測試器件制造技術(shù)

一種測試器件，包括：多個用于測試的測試結(jié)構(gòu)；多個連接墊組，所述多個連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本發(fā)明專利技術(shù)通過多個連接墊構(gòu)成連接墊組，并且使同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連，從而提高了連接墊組的密度，有利于提高測試結(jié)構(gòu)的密度，減小所述測試器件占的晶圓面積，增加了可用芯片的數(shù)量。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及半導體制造領(lǐng)域，特別涉及一種測試器件。
技術(shù)介紹
從半導體單晶片到最終成品，半導體器件的生產(chǎn)包括數(shù)十甚至上百道工序。為了確保所生產(chǎn)的半導體器件性能合格、穩(wěn)定可靠，半導體器件制造工藝除了包括形成半導體器件的生產(chǎn)工序，還包括對所形成半導體器件進行檢測的測試工藝。晶圓接收測試(WaferAcceptanceTest,WAT)是對特定的測試器件(Testkey)進行電學性能測試，根據(jù)測試器件的測試結(jié)果，反映生產(chǎn)工序是否正常，以及生產(chǎn)工序的穩(wěn)定性。所述測試器件與半導體器件同時形成于晶圓上，因此測試器件需要占用一定的晶圓面積。隨著芯片面積的減小，每個晶圓上芯片的數(shù)量隨之增加，芯片的密度隨之增大。測試器件對晶圓面積的占用，使晶圓上可用芯片的面積隨之減小，影響了形成半導體器件的良率。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決的問題是提供一種測試器件，以減小測試器件占用晶圓的面積。為解決上述問題，本專利技術(shù)提供一種測試器件，用于與探針卡上的探針實現(xiàn)接觸連接進行測試，所述探針卡上具有多個探針，相鄰探針之間的距離為探針間距，包括：多個用于測試的測試結(jié)構(gòu)；多個連接墊組，所述多個連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。可選的，第二方向與所述第一方向相垂直，所述探針卡沿所述第一方向移動，所述連接墊沿第一方向的尺寸小于或等于沿第二方向的尺寸。可選的，所述連接墊的形狀為長方形或正方形。可選的，所述連接墊的形狀為正方形，所述連接墊的邊長在40微米到60微米范圍內(nèi)。可選的，所述連接墊組內(nèi)所述多個連接墊尺寸相同。可選的，所述多個測試結(jié)構(gòu)和所述多個連接墊組沿第一方向呈直線排列。可選的，所述連接墊組內(nèi)連接墊的數(shù)量大于2，相鄰連接墊之間間隔相等。可選的，相鄰連接墊之間的間隔在5微米到15微米范圍內(nèi)。可選的，所述測試器件包括第一測試結(jié)構(gòu)和第二測試結(jié)構(gòu)；所述連接墊組包括第一連接墊和第二連接墊，所述第一連接墊與所述第一測試結(jié)構(gòu)相連，所述第二連接墊與所述第二測試結(jié)構(gòu)相連。可選的，多個所述連接墊組位于所述第一測試結(jié)構(gòu)和第二測試結(jié)構(gòu)之間；或者，所述第一測試結(jié)構(gòu)和所述第二測試結(jié)構(gòu)分別位于相鄰連接墊組之間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：本專利技術(shù)技術(shù)方案中，連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連，并且相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本專利技術(shù)通過多個連接墊構(gòu)成連接墊組，并且使同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連，從而提高了連接墊組的密度，有利于提高測試結(jié)構(gòu)的密度，減小所述測試器件占的晶圓面積，增加了可用芯片的數(shù)量。附圖說明圖1是一種測試器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本專利技術(shù)測試器件第一實施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本專利技術(shù)測試器件第二實施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本專利技術(shù)測試器件第三實施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式由
技術(shù)介紹
可知，現(xiàn)有技術(shù)中的測試器件存在占用晶圓面積過大的問題。現(xiàn)結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)中的測試器件以及晶圓接受測試的過程分析其占用面積過大問題的原因：參考圖1，示出了一種測試器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。所述測試器件包括：襯底(圖中未示出)；位于襯底上的測試器件10以及4個連接墊11，所述測試器件10與所述4個連接墊11沿第一方向x排列，所述4個連接墊11均與所述測試器件10相連。現(xiàn)有技術(shù)中的電學性能測試是利用一個具有多個探針的探針卡，將所述探針卡上的探針與所述多個連接墊相互接觸，進行電性測試。所以，相鄰連接墊11之間的距離與電學性能測試中探針卡上相鄰探針之間的間隔相等，從而能夠使多個探針與多個所述連接墊11對應接觸相連。在對所述測試器件進行電學性能測試的過程中，所使用探針卡上探針之間的間距為200微米。