引線框架、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法制造方法及圖紙

提供能夠在抑制外形尺寸的增大的同時提高絕緣耐壓的引線框架、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。引線框架具備芯片焊盤部、第一引線部、第二引線部以及從芯片焊盤部的角部附近向芯片焊盤部的外側延伸的延伸部。第一引線部具有第一端子部和第一引線柱部，該第一引線柱部位于比第一端子部接近芯片焊盤部的一側，與第一端子部電連接。第二引線部具有第二端子部、位于第一端子部與第二端子部之間的第三端子部以及第二引線柱部，該第二引線柱部位于比第二端子部和第三端子部接近芯片焊盤部的一側，與第二端子部及第三端子部電連接。第一引線柱部、第二引線柱部以及延伸部在芯片焊盤部的面方向中的與第一方向交叉的第二方向上并排。

Lead frame, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技術實現步驟摘要】
引線框架、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
本專利技術涉及一種引線框架、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。
技術介紹
近年來，以寬帶隙半導體為代表，能夠制造出高耐壓且高性能的半導體芯片，高耐壓的分立半導體產品正在增加。與此相伴，封裝的絕緣耐壓受到重視(例如，參照專利文獻1、2)。另外，為了提高電力變換電路的效率和使產品小型化，要求半導體產品具有低導通電阻和小型封裝。圖17和圖18是示出以往例所涉及的半導體裝置的制造方法的平面圖。圖19是示出以往例所涉及的半導體裝置的結構例的平面圖。圖20是示出以往例所涉及的半導體裝置的結構例的背面圖。如圖17所示，以往例所涉及的引線框架301包括多個要素310A、310B、310C。多個要素310A、310B、310C是分別成為1個半導體裝置300的部位。多個要素310A、310B、310C在X軸方向上并排且相鄰。下面，在不需要區分多個要素310A、310B、310C來進行說明時，將它們稱為要素310。雖然沒有進行圖示，但是在Y軸方向上也是多個要素并排且相鄰。各要素310具有安裝有半導體芯片302的芯片焊盤部319以及3個端子部311、312、313。端子部311、312、313分別在Y軸方向上延伸。另外，端子部311、312、313被配置為按此順序在X軸方向上并排。端子部312與芯片焊盤部319連接。各要素310具有第一引線柱部314和第二引線柱部315。第一引線柱部314位于芯片焊盤部319與端子部311之間，與端子部311連接。第二引線柱部315位于芯片焊盤部319與端子部313之間，與端子部313連接。芯片焊盤部319、第一引線柱部314以及第二引線柱部315相互分離。在引線框架301中，端子部312與芯片焊盤部319連接。芯片焊盤部319與端子部312相互支撐。另外，支撐部316在X軸方向上與端子部311、312、313及引線框架的框體330連接。由此，端子部311、312、313成為相互支撐并且被框體330所支撐的構造。以往例所涉及的半導體裝置300是使用例如芯片接合(diebonding)裝置、線接合(wirebonding)裝置、模制裝置等各種裝置來制造的。下面，將這些裝置稱為制造裝置。如圖17所示，通過芯片接合工序，制造裝置在引線框架301的芯片焊盤部319上搭載半導體芯片302。由此，位于半導體芯片302的反面側的漏極電極經由芯片焊盤部319來與端子部312電連接。端子部312成為半導體裝置300的漏極端子部D。下面，將端子部312也稱為漏極端子部。接著，通過線接合工序，制造裝置將第一線331的一端接合于位于半導體芯片302的正面側的柵極電極，將第一線331的另一端接合于第一引線柱部314，來將柵極電極與第一引線柱部314電連接。由此，與第一引線柱部314連接的端子部311成為半導體裝置300的柵極端子部G。下面，將端子部311也稱為柵極端子部。另外，制造裝置將第二線332的一端接合于位于半導體芯片302的正面側的源極電極，將第二線332的另一端接合于第二引線柱部315，來將源極電極與第二引線柱部315電連接。由此，與第二引線柱部315連接的端子部313成為半導體裝置300的源極端子部S。下面，將端子部313也稱為源極端子部。接著，如圖18所示，通過模制工序，制造裝置使用傳遞模塑技術來進行密封樹脂304的成型。接著，通過引線切割工序，制造裝置從引線框架301切割出各要素310。在引線切割工序中，支撐部316被切斷。接著，通過賦形(forming)工序，制造裝置使柵極端子部311和源極端子部313成形并將它們加工為與最終產品相同的形狀。由此，半導體裝置300完成。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2016-134492號公報專利文獻2：日本特開2011-129875號公報
