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    基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng)技術(shù)方案

    技術(shù)編號:10367918 閱讀:212 留言:0更新日期:2014-08-28 11:30
    本實用新型專利技術(shù)涉及塑料薄膜電弱點和電弱線檢測問題,特別涉及一種基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng)。本系統(tǒng)包括輸出端與AD模塊輸入端相連的漏電流采樣電路;AD模塊的輸入端與漏電流采樣電路的輸出端連接;本系統(tǒng)還包括輸入端與所述AD模塊的輸出端連接的PLC,PLC用于接收從AD模塊輸出的數(shù)字信號,PLC的輸出端與輸出設(shè)備的輸入端相連;輸出設(shè)備與PLC雙向通訊連接,用于接收并顯示PLC傳送過來的數(shù)據(jù)。本系統(tǒng)既可統(tǒng)計因穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚等引起的離散的電弱點,又可統(tǒng)計因縱向劃傷引起的電弱線,因此測試數(shù)據(jù)更能真實地反映薄膜的質(zhì)量水平,且有助于分析生產(chǎn)過程中存在的問題。(*該技術(shù)在2024年保護過期,可自由使用*)

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng)
    本技術(shù)屬于電氣用塑料薄膜測試儀器,涉及塑料薄膜電弱點和電弱線檢測問題,特別涉及基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng)。
    技術(shù)介紹
    電氣用塑料薄膜的生產(chǎn)過程中,由于工藝、環(huán)境等原因使薄膜出現(xiàn)穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚等影響電氣性能的電弱點。根據(jù)國家標準《GB/T13541-92電氣用塑料薄膜試驗方法》,電氣用塑料薄膜要求進行電弱點測試。電弱點測試中,在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(電弱點)數(shù)成為衡量薄膜質(zhì)量水平的重要指標。此外,薄膜在生產(chǎn)過程中從縱拉到牽引輥站再到分切經(jīng)過很多縱向旋轉(zhuǎn)的輥軸,極易引起縱向劃傷,此縱向劃傷則在薄膜上形成“電弱線”,因此,如何快速測量并統(tǒng)計因穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚等引起的離散的“電弱點”和縱向劃傷引起的“電弱線”,是本領(lǐng)域技術(shù)亟待解決的技術(shù)問題。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本技術(shù)的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,提出一種基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng),本系統(tǒng)是由物理部件和線路構(gòu)造而連成的測試網(wǎng)絡(luò),從而為薄膜電弱點的測試構(gòu)建了完善的硬件平臺。本系統(tǒng)不但測試效率較高,而且能夠?qū)挝幻娣e薄膜上的電弱點統(tǒng)計并直觀的顯示出來。為實現(xiàn)上述目的,本技術(shù)采用了以下技術(shù)方案:一種基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng),其包括以下組成部分:漏電流采樣電路,所述漏電流采樣電路的輸出端與AD模塊的輸入端相連;AD模塊,其輸入端與所述漏電流采樣電路的輸出端連接,用于將從漏電流采樣電路接收的輸入信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號;PLC,其輸入端與所述AD模塊的輸出端連接,用于接收從AD模塊輸出的數(shù)字信號,所述PLC的輸出端與輸出設(shè)備的輸入端相連;輸出設(shè)備,其與PLC雙向通訊連接,用于接收并顯示PLC傳送過來的數(shù)據(jù)。本技術(shù)還可以通過以下技術(shù)措施得以進一步實現(xiàn)。優(yōu)選的,所述AD模塊為三菱FX1N-2AD-BD。