【技術實現步驟摘要】
—種鋼鐵表面原位生長α -Fe2O3納米陣列的方法
本專利技術涉及一種原位生長a -Fe2O3納米陣列的方法。
技術介紹
近年來,Fe2O3納米材料由于其價格低廉,來源廣泛等特點在氣敏傳感器、有機物降解、磁性材料、涂裝等方面得到了越來越廣泛的應用。另外,由于其能帶間隙為2.2eV,具有η型半導體的特性,也可以應用在光催化制氫等領域。催化以及光分解水都需要負載型的C1-Fe2O3納米陣列作為電極和媒介。負載型的a -Fe2O3納米陣列的制備主要采用熱氧化法、陽極氧化、化學氣相沉積以及原子層沉積等方法,普遍選擇FTO、ITO導電玻璃等作為載體,使Q-Fe2O3納米陣列附著在其表面上。如XuRui等人通過熱氧化法在鐵箔上制備片狀a -Fe2O3,隨著處理溫度和時間的改變,其厚度和寬度分別在10-60nm和200_800nm之間變化,該方法合成的Fe2O3存在能耗大、結合力差的問題,并且得到的目標產物形貌較為單一,產物純度不高;Susanta K等人用陽極氧化法在鐵片上成功制備C1-Fe2O3納米管,該方法使用了有機氟化物電解液,存在能耗相對較高、生長產物形貌單一、穩定性不高的缺點;另外化學氣相沉積以及原子層沉積存在設備高昂、操作復雜、耗時的缺點。綜上所述現有在鐵片上制備Q-Fe2O3納米陣列主要存在能耗較高、操作復雜、結合力差、制備工藝有一定污染和產物形貌單一的問題。
技術實現思路
本專利技術的目的是要解決現有在鐵片上制備a -Fe2O3納米陣列存在的結合力差、形貌單一和操作流程復雜的問題,提供了一種鋼鐵表面原位生長a -Fe2O3納米陣列的方法。一種 ...
【技術保護點】
一種鋼鐵表面原位生長α?Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于一種鋼鐵表面原位生長α?Fe2O3納米陣列的方法是按以下步驟完成的:一、預處理:首先對長方形鐵片進行拋光處理,然后以無水乙醇為清洗劑進行超聲清洗10s~60s,再利用去離水進行沖洗,自然晾干后得到處理后長方形鐵片;二、水熱合成反應:將處理后長方形鐵片浸入裝有堿性溶液的反應釜中,然后密封,再轉移至鼓風干燥箱中,在溫度為120~180℃下水熱合成反應6h~24h,取出得到反應后鐵片;三、低溫熱處理:以無水乙醇或去離子水為清洗劑對反應后鐵片進行清洗,晾干后放入馬弗爐中,以升溫速率為3℃/min~10℃/min從室溫升溫至250~350℃,并在溫度為250~350℃下低溫熱處理1h~5h,得到表面原位生長α?Fe2O3納米陣列的鐵片。
【技術特征摘要】
1.一種鋼鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于一種鋼鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法是按以下步驟完成的: 一、預處理:首先對長方形鐵片進行拋光處理,然后以無水乙醇為清洗劑進行超聲清洗IOs~60s,再利用去離水進行沖洗,自然晾干后得到處理后長方形鐵片; 二、水熱合成反應:將處理后長方形鐵片浸入裝有堿性溶液的反應釜中,然后密封,再轉移至鼓風干燥箱中,在溫度為120~180°C下水熱合成反應6h~24h,取出得到反應后鐵片; 三、低溫熱處理:以無水乙醇或去離子水為清洗劑對反應后鐵片進行清洗,晾干后放入馬弗爐中,以升溫速率為3°C /min~10°C /min從室溫升溫至250~350°C,并在溫度為250~350°C下低溫熱處理Ih~5h,得到表面原位生長a -Fe2O3納米陣列的鐵片。2.根據權利要求1所述一種鋼鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于步驟一中所述的長方形鐵片的厚度為1mm。3.根據權利要求1或2所述一種鋼鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于步驟一中所述的拋光處理為砂紙打磨、鹽酸體系拋光、過氧化氫體系化學拋光、硝酸體系化學拋光或電化學拋光。4.根據權利要求3所述一種鋼 鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于所述的砂紙打磨具體操作如下:依次采用800#砂紙1500#砂紙和2000#砂紙對長方形鐵片進行逐級打磨,即完成砂紙打磨拋光處理。5.根據權利要求3所述一種鋼鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于所述的鹽酸體系拋光具體操作如下:首先采用濃度為0.5mol/L~2mol/L的NaOH水溶液對長方形鐵片進行除油處理Imin~5min,然后置于質量分數為15%的鹽酸水溶液中,并在超聲頻率為25KHz~40KHz下超聲化學拋光30s~90s,即完成鹽酸體系拋光處理。6.根據權利要求3所述一種鋼鐵表面原位生長C1-Fe2O3納米陣列的方法,其特征在于所述的過氧化氫體系化學拋光具體操作如下:首先采用濃度為0.5mol/L~2mol/L的NaOH水溶液對長方形鐵片進行除油處理Imin~5min,再用質量分數為5%~15%的鹽酸水溶液進行除銹IOs~60s,然后置于H2O2體系拋光液中,并在超聲頻率為25KHz~40KHz下超聲化學拋光15s~45s,即完成過氧化氫體系化學拋光處理;所述的H2O2體系拋光液由質量分數為30% H2O2, H2C2O4、尿素、添加劑和去離子水組成,且所述的H2O2...
【專利技術屬性】
技術研發人員:姜兆華,藍衛,王志江,王建康,
申請(專利權)人:哈爾濱工業大學,
類型:發明
國別省市:黑龍江;23
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