所述測試器件中連接墊11為長方形，沿第一方向x的尺寸l為90微米，沿與第一方向x相垂直的第二方向y的尺寸w為50微米。而且相鄰連接墊11之間的間隔d為110微米。在進行電學性能測試時，所以探針卡上的探針能夠與所述4個連接墊11同時接觸，實現(xiàn)電連接。由于依次排列的連接墊11均僅與所述測試器件10相連，也就是說，所有相鄰連接墊11均與一個測試器件10相連，從而造成測試器件中測試器件10的密度較小，所述測試器件占用晶圓面積較大。為解決所述技術(shù)問題，本專利技術(shù)提供一種測試器件，用于與探針卡上的探針實現(xiàn)接觸連接進行測試，所述探針卡上具有多個探針，相鄰探針之間的距離為探針間距，包括：多個用于測試的測試結(jié)構(gòu)；多個連接墊組，所述多個連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本專利技術(shù)技術(shù)方案中，連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連，并且相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。本專利技術(shù)通過多個連接墊構(gòu)成連接墊組，并且使同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連，從而提高了連接墊組的密度，有利于提高測試結(jié)構(gòu)的密度，減小所述測試器件占的晶圓面積，增加了可用芯片的數(shù)量。為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù)的具體實施例做詳細的說明。參考圖2，示出了本專利技術(shù)測試器件第一實施例的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，所述測試器件用于與探針卡上的探針實現(xiàn)接觸連接進行測試，所述探針卡上具有多個探針，相鄰探針之間的距離為探針距離。所以所述測試器件包括：多個用于測試的測試結(jié)構(gòu)。需要說明的是，所述測試器件還包括用于提供操作平臺的襯底(圖中未示出)。具體的，本實施例中，所述襯底的材料為單晶硅。在本專利技術(shù)其他實施例中，所述襯底的材料還可以選自多晶硅、非晶硅、鍺、砷化鎵或鍺硅的其他半導體材料。此外，所述襯底還可以是具有外延層或外延層上的硅結(jié)構(gòu)。所述測試結(jié)構(gòu)用于與探針卡上的探針實現(xiàn)電連接以進行測試。具體的，本實施例中，所述測試結(jié)構(gòu)用于進行晶圓接受測試，所述測試結(jié)構(gòu)與襯底上芯片內(nèi)的半導體結(jié)構(gòu)同時形成，以反映生產(chǎn)工序是否正常進行以及生產(chǎn)工序的穩(wěn)定。測試結(jié)構(gòu)的數(shù)量大于或等于2個。本實施例中，所述測試器件中測試結(jié)構(gòu)的數(shù)量為2個，分別為第一測試結(jié)構(gòu)110和第二測試結(jié)構(gòu)120，也就是說，所述測試器件包括第一測試結(jié)構(gòu)110和第二測試結(jié)構(gòu)120。所述測試器件還包括：多個連接墊組200，所述多個連接墊組200沿第一方向X排列，所述連接墊組200包括沿所述第一方向X排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。所述連接墊組200用于與探針卡上的探針實現(xiàn)接觸連接以進行測試。具體的，所述多個連接墊組200沿第一方向X排列。所述連接墊組200的數(shù)量與所述測試結(jié)構(gòu)內(nèi)部電路與外部電路連接情況相關(guān)。本實施例中，所述測試結(jié)構(gòu)內(nèi)具有多個連接點(圖中未標示)，所述連接點用于實現(xiàn)所述測試結(jié)構(gòu)內(nèi)部電路與外部電路之間的電連接。所述連接點分別與不同的連接墊組200相連。所以，所述連接墊組200的數(shù)量與所述連接點的數(shù)量相等。具體的，本實施本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種測試器件，用于與探針卡上的探針實現(xiàn)接觸連接進行測試，所述探針卡上具有多個探針，相鄰探針之間的距離為探針間距，其特征在于，包括：多個用于測試的測試結(jié)構(gòu)；多個連接墊組，所述多個連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種測試器件，用于與探針卡上的探針實現(xiàn)接觸連接進行測試，所述探針卡上具有多個探針，相鄰探針之間的距離為探針間距，其特征在于，包括：多個用于測試的測試結(jié)構(gòu)；多個連接墊組，所述多個連接墊組沿第一方向排列，所述連接墊組包括沿所述第一方向排列的多個連接墊，同一連接墊組內(nèi)多個所述連接墊分別與不同測試結(jié)構(gòu)相連；相鄰連接墊組對應連接墊之間的距離與所述探針間距相等。2.如權(quán)利要求1所述的測試器件，其特征在于，第二方向與所述第一方向相垂直，所述探針卡沿所述第一方向移動，所述連接墊沿第一方向的尺寸小于或等于沿第二方向的尺寸。3.如權(quán)利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述連接墊的形狀為長方形或正方形。4.如權(quán)利要求1所述的測試器件，其特征在于，所述連接墊的形狀為正方形，所述連接墊的邊長在40微米到60微米范圍內(nèi)。5.如權(quán)利要求1所述...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高超，
申請(專利權(quán))人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31