使用化學剝離方法的III族氮化物基板的制備方法技術

本發明專利技術具體例中公開的非極性或半極性Ⅲ族氮化物層，可用于各種電子元件的基板上，不僅可以緩解或消除現有極性Ⅲ族氮化物基板的問題，而且可以通過化學剝離方法制備。

【技術實現步驟摘要】
201610008741

【技術保護點】
一種Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：a)在提供非極性或半極性外延生長層生長表面的基板上形成第一Ⅲ族氮化物層；b)通過橫向生長方式，在所述第一Ⅲ族氮化物層上形成內部形成有1或2個以上截面為三角形的空穴的第二Ⅲ族氮化物層；c)在所述第二Ⅲ族氮化物層上形成第三Ⅲ族氮化物層；及d)對所述第二Ⅲ族氮化物層的至少一部分厚度實施化學蝕刻，得到分離的第三Ⅲ族氮化物層；且所述空穴里面的至少一個區域表現出N?極性，所處步驟b)包括以下步驟：在所述第一Ⅲ族氮化物層上形成圖案化的屏蔽層；及在形成有所述圖案化的屏蔽層的第一Ⅲ族氮化物層上形成Ⅲ族氮化物層，并且所述空穴隨屏蔽圖案連續地形成。

【技術特征摘要】
2010.11.08 KR 10-2010-01105171.一種Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征在于，其包括以下
步驟：a)在提供非極性或半極性外延生長層生長表面的基板上形成
第一Ⅲ族氮化物層；b)通過橫向生長方式，在所述第一Ⅲ族氮化物
層上形成內部形成有1或2個以上截面為三角形的空穴的第二Ⅲ族氮
化物層；c)在所述第二Ⅲ族氮化物層上形成第三Ⅲ族氮化物層；及
d)對所述第二Ⅲ族氮化物層的至少一部分厚度實施化學蝕刻，得到
分離的第三Ⅲ族氮化物層；且所述空穴里面的至少一個區域表現出N
-極性，所處步驟b)包括以下步驟：在所述第一Ⅲ族氮化物層上形成
圖案化的屏蔽層；及在形成有所述圖案化的屏蔽層的第一Ⅲ族氮化物
層上形成Ⅲ族氮化物層，并且所述空穴隨屏蔽圖案連續地形成。
2.根據權利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征
在于，提供所述非極性或半極性外延生長層生長表面的基板為m-面
藍寶石基板。
3.根據權利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制備方法，其特征
在于，所述第一Ⅲ族氮化物層為(11-22)...

【專利技術屬性】
技術研發人員：朱秦佑，白宗協，樸炯兆，李尚憲，丁鐸，金孳姢，吳和燮，鄭泰勳，金潤碩，田大祐，
申請(專利權)人：韓國光技術院，
類型：發明
國別省市：韓國;KR