薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置制造方法及圖紙

本實(shí)用新型專利技術(shù)的實(shí)施例提供了薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置。薄膜晶體管包括電流增強(qiáng)部，電流增強(qiáng)部設(shè)置在漏極和源極之間。電流增強(qiáng)部可以包括至少一個(gè)凸起部，凸起部被設(shè)置在漏極和/或源極上，并且朝向溝道。電流增強(qiáng)部可以包括設(shè)置于漏極和源極之間的島部，島部與漏極和源極分離。島部可以包括至少一個(gè)凸起端，至少一個(gè)凸起端朝向漏極和/或源極。電流增強(qiáng)部能夠提高薄膜晶體管的導(dǎo)通電流，這樣，薄膜晶體管在顯示裝置的顯示區(qū)域的像素單元中應(yīng)用時(shí)，能夠提高像素單元的開(kāi)口率。在顯示裝置的非顯示區(qū)域中的例如防靜電電路的電路中應(yīng)用時(shí)，能夠減少顯示裝置的邊框區(qū)域。

Thin film transistor, array substrate, display panel and display device

The embodiment of the utility model provides a thin film transistor, an array substrate, a display panel and a display device. The thin film transistor comprises a current enhancement part which is arranged between the drain electrode and the source electrode. The current enhancement section may include at least one raised portion disposed on the drain and / or source, and facing the channel. The current enhancement section may include an island portion disposed between the drain and the source. The island portion may include at least one raised end and at least one raised end facing the drain and / or source. The current enhancement section can improve the on current of the thin film transistor, so that the thin film transistor can improve the aperture ratio of the pixel unit when the pixel unit of the display area of the display device is used. When the application of the circuit in the non display area of the display device, such as a circuit for preventing static electricity, is used, the border area of the display device can be reduced.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及晶體管，尤其涉及薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
技術(shù)介紹
隨著技術(shù)的進(jìn)步，消費(fèi)者對(duì)顯示電子產(chǎn)品的要求越來(lái)越高。例如：更精細(xì)的畫(huà)面或者更窄的邊框等。當(dāng)然，更精細(xì)的畫(huà)面或者窄邊框等，都需要更小的電路元器件或者結(jié)構(gòu)單元。舉例來(lái)講，更精細(xì)的畫(huà)面就需要更小的像素單元。在像素單元的電路結(jié)構(gòu)相同時(shí)，像素單元面積的縮小會(huì)直接導(dǎo)致像素的開(kāi)口率降低。在這種情況下，為了保證畫(huà)面的亮度不變，就需要增加背光照明的亮度，從而造成顯示面板功耗的升高。現(xiàn)有技術(shù)中試圖對(duì)于像素單元中電路元器件或者結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，以減少不透明區(qū)域的面積，提高開(kāi)口率，這種方法對(duì)于已經(jīng)很小的像素單元來(lái)說(shuō)難以起到效果。如何在更小的像素單元上提高像素的開(kāi)口率，是目前以至將來(lái)都面臨的一個(gè)問(wèn)題。另一方面，顯示面板周邊區(qū)域的防靜電電路同樣需要優(yōu)化電路元器件或者結(jié)構(gòu)單元，以減少占用面積，滿足窄邊框的需求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的實(shí)施例提供的薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置，能夠減少薄膜晶體管的占用面積。這樣，薄膜晶體管在顯示裝置的顯示區(qū)域的像素單元中應(yīng)用時(shí)，能夠提高像素單元的開(kāi)口率。在顯示裝置的非顯示區(qū)域中的例如防靜電電路的電路中應(yīng)用時(shí)，能夠減少顯示裝置的邊框區(qū)域。根據(jù)本技術(shù)的第一個(gè)方面，提供了一種薄膜晶體管，包括柵極、漏極、源極和溝道，還包括電流增強(qiáng)部，電流增強(qiáng)部設(shè)置在漏極和源極之間。在本技術(shù)的實(shí)施例中，電流增強(qiáng)部包括至少一個(gè)凸起部，凸起部被設(shè)置在漏極和/或源極上，并且朝向溝道。在本技術(shù)的實(shí)施例中，凸起部呈梯形、三角形或半圓形。在本技術(shù)的實(shí)施例中，凸起部被設(shè)置在漏極和源極上，設(shè)置在漏極的凸起部和設(shè)置在源極的凸起部對(duì)應(yīng)設(shè)置。在本技術(shù)的實(shí)施例中，凸起部包括尖端。在本技術(shù)的實(shí)施例中，電流增強(qiáng)部包括設(shè)置在漏極和源極之間的島部，島部與漏極和源極分離。在本技術(shù)的實(shí)施例中，島部包括至少一個(gè)凸起端，至少一個(gè)凸起端朝向漏極和/或源極。在本技術(shù)的實(shí)施例中，電流增強(qiáng)部包括至少一個(gè)凸起部，凸起部被設(shè)置在漏極和/或源極上，并且朝向溝道；凸起端與凸起部對(duì)應(yīng)設(shè)置。在本技術(shù)的實(shí)施例中，凸起端是尖端。在本技術(shù)的實(shí)施例中，電流增強(qiáng)部是由與漏極和源極相同的金屬材料制成的。根據(jù)本技術(shù)的第二個(gè)方面，提供了一種陣列基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其中，顯示區(qū)域和/或非顯示區(qū)域包括如上所述的薄膜晶體管。根據(jù)本技術(shù)的第三個(gè)方面，提供了一種顯示面板，包括如上所述的陣列基板。根據(jù)本技術(shù)的第四個(gè)方面，提供了一種顯示裝置，包括如上所述的顯示面板。采用本技術(shù)的實(shí)施例的薄膜晶體管，可以在不改變薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的情況下，提高薄膜晶體管的導(dǎo)通電流。因此，在相同的導(dǎo)通電流的情況下，本技術(shù)的實(shí)施例的薄膜晶體管能夠具有更小的面積。這樣，薄膜晶體管在顯示裝置的顯示區(qū)域的像素單元中應(yīng)用時(shí)，能夠提高像素單元的開(kāi)口率。在顯示裝置的非顯示區(qū)域中的例如防靜電電路的電路中應(yīng)用時(shí)，能夠減少顯示裝置的邊框區(qū)域。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本技術(shù)的實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)知道，以下描述的附圖僅僅涉及本技術(shù)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本技術(shù)的限制，其中：圖1是現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是根據(jù)本技術(shù)的第二實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是根據(jù)本技術(shù)的第三實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是根據(jù)本技術(shù)的第四實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是根據(jù)本技術(shù)的第五實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是根據(jù)本技術(shù)的第六實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是圖7所示實(shí)施例的薄膜晶體管的A1-A2截面的層狀結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是圖7所示實(shí)施例的薄膜晶體管工作時(shí)電荷分布示意圖；圖10是根據(jù)本技術(shù)第七實(shí)施例的U形溝道的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。其中：1、基板，2、柵極，3、柵極絕緣層，4、有源層，5、漏極，6、源極，7、鈍化層，8、凸起部，9、尖端，10、島部，11、凸起端。具體實(shí)施方式為了使本技術(shù)的實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖，對(duì)本技術(shù)的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本技術(shù)的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，也都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。圖1是現(xiàn)有的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，薄膜晶體管包括依次層疊形成的基板1、柵極2、柵極絕緣層3、有源層4、漏極5和源極6、鈍化層7。當(dāng)在柵極2上施加電壓使得晶體管導(dǎo)通時(shí)，電流經(jīng)由有源層4在漏極5和源極6之間流過(guò)。為了增強(qiáng)在漏極5和源極6之間流過(guò)電流的能力，即在減小薄膜晶體管占用空間的同時(shí)提供相同或者更高的導(dǎo)通電流。這樣，在顯示裝置的顯示區(qū)域的像素單元中應(yīng)用時(shí)，能夠提高像素單元的開(kāi)口率。在顯示裝置的非顯示區(qū)域中的例如防靜電電路的電路中應(yīng)用時(shí)，能夠減少顯示裝置的邊框區(qū)域。具體而言，本技術(shù)的實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括電流增強(qiáng)部，電流增強(qiáng)部設(shè)置在漏極5和源極6之間。電流增強(qiáng)部用于增強(qiáng)在漏極5和源極6之間流過(guò)的電流。電流增強(qiáng)部可以包括至少一個(gè)凸起部8，凸起部8被設(shè)置在漏極5和/或源極6上，并且朝向源極6和/或漏極5，即朝向漏極5和源極6之間的溝道。可選的，為了更好的增強(qiáng)電流，凸起部8可以包括尖端9。圖2是根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，根據(jù)本技術(shù)的第一實(shí)施例，薄膜晶體管的電流增強(qiáng)部包括設(shè)置在漏極5的凸起部8，凸起部8包括一個(gè)尖端9。由于凸起部8對(duì)電荷有較強(qiáng)的集聚作用，從而在相同的寬長(zhǎng)比條件下，薄膜晶體管將有更大的通過(guò)電流。因此，采用本例中的薄膜晶體管時(shí)，能夠以較小的占用空間提供更大的通過(guò)電流，可以減小薄膜晶體管的占用空間，這樣，應(yīng)用于顯示區(qū)域時(shí)，能夠提高像素單元的開(kāi)口率。應(yīng)用于非顯示區(qū)域時(shí)，能夠減少顯示裝置的邊框區(qū)域。尖端9能夠進(jìn)一步提高電荷的聚集能力，從而進(jìn)一步減小占用空間，進(jìn)一步提高開(kāi)口率或者減少顯示裝置的邊框區(qū)域。圖3是本技術(shù)的第二實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，在本例中，薄膜晶體管的電流增強(qiáng)部包括設(shè)置在漏極5的凸起部8以及設(shè)置在源極6的凸起部8，凸起部8可以包括一個(gè)尖端9。在圖2和圖3中，一體地示出了凸起部8和尖端9，但是這并不是對(duì)于凸起部8和尖端9的形狀的限制，凸起部8可以呈梯形、三角形、半圓形等形狀。在凸起部8上設(shè)置尖端9的情況下，凸起部8也可以為長(zhǎng)方形。只要是能夠在漏極5或者源極6的端部形成凸起，均可以起到提高電荷聚集能力的作用。此外，對(duì)于尖端9的數(shù)量也沒(méi)有限制。可以在漏極5的凸起部8和源極6的凸起部8的至少一個(gè)上，設(shè)置多個(gè)尖端9，尖端9的數(shù)量不做限定，尖端9數(shù)量的增加可保證薄膜晶體管有更加穩(wěn)定的性能。圖4是本技術(shù)的第三實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，在本例中，在漏極5上設(shè)置了一列設(shè)置了面向溝道(漏極5和源極6之間的部分)的凸起部8，凸起部8包括尖端9。圖5是本技術(shù)的第四實(shí)施例的薄膜晶體管結(jié)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管，包括柵極、漏極、源極和溝道，其特征在于，還包括電流增強(qiáng)部，所述電流增強(qiáng)部設(shè)置在所述漏極和所述源極之間。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種薄膜晶體管，包括柵極、漏極、源極和溝道，其特征在于，還包括電流增強(qiáng)部，所述電流增強(qiáng)部設(shè)置在所述漏極和所述源極之間。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述電流增強(qiáng)部包括至少一個(gè)凸起部，所述凸起部被設(shè)置在所述漏極和/或所述源極上，并且朝向所述溝道。3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凸起部呈梯形、三角形或半圓形。4.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凸起部被設(shè)置在所述漏極和所述源極上，設(shè)置在所述漏極的所述凸起部和設(shè)置在所述源極的所述凸起部對(duì)應(yīng)設(shè)置。5.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述凸起部包括尖端。6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述電流增強(qiáng)部包括設(shè)置在所述漏極和所述源極之間的島部，所述島部與漏極和源極分離。7.如權(quán)利要求6所...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李盼，程鴻飛，馬永達(dá)，郝學(xué)光，先建波，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：北京;11