平坦化半導(dǎo)體裝置的方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)公開一種平坦化半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟。提供一基板，其上方形成一終止層。形成一溝槽，在該基板中。沉積一第一半導(dǎo)體層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽。沉積一第二半導(dǎo)體層，填滿該溝槽并且覆蓋該第一半導(dǎo)體層。進行一化學(xué)機械研磨程序，直到該終止層被曝露出來。該化學(xué)機械研磨程序?qū)τ谠摰谝话雽?dǎo)體層的移除速率高于對于該第二半導(dǎo)體層的移除速率。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
201410697179

【技術(shù)保護點】
一種平坦化半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：提供一基板，其上方形成一終止層；形成一溝槽，在該基板中；沉積一第一半導(dǎo)體層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽；沉積一第二半導(dǎo)體層，填滿該溝槽并且覆蓋該第一半導(dǎo)體層；以及進行一化學(xué)機械研磨程序，直到該終止層被曝露出來；其中該化學(xué)機械研磨程序?qū)τ谠摰谝话雽?dǎo)體層的移除速率高于對于該第二半導(dǎo)體層的移除速率。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種平坦化半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟：
提供一基板，其上方形成一終止層；
形成一溝槽，在該基板中；
沉積一第一半導(dǎo)體層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽；
沉積一第二半導(dǎo)體層，填滿該溝槽并且覆蓋該第一半導(dǎo)體層；以及
進行一化學(xué)機械研磨程序，直到該終止層被曝露出來；
其中該化學(xué)機械研磨程序?qū)τ谠摰谝话雽?dǎo)體層的移除速率高于對于該
第二半導(dǎo)體層的移除速率。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成該終止層之前的一步驟：形
成一襯墊氧化層于該基板上。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在沉積該第一半導(dǎo)體層之前的一步
驟：形成一內(nèi)襯氧化層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，還包括在形成該內(nèi)襯氧化層之后的一步
驟：各向異性地移除該終止層上的該內(nèi)襯氧化層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該終止層上的該內(nèi)襯氧化層以等離子
體輔助蝕刻法移除。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該終止層包括氮化硅。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該終止層的厚度約為1500至8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該終止層的厚度約為9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該溝槽的寬度約為...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：方偉南，陳建勛，莊子儀，
申請(專利權(quán))人：聯(lián)華電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：中國臺灣;71