器件測試制造技術

本發明專利技術涉及器件測試。器件（100）包括多個單元（110-1,110-2,110-3）。每一個單元包括場效應晶體管（120）和被配置成選擇性地將相應場效應晶體管（120）的第二接觸件（121-2）與器件（100）的公共測試線（293）連接。器件（100）的控制器（310）被配置成控制開關（301）處于閉合定位中。提供至少一個管腳（171-1,171-3），其被配置成向連接到場效應晶體管（120）的第一接觸件（121-1）的公共電力線（191）和公共測試線（393）施加應力電壓。

【技術實現步驟摘要】

技術介紹
設想到其中多個負載——諸如例如發光二級管（LED）——放置在陣列中并且提供單獨為每一個負載供電的器件電路的場景。這典型地通過提供每個負載的器件單元來實現，其中每一個單元包括電流源以選擇性地為相關聯的負載供電。典型地，電流源包括場效應晶體管（FET），其充當用于選擇性地為相應負載供電的開關。有時，測試器件的操作可靠性是合期望的。一種這樣的測試是FET的柵應力測試。在此，在施加應力電壓之前和之后測量每一個FET的源接觸件與漏接觸件之間的漏電流是合期望的。然而，當需要測試器件的相當大量的單元時，這樣的測試可能不是可能的或者僅在有限程度上是可能的。單獨接觸每一個單元，例如借助于針卡等，可能是棘手的并且遭受失敗。另外，可能存在有限量的空間可用于每個單元；而且，相鄰單元之間的距離可能相當小。所有這些使得執行前端柵應力測試是耗時且昂貴的。因此，例如通過接觸負載的在最終組裝之前的測試（前端測試）在技術上具有挑戰性；當其上布置器件的襯底或晶片尚未被切割成允許執行測試的尺寸時，這更加復雜。在最終組裝之后執行柵應力測試（后端測試）是昂貴的，因為不能在早期生產階段篩選出失效的電流源。因此，存在對于執行用于包括多個單元的器件的柵應力測試的高級技術的需要，其中每一個單元包括要測試的FET。特別地，存在對于允許快速、可靠和/或精確的柵應力測試的技術的需要。該需要通過獨立權利要求的特征滿足。從屬權利要求限定實施例。
技術實現思路
根據一方面，提供了一種器件。該器件包括公共電力線、公共測試線和多個單元。多個單元中的每一個包括場效應晶體管和開關。場效應晶體管包括柵、第一接觸件和第二接觸件。第一接觸件是場效應晶體管的源和漏中的一個。第一接觸件耦合到公共電力線。第二接觸件是源和漏中的另一個。開關被配置成在閉合定位中選擇性地將相應場效應晶體管的第二接觸件與公共測試線耦合。器件還包括控制器?？刂破鞅慌渲贸煽刂铺幱陂]合定位中的多個單元的開關。器件還包括至少一個管腳。至少一個管腳被配置成當至少一個開關處于閉合定位中時向公共電力線和公共測試線施加應力電壓。根據另外的方面，提供了一種在施以（execute）柵應力時將應力電壓施加到多個場效應晶體管的源和漏的方法。多個場效應晶體管中的每一個與器件的多個單元中的一個相關聯。方法包括對于多個單元中的每一個，控制處于閉合定位中的相應單元的開關。所述開關在閉合定位中將相應單元的場效應晶體管的源和漏中的一個與器件的公共測試線耦合。源和漏中的另一個耦合到器件的公共電力線。方法還包括當至少一個開關處于閉合定位中時經由至少一個管腳向公共電力線和公共測試線施加應力電壓。要理解的是，以上提到的特征和以下要解釋的特征不僅可以使用在所指示的相應組合中，而且可以使用在其它組合中或隔離使用，而不脫離于本專利技術的范圍。以上提到的方面和實施例的特征可以在其它實施例中與彼此組合。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，本專利技術的前述和附加特征和效果將從以下詳細描述變得顯而易見，其中相同的參考標號是指相同的元件。圖1是根據參考實現的器件的電路圖圖2是根據參考實現的器件的電路圖，其中柵應力測試是可能的。圖3是根據各種實施例的包括多個單元的器件的電路圖。圖4是根據各種實施例的包括多個單元的器件的電路圖。圖5詳細圖示了根據各種實施例的用于每一個單元的圖3和4的電路圖中采用的開關。圖6A是根據各種實施例的被配置成控制用于器件的各種單元的圖5的開關的控制器的示意性圖示。圖6b是根據各種實施例的被配置成控制用于器件的各種單元的圖5的開關的控制器的示意性圖示。圖7是根據各種實施例的方法的流程圖。圖8是更加詳細地圖示了涉及柵應力測試的執行的圖7的方法的各方面的流程圖。