優(yōu)選的,所述漏電流采樣電路包括限流電阻、上電極、下電極和采樣電阻;所述限流電阻串聯(lián)在測試電壓正極端與上電極之間,采樣電阻串聯(lián)在下電極與測試電壓負極端之間,所述上電極、下電極分設(shè)在待測薄膜的兩側(cè);所述采樣電阻的高電位節(jié)點連接所述AD模塊的電壓通道輸入端子,所述采樣電阻的低電位節(jié)點連接所述AD模塊的公共輸入端子。優(yōu)選的,所述上電極為導(dǎo)電橡膠,所述下電極為金屬銅輥,所述限流電阻為RI80B/8W/200K Ω / J高壓電阻,所述采樣電阻為DR/50W/200 Ω /F大功率電阻;其中RI80B/8W/200KQ/J表示額定功率為8W、允許誤差范圍為±5%阻值為200ΚΩ的玻璃釉膜電阻,DR/50W/200Q/F表示額定功率為50W、允許誤差范圍為± 1%阻值為200ΚΩ的碳膜電阻。優(yōu)選的,所述PLC為三菱FX1N-24MT-001。優(yōu)選的,所述輸出設(shè)備選用GT1055-QSBD-C觸摸屏。本技術(shù)的有益效果在于:I)、本技術(shù)中的測試統(tǒng)計系統(tǒng)僅僅是由物理部件通過線路構(gòu)造連接在一起而構(gòu)成的硬件平臺。在使用時,本系統(tǒng)可以與現(xiàn)有技術(shù)中的軟件配合來實現(xiàn)薄膜電弱點的測量,但是必須指出的是:與本控制系統(tǒng)相配合的軟件不是本技術(shù)的創(chuàng)新部分,也不是本技術(shù)的組成部分。在與軟件配合的共同作用下,本技術(shù)可以分別實現(xiàn)對電弱點的單獨測量和統(tǒng)計、對電弱線的單獨測量和統(tǒng)計、對電弱點和電弱線二者的測量與統(tǒng)計,但是,本技術(shù)的保護僅延及到由物理部件和導(dǎo)線而構(gòu)成的硬件網(wǎng)絡(luò),而不涉及到對軟件的改進和保護。下面結(jié)合軟件來說明本技術(shù)對電弱點和電弱線二者進行測量和統(tǒng)計時各個物理部件的功能和作用:本技術(shù)中的漏電流采樣電路由限流電阻、上電極、待測薄膜、下電極和采樣電阻依次串聯(lián)組成,測試時,待測薄膜在施加有電壓的上、下電極間移動,當待測薄膜無電弱點和電弱線時,待測薄膜的絕緣阻值很大(為103ΜΩ級),此時漏電流采樣電路檢測到的漏電流為微安級;當漏電流采樣電路檢測到的漏電流超過ImA時,可認定薄膜在此處有電弱點存在;當漏電流采樣電路檢測到的漏電流在規(guī)定的時間內(nèi)(即200mS)均超過ImA時,可認定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過程中存在縱向劃痕,也即薄膜上存在“電弱線”。需要指出的,上述漏電流的大小和漏電流檢測時間的長短可能隨著待測薄膜的不同而有改變,但這種數(shù)值上的改變不涉及軟件的變動,也不屬于本技術(shù)的創(chuàng)新部分和組成部分。本技術(shù)通過漏電流采樣電路采集電流值,AD模塊將漏電流采樣電路采集到的電信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號傳送到PLC中,PLC將輸入的數(shù)字信號與其內(nèi)存的設(shè)定數(shù)值比較后,處理得到電弱點數(shù)量和電弱線總數(shù),并將檢測到的電弱點和電弱線的總數(shù)在輸出設(shè)備上顯示。本技術(shù)符合國家標準要求,檢測準確,全自動控制,工作穩(wěn)定可靠。2)、本技術(shù)中的PLC的型號為三菱FX1N-60MR-001,AD模塊的型號為三菱FX1N-2AD-BD,輸出設(shè)備選用三菱GT1055-QSBD-C的觸摸屏,操作方便,穩(wěn)定性好,易于維護、檢修。3)、本系統(tǒng)既可統(tǒng)計因穿孔、導(dǎo)電顆粒積聚等引起的離散的電弱點,又可統(tǒng)計因縱向劃傷引起的電弱線,因此測試數(shù)據(jù)更能真實地反映薄膜的質(zhì)量水平,且有助于分析生產(chǎn)過程中存在的問題。【附圖說明】圖1為本技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意框圖。圖中標注符號的含義如下:I 一漏電流采樣電路2—AD模塊3 — PLC 4—輸出設(shè)備11 一上電極12—下電極【具體實施方式】下面將結(jié)合本技術(shù)實施例中的附圖,對本技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。如圖1所示,本技術(shù)包括漏電流采樣電路1,AD模塊2,PLC3和輸出設(shè)備4。