薄膜晶體管及陣列基板的制作方法、陣列基板、顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)提供了一種薄膜晶體管及陣列基板的制作方法、陣列基板、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中，薄膜晶體管的制作方法包括：在基板上形成過(guò)渡層；對(duì)所述過(guò)渡層進(jìn)行構(gòu)圖形成過(guò)渡層保留區(qū)域和過(guò)渡層未保留區(qū)域，所述過(guò)渡層未保留區(qū)域?qū)?yīng)第一結(jié)構(gòu)層的圖形，其中所述過(guò)渡層保留區(qū)域的表面具有凹凸結(jié)構(gòu)；在形成有所述過(guò)渡層的圖形的基板上形成用于形成所述第一結(jié)構(gòu)層的材料層；除去所述過(guò)渡層，所述材料層留在基板上的部分形成所述第一結(jié)構(gòu)層的圖形。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)的技術(shù)方案能夠避免膜層殘留不良，提高陣列基板的良品率。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201610073355

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成過(guò)渡層；對(duì)所述過(guò)渡層進(jìn)行構(gòu)圖形成過(guò)渡層保留區(qū)域和過(guò)渡層未保留區(qū)域，所述過(guò)渡層未保留區(qū)域?qū)?yīng)第一結(jié)構(gòu)層的圖形，其中所述過(guò)渡層保留區(qū)域的表面具有凹凸結(jié)構(gòu)；在形成有所述過(guò)渡層的圖形的基板上形成用于形成所述第一結(jié)構(gòu)層的材料層；除去所述過(guò)渡層，所述材料層留在基板上的部分形成所述第一結(jié)構(gòu)層的圖形。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成過(guò)渡層；
對(duì)所述過(guò)渡層進(jìn)行構(gòu)圖形成過(guò)渡層保留區(qū)域和過(guò)渡層未保留區(qū)域，所述過(guò)渡層未保留
區(qū)域?qū)?yīng)第一結(jié)構(gòu)層的圖形，其中所述過(guò)渡層保留區(qū)域的表面具有凹凸結(jié)構(gòu)；
在形成有所述過(guò)渡層的圖形的基板上形成用于形成所述第一結(jié)構(gòu)層的材料層；
除去所述過(guò)渡層，所述材料層留在基板上的部分形成所述第一結(jié)構(gòu)層的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述過(guò)渡層的材料為光
刻膠材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一結(jié)構(gòu)層為有源
層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述過(guò)渡層為正性光刻
膠，形成表面具有凹凸結(jié)構(gòu)的所述過(guò)渡層保留區(qū)域包括：
采用灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述過(guò)渡層進(jìn)行曝光，所述灰色調(diào)掩膜板包括有不透光區(qū)域、半
透光區(qū)域和完全透光區(qū)域；
顯影后形成對(duì)應(yīng)所述不透光區(qū)域的所述過(guò)渡層保留區(qū)域的第一部分、對(duì)應(yīng)所述半透光
區(qū)域的所述過(guò)渡層保留區(qū)域的第二部分和對(duì)應(yīng)所述完全透光區(qū)域的所述過(guò)渡層未保留區(qū)
域，其中，所述第一部分的過(guò)渡層的厚度大于所述第二部分的過(guò)渡層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述過(guò)渡層為負(fù)性光刻
膠，形成表面具有凹凸結(jié)構(gòu)的所述過(guò)渡層保留區(qū)域包括：
采用灰色調(diào)掩膜板對(duì)所述過(guò)渡層進(jìn)行曝光，所述灰色調(diào)掩膜板包括有不透光區(qū)域、半
透光區(qū)域...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林子錦，趙海生，裴曉光，彭志龍，孫東江，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，北京京東方光電科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京;11