一種高絕緣型引線框架及塑封方法技術

本發明專利技術公開了一種高絕緣型引線框架，包括主架體，所述主架體呈工字形，所述主架體上設置有對稱布設的至少八組副架體，所述主架體和副架體之間通過連桿設置有載板，所述載板上嵌入式安裝有載片臺，所述載板上焊接有第一引線，所述主架體和副架體上均設置有絕緣框體。本發明專利技術還提供了一種高絕緣型引線框架的塑封方法。本發明專利技術提供的一種高絕緣型引線框架通過設置第一引線和第二引線方便與外引線的連接，通過絕緣聚合物層、氧化鋁絕緣層和電鍍陶瓷層組成的絕緣框體可保證該引線框體良好的絕緣性，本發明專利技術提供的一種高絕緣型引線框架的塑封方法采用浸入方式，不需要高壓，提高了封裝良率，塑封效果好，良品率高。

A high insulation lead frame and its plastic sealing method

【技術實現步驟摘要】
一種高絕緣型引線框架及塑封方法
本專利技術屬于引線框架
，具體涉及一種高絕緣型引線框架及塑封方法。
技術介紹
引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料。現有的引線框架不方便連接外引線，且外層均設置一層絕緣層，若絕緣層破損，可能會發生漏電，影響引線框架的使用，且現有的引線框架的塑封方法大都采用加壓注塑法，高壓可能會導致引線框架被沖倒或焊接電路斷裂的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種高絕緣型引線框架及塑封方法，以解決上述
技術介紹
中提出的問題。為實現上述目的，本專利技術采用了如下技術方案：一種高絕緣型引線框架，包括主架體，所述主架體呈工字形，所述主架體上設置有對稱布設的至少八組副架體，所述主架體和副架體之間通過連桿設置有載板，所述載板上嵌入式安裝有載片臺，所述載板上焊接有第一引線，所述第一引線的左右兩側通過連接筋設置有兩組第二引線，所述主架體和副架體上均設置有絕緣框體，所述絕緣框體包括絕緣聚合物層、氧化鋁絕緣層和電鍍陶瓷層，所述絕緣聚合物層設置在主架體和副架體的外側，所述氧化鋁絕緣層設置在絕緣聚合物層的外側，所述電鍍陶瓷層設置在氧化鋁絕緣層。較佳地，所述載片臺上設置有兩組對稱布設的限位卡塊。較佳地，所述載板上開設有散熱孔，所述散熱孔對稱設置在載片臺的左右兩側。較佳地，所述連桿點焊在主架體、副架體和載板上。較佳地，所述主架體、副架體和載板上均開設有定位孔。較佳地，所述第一引線和第二引線的端頭上均設置有連接壓片。較佳地，所述絕緣聚合物層、氧化鋁絕緣層和電鍍陶瓷層的厚度分別為20-30μm、50-80μm和30-50μm。本專利技術還提供了一種高絕緣型引線框架的塑封方法，包括以下步驟：S1、將半導體芯片安裝在引線框架上的載片臺上；S2、用電漿清洗引線框架及半導體芯片，同時取塑封料粉進行回溫；S3、將安裝有半導體芯片的引線框架的背面，利用真空壓力吸附于模壓腔體的上模，已安裝有半導體芯片的引線框架倒貼于上模體，上模與下模保持一定距離；S4、向下模槽內均勻填撒經過回溫的塑封料粉；S5、使下模位于密封墻內，加熱至150-200℃，使下模內塑封料粉中有機樹脂從固體完全融化為液體；S6、抽取上下模內氣體至真空狀態；S7、上下腔體相向移動，使引線框架逐步浸入下模內流體塑封料內，直至上下模完全壓合后，腔內溫度設置為150-180℃，并保持50-70s；S8、上下模壓合狀態下降溫固化塑封料，完成再結晶過程；S9、關閉腔內吸真空，退出已塑封的引線框架；S10、對引線框架進行烘烤，烘烤溫度為85-125℃，烘烤時間為24-72h，即完成對該高絕緣型引線框架的塑封。較佳地，所述S2中的電漿為95％氬氣與5％氧氣的組合氣體。較佳地，所述S2中塑封料粉回溫時間為4-6h。本專利技術的技術效果和優點：本專利技術提出的一種高絕緣型引線框架及塑封方法，與現有技術相比，具有以下優點：本專利技術提供的一種高絕緣型引線框架通過設置第一引線和第二引線方便與外引線的連接，同時，連接筋設置有至少兩組，保證第一引線和第二引線的連接強度，通過絕緣聚合物層、氧化鋁絕緣層和電鍍陶瓷層組成的絕緣框體可保證該引線框體良好的絕緣性，本專利技術提供的一種高絕緣型引線框架的塑封方法采用浸入方式，不需要高壓，提高了封裝良率，塑封效果好，良品率高。附圖說明圖1為本專利技術的結構示意圖；圖2為本專利技術的圖1中A處放大示意圖；圖3為本專利技術的載片臺的結構示意圖；圖4為本專利技術的絕緣框體的剖視示意圖；圖5為本專利技術的塑封方法的流程圖。圖中：1、主架體；2、副架體；3、連桿；4、載板；5、載片臺；6、第一引線；7、連接筋；8、第二引線；9、絕緣框體；901、絕緣聚合物層；902、氧化鋁絕緣層；903、電鍍陶瓷層；10、限位卡塊；11、散熱孔；12、定位孔；13、連接壓片。具體實施方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不用于限定本專利技術。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。本專利技術提供了如圖1-4所示的一種高絕緣型引線框架，包括主架體1，所述主架體1呈工字形，所述主架體1上設置有對稱布設的至少八組副架體2，所述主架體1和副架體2之間通過連桿3設置有載板4，所述載板4上嵌入式安裝有載片臺5，所述載板4上焊接有第一引線6，所述第一引線6的左右兩側通過連接筋7設置有兩組第二引線8，所述主架體1和副架體2上均設置有絕緣框體9，所述絕緣框體9包括絕緣聚合物層901、氧化鋁絕緣層902和電鍍陶瓷層903，所述絕緣聚合物層901設置在主架體1和副架體2的外側，所述氧化鋁絕緣層902設置在絕緣聚合物層901的外側，所述電鍍陶瓷層903設置在氧化鋁絕緣層902。較佳地，所述載片臺5上設置有兩組對稱布設的限位卡塊10。通過采用上述技術方案，限位卡塊10可將半導體芯片卡住，不必進行焊接，提高了半導體芯片的安裝效率。較佳地，所述載板4上開設有散熱孔11，所述散熱孔11對稱設置在載片臺5的左右兩側。通過采用上述技術方案，散熱孔11可提高散熱效率。較佳地，所述連桿3點焊在主架體1、副架體2和載板4上。通過采用上述技術方案，方便載板4的分離。較佳地，所述主架體1、副架體2和載板4上均開設有定位孔12。通過采用上述技術方案，定位孔12方便進行定位較佳地，所述第一引線6和第二引線8的端頭上均設置有連接壓片13。通過采用上述技術方案，連接壓片13方便連接外引線。較佳地，所述絕緣聚合物層901、氧化鋁絕緣層902和電鍍陶瓷層903的厚度分別為20-30μm、50-80μm和30-50μm。通過采用上述技術方案，保證良好的絕緣性能。本專利技術還提供了如圖5所示的一種高絕緣型引線框架的塑封方法，包括以下步驟：S1、將半導體芯片安裝在引線框架上的載片臺上；S2、用電漿清洗引線框架及半導體芯片，同時取塑封料粉進行回溫；S3、將安裝有半導體芯片的引線框架的背面，利用真空壓力吸附于模壓腔體的上模，已安裝有半導體芯片的引線框架倒貼于上模體，上模與下模保持一定距離；S4、向下模槽內均勻填撒經過回溫的塑封料粉；S5、使下模位于密封墻內，加熱至150℃，使下模內塑封料粉中有機樹脂從固體完全融化為液體；S6、抽取上下模內氣體至真空狀態；...

