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本發(fā)明具體例中公開的非極性或半極性Ⅲ族氮化物層，可用于各種電子元件的基板上，不僅可以緩解或消除現(xiàn)有極性Ⅲ族氮化物基板的問題，而且可以通過化學剝離方法制備。...
該專利屬于韓國光技術(shù)院所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過韓國光技術(shù)院授權(quán)不得商用。

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