該第二距離定義為該對稱部分的中心點與該延伸翼部分的邊界之間的距離；
該重分布層結構包括：第一區域和第二區域，其中該第二區域圍繞該第一區域，并且該第一區域用于半導體晶粒設置于其上；
第一方向定義為從該對稱部分的中心點至該第一區域的中心點，第二方向定義為從該對稱部分的中心點至該延伸翼部分的邊界的中心點；
當該重分布層接觸墊設置在該第一區域中時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針或逆時針方向上介于0°～90°之間；
或者，當該重分布層接觸墊設置在該第二區域中時，該第一方向和該第二方向之間的角度在順時針方向上介于90°～270°之間。


2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該對稱部分的形狀為：圓形、橢圓形或多邊形。


3.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該導電跡線包括：尾部，與該對稱部分重疊并且向該重分布層接觸墊外延伸。


4.如權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，第三方向定義為該導電跡線向該重分布層接觸墊外延伸的方向，第四方向定義為從該對稱部分的中心點至該延伸翼部分的邊界的中心點；
其中，該重分布接觸墊設置在該第一區域或第二區域內時，該第三方向和第四方向之間的角度在順時針方向上介于45°～315°之間。


5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，該重分布層結構包括：相對的第一表面和第二表面；
該半導體封裝結構進一步包括：
模塑料，設置于該第一表面上并且圍繞該半導體晶粒，其中該模塑料接觸該第一表面位于該第二區域內的部分和該半導體晶粒；以及
導電結構，設置于該第二表面上并且接觸和電性連接至該重分布層接觸墊。


6.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，當從平面圖觀察時，該延伸翼部分與該對稱部分的邊界部分重疊。

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉乃瑋，林子閎，彭逸軒，郭哲宏，周哲雅，黃偉哲，
申請(專利權)人：聯發科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71