技術實現思路
專利技術要解決的問題在MOSFET等半導體芯片中，柵極與源極之間的絕緣耐壓被設計為30V左右的情況居多。在漏極耐壓被設計為30V以上的情況下，施加于半導體裝置300的電壓中最高的電壓為漏極電壓。另外，密封樹脂304的絕緣耐壓相對于空氣的絕緣耐壓而言非常高。因此，封裝的絕緣耐壓由從密封樹脂304露出的柵極端子部311與漏極端子部312之間的距離L11或者從密封樹脂304露出的漏極端子部312與源極端子部313之間的距離L12決定。在半導體裝置300中，為了提高封裝的絕緣耐壓，擴大距離L11、L12是有效的。然而，半導體裝置300的漏極端子部312位于柵極端子部311與源極端子部313之間。因此，當以擴大柵極端子部311與漏極端子部312之間的距離L11、漏極端子部312與源極端子部313之間的距離L12的方式對半導體裝置300進行設計變更時，半導體裝置300的外形尺寸會增大。當半導體裝置的外形尺寸增大時，存在以下可能性：外形尺寸偏離于規定的標準，半導體裝置喪失通用性。另外，當半導體裝置的外形尺寸增大時，還存在以下可能性：需要對安裝半導體裝置的一側的電路基板的設計進行變更。并且，當半導體裝置的外形尺寸增大時，還存在以下可能性：需要變更制造工序，半導體裝置的生產率下降或者制造成本增加。本專利技術是著眼于上述問題而完成的，其目的在于提供在抑制外形尺寸的增大的同時能夠提高絕緣耐壓的引線框架、半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。用于解決問題的方案本專利技術的一個方式所涉及的引線框架具備：芯片焊盤部，其具有正面；第一引線部，其與芯片焊盤部相離地配置，在與芯片焊盤部的正面平行的第一方向上延伸；第二引線部，其與芯片焊盤部及第一引線部相離地配置，在第一方向上延伸；以及延伸部，其在與芯片焊盤部的正面平行的方向上從芯片焊盤部的角部附近向芯片焊盤部的外側延伸。第一引線部具有第一端子部和第一引線柱部，該第一引線柱部位于比第一端子部接近芯片焊盤部的一側，與第一端子部電連接。第二引線部具有第二端子部、位于第一端子部與第二端子部之間的第三端子部以及第二引線柱部，該第二引線柱部位于比第二端子部及第三端子部接近芯片焊盤部的一側，與第二端子部及第三端子部電連接。第一引線柱部、第二引線柱部以及延伸部在與芯片焊盤部的正面平行的第二方向上并排。第二方向與第一方向交叉。本專利技術的一個方式所涉及的半導體裝置具備：引線框架；以及半導體芯片，其具有第一面以及位于第一面的相反側的第二面，在第一面側具有第一電極和第二電極，在第二面側具有第三電極。引線框架具備：芯片焊盤部，其具有正面，半導體芯片安裝于所述正面側，所述芯片焊盤部與第三電極電連接；第一引線部，其與芯片焊盤部相離地配置，在與芯片焊盤部的正面平行的第一方向上延伸；第二引線部，其與芯片焊盤部及第一引線部相離地配置，在第一方向上延伸；以及第一延伸部，其在與芯片焊盤部的正面平行的方向上從芯片焊盤部的角部附近向芯片焊盤部的外側延伸。第一引線部具有第一端子部和第一引線柱部，該第一引線柱部位于比第一端子部接近芯片焊盤部的一側，與第一端本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種引線框架，具備：/n芯片焊盤部，其具有正面；/n第一引線部，其與所述芯片焊盤部相離地配置，在與所述芯片焊盤部的正面平行的第一方向上延伸；/n第二引線部，其與所述芯片焊盤部及所述第一引線部相離地配置，在所述第一方向上延伸；以及/n延伸部，其在與所述芯片焊盤部的正面平行的方向上從所述芯片焊盤部的角部附近向所述芯片焊盤部的外側延伸，/n其中，所述第一引線部具有：/n第一端子部；以及/n第一引線柱部，其位于比所述第一端子部接近所述芯片焊盤部的一側，與所述第一端子部電連接，/n所述第二引線部具有：/n第二端子部；/n第三端子部，其位于所述第一端子部與所述第二端子部之間；以及/n第二引線柱部，其位于比所述第二端子部及所述第三端子部接近所述芯片焊盤部的一側，與所述第二端子部及所述第三端子部電連接，/n所述第一引線柱部、所述第二引線柱部以及所述延伸部在與所述芯片焊盤部的正面平行的第二方向上并排，/n所述第二方向與所述第一方向交叉。/n