圖9是更加詳細地圖示了涉及器件的正常操作的圖7的方法的各方面的流程圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖詳細描述本專利技術的實施例。要理解的是，實施例的以下描述不以限制性含義來看待。本專利技術的范圍不意圖受以下所描述的實施例或附圖限制，其僅僅被視為是說明性的。附圖被視為是示意性表示并且在圖中圖示的元件不一定按比例示出。而是，表示各種元件使得它們的功能和一般目的對本領域技術人員而言變得顯而易見。圖中示出或者本文描述的功能塊、器件、組件或其它物理或功能單位之間的任何連接或耦合也可以通過間接連接或耦合實現。組件之間的耦合還可以通過無線連接建立。功能塊可以實現在硬件、固件、軟件或其組合中。以下，說明使得能夠施以用于多個FET中的每一個的柵應力的技術。這可以用于執行柵應力測試，其典型地包括首先測量漏電流，其次施以柵應力，并且第三測量漏電流。然后可能的是比較在柵應力的所述施以之前和之后測量的漏電流以評價相應FET的質量。低質量器件可能在柵氧化層中具有缺陷。施以柵應力的持續時間可以取決于各種操作條件。在圖1中，示出參考實現，其中器件的多個單元110-1-110-3用于為經由接口170連接到單元110-1-110-3的LED140供電。單元110-1-110-3中的每一個包括通過FET120形成的電流源。如從圖1可以看到的，FET120將接口170與電力供給線191連接，可以經由管腳171-1向電力供給線191施加電壓VCC。FET120具有三個接觸件121-1-121-3。第一和第二接觸件121-1和121-2是源和漏。第三接觸件121-3是柵121-3。預驅動器180用于控制施加到柵121-3的柵電壓。取決于柵電壓，第一和第二接觸件121-1,121-2互連或者斷開，使得LED170可以經由接口被選擇性地供電。器件100可以采取各種形式。例如，器件100可以被配置成選擇性地為總共例如1024像素的LED陣列供電。特別地，LED的陣列可以在片中片（chip-on-chip）組裝中安裝在器件100的頂部上。然后，器件100充當用于照明目的的LED的控制電路。典型地，可以存在可用于單元110-1-110-3中的每一個的有限構建空間。例如，在以上提到的片中片組裝中，由于每一個LED典型地直接安裝在器件100的頂部上，因此每一個單元110-1-110-3可能受限于125μm乘125μm的尺寸。另外，可能要求相鄰單元110-1-110-3之間的短間距。例如，在以上提到的片中片組裝中，增加平面內尺寸中的分辨率對于增加LED陣列的分辨率和避免用于束抄平調節的機械組件的使用可能是優選的。如以上所提到的器件100具有特征性質，即：放置在器件100的單個芯片上的大量單元；每一個單元110-1-110-3的有限尺寸；以及相鄰單元110-1-110-3之間的有限間距。這使得難以施以柵應力。在圖2中，示出執行柵應力測試的參考實現。各種單元110-1-110-3的FET120的每一個柵接觸件121-1經由附加開關220連接到公共測試管腳171-2；在此，附加開關220實現為由控制器210控制的FET。提供開關220的體二極管221。然而，這樣的解決方案遭受各種缺點。將大量柵121-3單獨連接到控制器210本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種器件（100），包括：??公共電力線（191），??公共測試線（393），以及??多個單元（110?1?110?3），其中多個單元（110?1?110?3）中的每一個包括：　　??包括柵（121?3）、第一接觸件（121?1）和第二接觸件（121?2）的場效應晶體管（120），第一接觸件（121?1）是場效應晶體管（120）的源和漏中的一個并且耦合到公共電力線（191），第二接觸件（121?2）是源和漏中的另一個，以及　　??開關（301），其被配置成在閉合定位中選擇性地將相應場效應晶體管（120）的第二接觸件（121?2）與公共測試線（393）耦合，其中器件（100）還包括：??控制器（310），其被配置成控制多個單元（110?1?110?3）的開關（301）處于閉合定位中，??至少一個管腳（171?1,171?3），其被配置成當至少一個開關（301）處于閉合定位中時向公共電力線（191）和公共測試線（393）施加應力電壓。

