晶片材料去除制造技術

一個示例公開了用于晶片材料去除的系統，該系統包括：晶片結構圖，識別具有第一位置的第一器件結構和具有第二位置的第二器件結構；材料去除控制器，耦接至所述結構圖，并且具有材料去除波束功率電平輸出信號和材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號；其中，材料去除控制器被配置為選擇與第一位置相對應的第一材料去除波束功率電平和第一材料去除波束接通/關斷狀態；并且其中，材料去除控制器被配置為選擇與第二位置相對應的第二材料去除波束功率電平和第二材料去除波束接通/關斷狀態。另一個示例公開了一種物品，包括至少一個非瞬時性有形機器可讀存儲介質，該非瞬時性有形機器可讀存儲介質包含用于晶片材料去除可執行機器指令。

【技術實現步驟摘要】
201510916882

【技術保護點】
一種用于晶片材料去除的系統，包括：晶片結構圖，識別具有第一位置的第一器件結構和具有第二位置的第二器件結構；材料去除控制器，耦接至所述結構圖，并且具有材料去除波束功率電平輸出信號和材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號；其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述第一位置相對應的第一材料去除波束功率電平和第一材料去除波束接通/關斷狀態；并且其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述第二位置相對應的第二材料去除波束功率電平和第二材料去除波束接通/關斷狀態。

【技術特征摘要】
2014.12.11 US 14/566,7611.一種用于晶片材料去除的系統，包括：
晶片結構圖，識別具有第一位置的第一器件結構和具有第二位置
的第二器件結構；
材料去除控制器，耦接至所述結構圖，并且具有材料去除波束功
率電平輸出信號和材料去除波束接通/關斷狀態輸出信號；
其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述第一位置相對應
的第一材料去除波束功率電平和第一材料去除波束接通/關斷狀態；并
且
其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述第二位置相對應
的第二材料去除波束功率電平和第二材料去除波束接通/關斷狀態。
2.根據權利要求1所述的系統：
其中，所述系統是以下中的至少一個：用于晶片開槽的系統或用
于晶片切割的系統。
3.根據權利要求1所述的系統：
其中，所述晶片結構圖基于來自以下中的至少一個的信息來識別
所述器件結構和位置：晶片刻線的集合或晶片表面的掃描。
4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述晶片結構圖與第一器件
結構相關聯：器件結構屬性；器件結構起始位置；以及器件結構停止
位置。
5.根據權利要求4所述的系統：
其中，所述器件結構屬性是以下中的至少一個：器件結構厚度、
器件結構密度、器件結構材料、器件結構深度或器件結構層的數量。
6.根據權利要求1所述的系統：
其中，所述第一器件結構是以下中的至少一個：鋸切線、鋸切線
交叉點、過程控制設備、低k電介質材料、材料結構、多層結構、集成
電路、氧化層或聚合物層。
7.根據權利要求1所述的系統：
還包括晶片材料去除圖，該晶片材料去除圖識別與所述第一位置

\t的一部分相對應的先前材料去除位置；
其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與所述先前材料去除位
置相對應的第三材料去除波束功率電平和第三材料去除波束接通/關
斷狀態；并且
其中，所述第三材料去除波束功率電平小于所述第一材料去除波
束功率電平。
8.根據權利要求7所述的系統：
其中，與所述第一位置的一部分相對應的所述先前材料去除位置
是鋸切線交叉點。
9.根據權利要求7所述的系統：
其中，所述材料去除控制器被配置為選擇與在所述先前材料去除
位置處的器件結構深度相對應的所述第三材料去除波束功率電平和所
述第三材料去除波束接通/關斷狀態。
10.根據權利要求1所述的系統：
還...

【專利技術屬性】
技術研發人員：薩沙·默勒，托馬斯·羅勒德，古伊多·阿爾貝曼，馬丁·拉普克，哈特莫特·布寧，
申請(專利權)人：恩智浦有限公司，
類型：發明
國別省市：荷蘭;NL