The invention provides a grounding structure of a microwave monolithic integrated circuit and its installation process, which relates to the field of microwave monolithic integrated circuit. The structure includes MMIC chip, metal cavity, circuit board and DC needle, welding between DC needle and metal cavity, welding between DC needle and circuit board, and the metal cavity is provided with a sinking hole one, a circular channel and two sinking holes in turn on the side close to the circuit board. The center of the sinking hole 1, channel and sinking hole 2 is located on the same axis. The sinking hole 1, channel and sinking hole 2 jointly connect the inside and outside of the metal cavity, forming a step 1 between sinking hole 1 and channel, and a step 2 between sinking hole 2 and channel; DC needle includes needle and needle body, step 1 can limit needle position, and solder filling zone between sinking hole 1 inner wall and needle is formed. A positioning gasket is arranged in the sinking hole 2, and a through hole is arranged in the center of the positioning gasket for the needle body to pass through. The invention solves the problem that the DC needle can not be correctly and rapidly aligned with the circuit board when there are more DC needles.
【技術實現步驟摘要】
一種微波單片集成電路接地結構及其安裝工藝
本專利技術涉及微波單片集成電路領域,尤其涉及一種微波單片集成電路接地結構及其安裝工藝。
技術介紹
基礎單模塊的功放芯片MMIC(即微波單片集成電路)主電源供電和負壓偏置分別是從調制電路板加入,其中有主電源+VCC輸入、-2V電源輸入和GND公共地。MMIC芯片需要安裝在一個能夠傳播電磁波的空腔內,此空腔的表面為金屬層(或者整個空腔都是采用金屬,下面,將此空腔稱作金屬空腔)。金屬空腔設置在調制電路板上,MMIC芯片設置在金屬空腔內部,且通過金屬腔體與調制電路板連接。MMIC芯片通過銀膠直接粘結在金屬腔體上,金屬腔體外部再使用銀膠與調制電路板外露鍍金底層粘結在一起,使電路板地(GND)與MMIC芯片地通過金屬腔體形成電源地通路。每個MMIC芯片工作在低電壓大電流狀態時,印制板松動時接地不良時,粘結處的電阻增大,相當于在地線回路上等效串聯了一只分壓電阻,將會導致MMIC芯片的電源電壓降低,從而影響MMIC功率降低;印制板接地粘結不良將造成粘結處電阻時大時小,不僅模塊功率降低,而且會造成MMIC芯片電源電壓高低波動,形成紋波電壓,則會導致模塊散譜現象,使得整機雜散大;MMIC芯片接地不良還會造成MMIC柵負壓波動不穩定,這不僅會造成芯片工作狀態不穩定,使輸出雜散增大,而且嚴重者會損壞MMIC芯片,使得整機功率降低。為解決上述問題,目前的方法是采用螺釘固定電路板的方法,此方法中調制電路板地與金屬腔體地之間壓接的方法。此方法中主要是通過螺釘固定電路板,讓電路板底層露出的鍍金層與金屬腔體緊密接觸而形成地回路。但是,受模塊金屬腔體 ...
【技術保護點】
1.一種微波單片集成電路接地結構,其特征在于,包括MMIC芯片(1)、金屬腔體(2)、電路板(3)和DC針(4),DC針(4)與金屬腔體(2)之間焊接,DC針(4)與電路板(3)之間焊接;所述金屬腔體(2)靠近電路板(3)的一側設有依次貫通的沉孔一(5)、圓形通道(6)和沉孔二(7),沉孔一(5)、通道(6)、沉孔二(7)共同將金屬腔體(2)內部和外部貫通,沉孔一(5)和沉孔二(7)的直徑均大于通道(6)的直徑,沉孔一(5)與通道(6)之間形成臺階一(8),沉孔二(7)與通道(6)之間形成臺階二(9);DC針(4)包括針頭(4a)和針身(4b),臺階一(8)能夠對針頭(4a)進行限位,沉孔一(5)內壁與針頭(4a)之間形成焊料填充區(10);沉孔二(7)內設有定位墊片(11),定位墊片(11)中央設有用于針身(4b)通過的通孔(11a),通孔(11a)的直徑大于針身(4b)直徑0.1?0.2mm。
【技術特征摘要】
1.一種微波單片集成電路接地結構,其特征在于,包括MMIC芯片(1)、金屬腔體(2)、電路板(3)和DC針(4),DC針(4)與金屬腔體(2)之間焊接,DC針(4)與電路板(3)之間焊接;所述金屬腔體(2)靠近電路板(3)的一側設有依次貫通的沉孔一(5)、圓形通道(6)和沉孔二(7),沉孔一(5)、通道(6)、沉孔二(7)共同將金屬腔體(2)內部和外部貫通,沉孔一(5)和沉孔二(7)的直徑均大于通道(6)的直徑,沉孔一(5)與通道(6)之間形成臺階一(8),沉孔二(7)與通道(6)之間形成臺階二(9);DC針(4)包括針頭(4a)和針身(4b),臺階一(8)能夠對針頭(4a)進行限位,沉孔一(5)內壁與針頭(4a)之間形成焊料填充區(10);沉孔二(7)內設有定位墊片(11),定位墊片(11)中央設有用于針身(4b)通過的通孔(11a),通孔(11a)的直徑大于針身(4b)直徑0.1-0.2mm。2.根據權利要求1所述的一種微波單片集成電路接地結構,其特征在于,所述通道(6)的直徑為所述針身(4b)直徑的兩倍或兩倍以上。3.根據權利要求1所述的一種微波單片集成電路接地結構,其特征在于,所屬金屬腔體(2)為表面涂覆金屬層的腔體。4.根據權利要求1所述的一種微波單片集成電路接地結構,其特征在于,所述定位墊片(11)的外徑比沉孔二(7)的直徑小0.1-0.2mm。5.一種微波單片集成電路接地結構的安裝工藝,所述結構的金屬腔體(2)包括底部和頂部,其特征在于,所述安裝工藝包括如下步驟:步驟1:在金屬腔體(2)的底部上需要安裝DC針(4)處制...
【專利技術屬性】
技術研發人員:姜世君,
申請(專利權)人:成都天箭科技股份有限公司,
類型:發明
國別省市:四川,51
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