有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法技術(shù)

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極、摻雜空穴層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述摻雜空穴層的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%～5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%～40%。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明專利技術(shù)還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

[0001 ] 本專利技術(shù)涉及一種。
技術(shù)介紹
有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
基于此，有必要提供一種出光效率較高的。—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極、摻雜空穴層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述摻雜空穴層的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1_二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’- (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~40%。所述摻雜空穴層的厚度為10nnT80nm。所述玻璃基底的折射率為1.8^2.2。所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:在在玻璃基底的背面磁控濺射制備陽(yáng)極，所述陽(yáng)極的表面熱蒸鍍摻雜空穴層，所述摻雜空穴層的材料包 括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自I，1-二 [4-[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒、4，4’，4'，-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~40%，及在所述摻雜空穴層的表面依次蒸鍍制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。所述摻雜空穴層的厚度為10nnT80nm。所述玻璃基底的折射率為1.8^2.2。所述摻雜空穴層采用熱蒸鍍制備，所述熱蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X KT5Pa~2X KT3Pa下進(jìn)行，所述金屬氧化物和所述金屬酞菁化合物的蒸鍍速率為lnm/iTlOnm/s，所述空穴傳輸材料的蒸鍍速率為0.lnm/s^lnm/so所述磁控濺射在真空壓力為5X10-5Pa~2X10_3Pa下進(jìn)行，加速壓力為300V~800V，磁場(chǎng)為50G~200G，功率密度為lW/cnT40W/cm2。上述，通過(guò)在陽(yáng)極表面制備摻雜空穴層，該摻雜空穴層即具有空穴傳輸性能也具有空穴注入性能，降低了器件的加工難度，簡(jiǎn)化工序，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。【附圖說(shuō)明】圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖。【具體實(shí)施方式】下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)進(jìn)一步闡明。請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底20、陽(yáng)極30、摻雜空穴層40、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過(guò)率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。陽(yáng)極30形成于玻璃基底20的表面。陽(yáng)極30的材料包括銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)及銦鋅氧化物(IZO)中的至少一種。陽(yáng)極30的厚度為80nnT300nm。優(yōu)選的厚度為120nm。摻雜空穴層40形成于陽(yáng)極30的表面。摻雜空穴層40的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~40%。摻雜空穴層40的厚度為10nnT80nm。發(fā)光層60形成于摻雜空穴層40的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為15nm。電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為200nm。電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為L(zhǎng)iF。電子注入層80的厚度為0.5nm?IOnm,優(yōu)選為0.7nm。陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Al。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為200nm。上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過(guò)在陽(yáng)極30與發(fā)光層60之間制備摻雜空穴層40，該摻雜空穴層40即具有空穴傳輸性能也具有空穴注入性能，降低了器件的加工難度，簡(jiǎn)化工序，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件100的出光效率。可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極、摻雜空穴層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述摻雜空穴層的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1?二[4?[N，N′?二(p?甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4′′?三(咔唑?9?基)三苯胺及N，N’?（1?萘基）?N，N’?二苯基?4,4’?聯(lián)苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%～5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%～40%。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極、摻雜空穴層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述摻雜空穴層的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1-二 [4-[N，K - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’_ (1-萘基)-N，N’-二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~40%。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜空穴層的厚度為10nm~80nmo3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底的背面磁控...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周明杰，王平，黃輝，馮小明，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東;44