【技術特征摘要】
20181116 JP 2018-2154331.一種引線框架，具備：
芯片焊盤部，其具有正面；
第一引線部，其與所述芯片焊盤部相離地配置，在與所述芯片焊盤部的正面平行的第一方向上延伸；
第二引線部，其與所述芯片焊盤部及所述第一引線部相離地配置，在所述第一方向上延伸；以及
延伸部，其在與所述芯片焊盤部的正面平行的方向上從所述芯片焊盤部的角部附近向所述芯片焊盤部的外側延伸，
其中，所述第一引線部具有：
第一端子部；以及
第一引線柱部，其位于比所述第一端子部接近所述芯片焊盤部的一側，與所述第一端子部電連接，
所述第二引線部具有：
第二端子部；
第三端子部，其位于所述第一端子部與所述第二端子部之間；以及
第二引線柱部，其位于比所述第二端子部及所述第三端子部接近所述芯片焊盤部的一側，與所述第二端子部及所述第三端子部電連接，
所述第一引線柱部、所述第二引線柱部以及所述延伸部在與所述芯片焊盤部的正面平行的第二方向上并排，
所述第二方向與所述第一方向交叉。


2.根據權利要求1所述的引線框架，其特征在于，
所述引線框架包括在第二方向上并排且相鄰的第一要素和第二要素，
所述第一要素和第二要素各自具備所述芯片焊盤部、所述第一引線部、所述第二引線部以及所述延伸部，
所述第一要素的所述延伸部與所述第二要素的所述第二引線柱部連接。


3.一種半導體裝置，具備：
引線框架；以及
半導體芯片，其具有第一面以及位于所述第一面的相反側的第二面，在所述第一面側具有第一電極和第二電極，在所述第二面側具有第三電極，
其中，所述引線框架具備：
芯片焊盤部，其具有正面，所述半導體芯片安裝于所述正面側，所述芯片焊盤部與所述第三電極電連接；
第一引線部，其與所述芯片焊盤部相離地配置，在與所述芯片焊盤部的正面平行的第一方向上延伸；
第二引線部，其與所述芯片焊盤部及所述第一引線部相離地配置，在所述第一方向上延伸；以及
第一延伸部，其在與所述芯片焊盤部的正面平行的方向上從所述芯片焊盤部的角部附近向所述芯片焊盤部的外側延伸，
所述第一引線部具有：
第一端子部；以及
第一引線柱部，其位于比所述第一端子部接近所述芯片焊盤部的一側，與所述第一端子部電連接，
所述第二引線部具有：
第二端子部；
第三端子部，其位于所述第一端子部與所述第二端子部之間；以及
第二引線柱部，其位于比所述第二端子部及所述第三端子部接近所述芯片焊盤部的一側，與所述第二端子部及所述第三端子部電連接，
所述第一引線柱部、所述第二引線柱部以及所述第一延伸部在與所述芯片焊盤部的正面平行的第二方向上并排，
所述第二方向與所述第一方向交叉。


4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：
第一線，其將所述第一電極與所述第一引線柱部電連接；
第二線，其將所述第二電極與所述第二引線柱部電連接；以及
密封樹脂，其覆蓋并密封所述半導體芯片、所述第一引線柱部、所述第二引線柱部、所述第一線以及所述第二線，
其中，所述芯片焊盤部的位于正面的相反側的反面從所述密封樹脂露出。


5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
在將所述第一端子部與所述第三端子部之間的距離設為L1、將所述第二端子部與所述第三端子部之間的距離設為L2、將從所述芯片焊盤部的反面的從所述密封樹脂露出的部分到所述第一端子部、所述第二端子部或者所述第三端子部的最短距離設為L3時，L3>L1且L3>L2成立。


6.根據權利要求4或5所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第一延伸部被所述密封樹脂覆蓋并密封。


7.根據權利要求4或5所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第一延伸部從所述密封樹脂露出，
在將所述第一端子部與所述第三端子部之間的距離設為L1、將所述第二端子部與所述第三端子...

【專利技術屬性】
技術研發人員：田平景輔，中村賢平，松瀬充明，降旗博明，
申請(專利權)人：富士電機株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP