一種銳角金屬圖形剝離方法技術

本發明專利技術涉及半導體制作技術領域，具體涉及一種銳角金屬圖形剝離方法，包括以下步驟：S1、在銳角缺損的金屬圖形上涂覆聚酰亞胺層并烘干；S2、在所述聚酰亞胺層上涂覆光刻膠，采用光刻顯影定義出聚酰亞胺層的打開位置；S3、根據所述打開位置，采用刻蝕方式打開聚酰亞胺層，定義出銳角位置，銳角位置的兩個自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊；S4、在所述銳角位置再次沉積金屬；S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形。本發明專利技術在傳統lift?off工藝的基礎上，進行二次金屬沉積，由于第二次銳角位置的兩個自由端僅與銳角缺損的金屬圖形部分重疊，區域較小，有利于濕法藥水進入銳角處，便于光刻膠去除，更易于完成具有完整銳角的金屬圖形。

Method for peeling sharp angle metal figure

The invention relates to the technical field of semiconductor manufacture, in particular to a sharp metal pattern stripping method, which comprises the following steps: S1, in the metal pattern defect on acute polyimide layer and drying; S2, in which the polyimide layer is coated with photoresist, lithography developer defined polyimide layer open position; open position S3 according to the above, by means of etching open the polyimide layer, define the angle position, the metal part of the graphics two free end position of the defect and acute angle angle overlap; S4, in the acute position again deposited metal; S5, removing the photoresist, get the metal pattern with complete acutangular. The invention is based on traditional lift off process, two metal deposition, because the two freedom second angle position end metal pattern only and acute angle defect overlap area is small, is conducive to the wet medicine into an angle, for photoresist removal, easy to complete with full metal graphics acutangular.

【技術實現步驟摘要】
一種銳角金屬圖形剝離方法
本專利技術屬于半導體制造
，具體涉及一種銳角金屬圖形剝離方法。
技術介紹
金屬lift-off工藝由于剝離精度高、形貌好、控制容易，已廣泛地應用于半導體制造業。整個lift-off工藝為：（1）在襯底上涂覆一層光刻膠，把掩膜版圖案在襯底表面上準確對準，通過曝光將圖形轉移到光刻膠涂層上，并通過顯影把掩膜版圖案復刻到光刻膠上，得到圖形化襯底，如圖1（a）所示；（2）采用金屬蒸發、濺射或化學氣相淀積薄膜工藝，在圖形化襯底上沉積一層金屬1，如圖1（b）所示；（3）去除光刻膠，得到金屬圖形，如圖1（c）所示。在整個半導體工藝中，為了節約成本，提高效率，在去除光刻膠時，一般采用物理撕除（tape-peeling）結合濕法的方式快速去除光刻膠。在金屬圖形存在銳角時，濕法藥水不易進入銳角區域，加之物理撕除的引入，極易造成金屬圖形的銳角缺損，如圖4（a）所示。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種銳角金屬圖形剝離方法，該夾具可以很好地解決傳統lift-off工藝極易造成金屬圖形缺損，無法得到具有完成銳角的金屬圖形的問題。為達到上述要求，本專利技術采取的技術方案是：提供一種銳角金屬圖形剝離方法，包括采用lift-off工藝形成銳角缺損的金屬圖形的步驟，還包括以下步驟：S1、在銳角缺損的金屬圖形上涂覆聚酰亞胺層并烘干；S2、在所述聚酰亞胺層上涂覆光刻膠，采用光刻顯影定義出聚酰亞胺層的打開位置；S3、根據所述打開位置，采用刻蝕方式打開聚酰亞胺層，定義出銳角位置，銳角位置的兩個自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊；S4、在所述銳角位置再次沉積金屬；S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形。與現有技術相比，本專利技術具有以下優點：（1）在傳統lift-off工藝的基礎上，進行二次金屬沉積，由于第二次銳角位置的兩個自由端僅與銳角缺損的金屬圖形部分重疊，區域較小，有利于濕法藥水進入銳角處，便于光刻膠去除，更易于完成具有完整銳角的金屬圖形；（2）聚酰亞胺作為銳角定義層，容易刻蝕出坡度較緩的表面圖形，利于金屬爬坡。附圖說明此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標號來表示相同或相似的部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：圖1為lift-off工藝過程中形成的器件結構的剖視圖；圖2為本專利技術方法的流程圖；圖3為本專利技術工藝過程中形成的器件結構的剖視圖；圖4（a）為lift-off工藝形成的具有缺損銳角的金屬圖形的俯視圖；圖4（b）為聚酰亞胺層打開位置的俯視圖；圖4（c）為具有完整銳角的金屬圖形的俯視圖。具體實施方式為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚，以下結合附圖及具體實施例，對本申請作進一步地詳細說明。為簡單起見，以下描述中省略了本領域技術人員公知的某些技術特征。如圖2所示，本實施例提供一種銳角金屬圖形剝離方法，包括采用lift-off工藝形成銳角缺損的金屬圖形的步驟，銳角缺損的金屬圖形如圖4（a）所示；還包括以下步驟：S1、在銳角缺損的金屬圖形上涂覆聚酰亞胺層2并烘干，作為銳角定義層，如圖3（a）所示；S2、在聚酰亞胺層2上涂覆光刻膠PR，采用光刻顯影在光刻膠PR上定義出聚酰亞胺層2的打開位置，打開位置即圖3（b）中光刻膠PR的缺口；S3、根據打開位置，采用刻蝕方式打開聚酰亞胺層2，定義出銳角位置，銳角位置即圖3（c）中聚酰亞胺層2的缺口，也為圖4（b）中的虛線位置；銳角位置的一個自由端與銳角缺損的金屬圖形的一條邊部分重疊，銳角位置的另一個自由端與銳角缺損的金屬圖形的另一條邊部分重疊，如圖3（c）和圖4（b）所示，單邊重疊的長度m不小于0.5μm；S4、在銳角位置再次沉積金屬3，且再次沉積的金屬3單邊長度n不超過10μm，如圖3（d）和圖4（c）所示；由于步驟S3中的部分重疊，能保證再次沉積的金屬3與原缺損銳角金屬1完全連接；S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形，如圖3（e）所示；S6、在具有完整銳角的金屬圖形晶圓表面沉積SiO2或SiN，克服聚酰亞胺層2的吸水性。當然，通過任意其他工藝制成的銳角缺損的金屬圖形，采用該方法制得具有完整銳角金屬圖形的情況，也落入本申請的保護范圍。以上實施例僅表示本專利技術的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能理解為對本專利技術范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本專利技術保護范圍。因此本專利技術的保護范圍應該以權利要求為準。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種銳角金屬圖形剝離方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、在銳角缺損的金屬圖形上涂覆聚酰亞胺層并烘干；S2、在所述聚酰亞胺層上涂覆光刻膠，采用光刻顯影定義出聚酰亞胺層的打開位置；S3、根據所述打開位置，采用刻蝕方式打開聚酰亞胺層，定義出銳角位置，銳角位置的兩個自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊；S4、在所述銳角位置再次沉積金屬；S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形。

【技術特征摘要】
1.一種銳角金屬圖形剝離方法，其特征在于，包括以下步驟：S1、在銳角缺損的金屬圖形上涂覆聚酰亞胺層并烘干；S2、在所述聚酰亞胺層上涂覆光刻膠，采用光刻顯影定義出聚酰亞胺層的打開位置；S3、根據所述打開位置，采用刻蝕方式打開聚酰亞胺層，定義出銳角位置，銳角位置的兩個自由端與銳角缺損的金屬圖形部分重疊；S4、在所述銳角位置再次沉積金屬；S5、去除光刻膠，得到具有完整銳角的金屬圖形。2....

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳一峰，
申請(專利權)人：成都海威華芯科技有限公司，
類型：發明
國別省市：四川,51