【技術保護點】
1.一種高絕緣型引線框架，包括主架體(1)，其特征在于：所述主架體(1)呈工字形，所述主架體(1)上設置有對稱布設的至少八組副架體(2)，所述主架體(1)和副架體(2)之間通過連桿(3)設置有載板(4)，所述載板(4)上嵌入式安裝有載片臺(5)，所述載板(4)上焊接有第一引線(6)，所述第一引線(6)的左右兩側通過連接筋(7)設置有兩組第二引線(8)，所述主架體(1)和副架體(2)上均設置有絕緣框體(9)，所述絕緣框體(9)包括絕緣聚合物層(901)、氧化鋁絕緣層(902)和電鍍陶瓷層(903)，所述絕緣聚合物層(901)設置在主架體(1)和副架體(2)的外側，所述氧化鋁絕緣層(902)設置在絕緣聚合物層(901)的外側，所述電鍍陶瓷層(903)設置在氧化鋁絕緣層(902)。/n

【技術特征摘要】
1.一種高絕緣型引線框架，包括主架體(1)，其特征在于：所述主架體(1)呈工字形，所述主架體(1)上設置有對稱布設的至少八組副架體(2)，所述主架體(1)和副架體(2)之間通過連桿(3)設置有載板(4)，所述載板(4)上嵌入式安裝有載片臺(5)，所述載板(4)上焊接有第一引線(6)，所述第一引線(6)的左右兩側通過連接筋(7)設置有兩組第二引線(8)，所述主架體(1)和副架體(2)上均設置有絕緣框體(9)，所述絕緣框體(9)包括絕緣聚合物層(901)、氧化鋁絕緣層(902)和電鍍陶瓷層(903)，所述絕緣聚合物層(901)設置在主架體(1)和副架體(2)的外側，所述氧化鋁絕緣層(902)設置在絕緣聚合物層(901)的外側，所述電鍍陶瓷層(903)設置在氧化鋁絕緣層(902)。


2.根據權利要求1所述的一種高絕緣型引線框架，其特征在于：所述載片臺(5)上設置有兩組對稱布設的限位卡塊(10)。


3.根據權利要求1所述的一種高絕緣型引線框架，其特征在于：所述載板(4)上開設有散熱孔(11)，所述散熱孔(11)對稱設置在載片臺(5)的左右兩側。


4.根據權利要求1所述的一種高絕緣型引線框架，其特征在于：所述連桿(3)點焊在主架體(1)、副架體(2)和載板(4)上。


5.根據權利要求1所述的一種高絕緣型引線框架，其特征在于：所述主架體(1)、副架體(2)和載板(4)上均開設有定位孔(12)。


6.根據權利要求1所述的一種高絕緣型引線框架，其特征在于：所述第一引線(6)和第二引線(8)的端頭上均設置有連接壓片(13)。<...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張軒，
申請(專利權)人：泰州友潤電子科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32