【技術特征摘要】
2014.10.20 DE 102014115204.21.一種器件（100），包括：
-公共電力線（191），
-公共測試線（393），以及
-多個單元（110-1-110-3），
其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個包括：
　　-包括柵（121-3）、第一接觸件（121-1）和第二接觸件（121-2）的場效應晶體管（120），第一接觸件（121-1）是場效應晶體管（120）的源和漏中的一個并且耦合到公共電力線（191），第二接觸件（121-2）是源和漏中的另一個，以及
　　-開關（301），其被配置成在閉合定位中選擇性地將相應場效應晶體管（120）的第二接觸件（121-2）與公共測試線（393）耦合，
其中器件（100）還包括：
-控制器（310），其被配置成控制多個單元（110-1-110-3）的開關（301）處于閉合定位中，
-至少一個管腳（171-1,171-3），其被配置成當至少一個開關（301）處于閉合定位中時向公共電力線（191）和公共測試線（393）施加應力電壓。
2.權利要求1的器件（100），
其中控制器（301）被配置成控制多個單元（110-1-110-3）的開關（301）至少部分地并行處于閉合定位中。
3.權利要求1或2的器件（100），還包括：
-公共供給線（192），
其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個包括：
　　-另外的開關（302），其被配置成在閉合定位中選擇性地將相應場效應晶體管（120）的柵（121-3）與公共供給線（192）耦合，
其中控制器（310）被配置成控制另外的開關（302）處于閉合定位中，
其中器件（100）還包括被配置成當至少一個另外的開關（302）處于閉合定位中時向公共供給線（192）施加參考電壓的另外的管腳（171-4）。
4.權利要求3的器件（100），
其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個包括用于與相應負載建立電氣連接的接口（170），接口（170）連接到相應場效應晶體管（120）的第二接觸件（121-2），
其中控制器（310）還被配置成使得能夠通過以下經由公共電力線（191）和經由接口（170）為給定單元（110-1-110-3）的負載供電：
　　-控制給定單元（110-1-110-3）的開關（301）處于開路定位中，
　　-控制給定單元（110-1-110-3）的另外的開關（302）處于閉合定位中，
其中另外的管腳（171-4）被配置成向公共供給線（192）施加柵電壓，柵電壓電氣互連給定單元（110-1-110-3）的場效應晶體管（120）的第一接觸件（121-1）和第二接觸件（121-2）。
5.權利要求3或4的器件（100），
其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個的相應場效應晶體管（120）的第一接觸件（121-1）是漏并且其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個的相應場效應晶體管（120）的第二接觸件（121-2）是源，
其中應力電壓大于3伏，優選地大于5V，更優選地大于7V，
其中參考電壓為接地，
其中開關（301）優選地為n溝道絕緣柵場效應晶體管。
6.權利要求3或4的器件（100），
其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個的相應場效應晶體管（120）的第一接觸件（121-1）是源并且其中多個單元（110-1-110-3）中的每一個的相應場效應晶體管（120）的第二接觸件（121-2）是漏，
其中應力電壓為接地，
其中參考電壓大于3伏，優選地大于5V，更優選地大于7V，
其中開關（301）優選地為p溝道絕緣柵場效應晶體管。
7.前述權利要求中任一個的器件...

【專利技術屬性】
技術研發人員：G卡波迪瓦卡，A德西科，
申請(專利權)人：英飛凌科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：德國;DE