所述漏電流采樣電路I由限流電阻R3、上電極11、待測薄膜Rx、下電極12和采樣電阻R4依次串聯(lián)組成,限流電阻R3串聯(lián)在測試電壓正極端V+與上電極11之間,采樣電阻R4串聯(lián)在下電極12與測試電壓負極端V-之間,所述上電極11、下電極12在測試時分設(shè)在待測薄膜Rx的兩側(cè)。所述上電極11為導(dǎo)電橡膠,所述下電極12為金屬銅輥。所述限流電阻R3為RI80B/8W/200K Ω/J高壓電阻,所述采樣電阻R4為DR/50W/200 Ω /F大功率電阻。所述AD模塊2選用的型號為三菱FX1N-2AD-BD。所述輸出設(shè)備4選用GT1055-QSBD-C觸摸屏,所述觸摸屏的顯示屏上設(shè)有弱點總數(shù)計數(shù)顯示窗口,其包括電弱點統(tǒng)計數(shù)顯示窗和電弱線統(tǒng)計數(shù)顯示窗。下面結(jié)合附圖對本技術(shù)的工作過程進行詳細描述。參照圖1,漏電流采樣電路I由限流電阻R3、上電極11、待測薄膜Rx、下電極12、采樣電阻R4構(gòu)成串聯(lián)回路,采樣電阻R4的高電位節(jié)點連接所述AD模塊的V2+,采樣電阻R4的低電位節(jié)點連接AD模塊的公共輸入端子V1-。被測試的薄膜Rx在施加有電壓的上、下電極間移動,對于正常薄膜(即無電弱點時),漏電流采樣電路I檢測到的漏電流為微安級;當電弱點存在時,漏電流采樣電路I檢測到的漏電流超過ImA ;當電弱線存在時,漏電流采樣電路I檢測到的漏電流在規(guī)定的時間內(nèi)(200mS)均超過1mA。當然,針對不同種類的塑料薄膜,操作人員還可以通過觸摸屏4對內(nèi)設(shè)的強度限值和時間限值進行適應(yīng)性修改,以使得測定結(jié)果更加準確。AD模塊2為三菱FX1N-2AD-BD,其安裝在PLC3頂部,將從漏電流采樣電路I輸入的信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號傳入PLC3本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    一種基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng),其特征在于包括以下組成部分:漏電流采樣電路(1),所述漏電流采樣電路(1)的輸出端與AD模塊(2)的輸入端相連;AD模塊(2),其輸入端與所述漏電流采樣電路(1)的輸出端連接,用于將從漏電流采樣電路(1)接收的輸入信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號;PLC(3),其輸入端與所述AD模塊(2)的輸出端連接,用于接收從AD模塊(2)輸出的數(shù)字信號,所述PLC(3)的輸出端與輸出設(shè)備(4)的輸入端相連;輸出設(shè)備(4),其與PLC(3)雙向通訊連接,用于接收并顯示PLC(3)傳送過來的數(shù)據(jù)。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng),其特征在于包括以下組成部分: 漏電流采樣電路(I),所述漏電流采樣電路(I)的輸出端與AD模塊(2 )的輸入端相連; AD模塊(2 ),其輸入端與所述漏電流采樣電路(I)的輸出端連接,用于將從漏電流采樣電路(I)接收的輸入信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號; PLC (3),其輸入端與所述AD模塊(2)的輸出端連接,用于接收從AD模塊(2)輸出的數(shù)字信號,所述PLC (3)的輸出端與輸出設(shè)備(4)的輸入端相連; 輸出設(shè)備(4),其與PLC (3)雙向通訊連接,用于接收并顯示PLC (3)傳送過來的數(shù)據(jù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng),其特征在于:所述AD模塊(2)為三菱FX1N-2AD-BD。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于AD模塊輸出的薄膜電弱點測試統(tǒng)計系統(tǒng),其特征在于:所述漏電流采樣電路(I)包括限流電阻(R3)、上電極、下電極和...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:錢立文
    申請(專利權(quán))人:安徽銅峰電子股份有限公司
    類型:新型
    國別省市:安徽;34

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