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本發(fā)明公開一種平坦化半導(dǎo)體裝置的方法，包括以下步驟。提供一基板，其上方形成一終止層。形成一溝槽，在該基板中。沉積一第一半導(dǎo)體層，均勻覆蓋該終止層以及該溝槽。沉積一第二半導(dǎo)體層，填滿該溝槽并且覆蓋該第一半導(dǎo)體層。進(jìn)行一化學(xué)機(jī)械研磨程序，直到該...該專利屬于聯(lián)華電子股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過聯(lián)華電子股份有限公司授權(quán)不得商用。