在遮光的狀態(tài)下，在氮?dú)猸h(huán)境中，通過(guò)用加氫超純水洗凈硅表面，實(shí)現(xiàn)峰谷（Ｐ－Ｖ）值在０．３ｎｍ以下的平坦度，同時(shí)通過(guò)使電極和硅之間的功函數(shù)差在０．２ｅＶ以下，實(shí)現(xiàn)接觸電阻在１０↑［－１１］Ωｃｍ↑［２］以下。由此，可以得到能夠以１０ＧＨｚ以...

電子器件的制造方法，在基板上形成的透明樹(shù)脂膜中，選擇性地埋設(shè)用于形成柵極的金屬膜，在柵極部分通過(guò)濺射將金屬膜直接形成在基板上，而在柵極部分以外的部分則通過(guò)濺射將金屬膜形成在絕緣性涂布膜上。隨著絕緣性涂布膜被蝕刻去除，絕緣性涂布膜上的金屬...

本發(fā)明的課題是提供具有高亮度、高效率且長(zhǎng)壽命的陰極體。在由含有氧化鑭的熱傳導(dǎo)率高的金屬合金形成的圓筒狀杯體上，采用能夠以低電子溫度進(jìn)行濺射的磁控濺射裝置，形成ＬａＢ６膜，由此來(lái)制造本發(fā)明的陰極體。

本發(fā)明提供一種固體攝像元件以及攝影裝置。在像素區(qū)域中配置成二維陣列狀的每一個(gè)像素中具備獨(dú)立的像素輸出線（１４），通過(guò)像素輸出線（１４）向多個(gè)存儲(chǔ)部（２２）依次寫入像素信號(hào)。在存儲(chǔ)部（２２）中保持了多幀的像素信號(hào)的狀態(tài)下，從存儲(chǔ)部（２２）...

本發(fā)明提供一種固體攝像元件及其制造方法，在嵌入型光電二極管（３１）的受光面的大致中央處形成浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)（３３１），按照包圍該浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)（３３１）的方式配置傳送晶體管（３２）的柵極電極。通過(guò)使光電二極管（３１）的ｐ＋型半導(dǎo)體區(qū)域、ｎ型半導(dǎo)體...

本發(fā)明提供一種固體攝像元件，在半導(dǎo)體基板上分開(kāi)設(shè)置二維陣列狀排列了包括光電二極管的像素（１０）的像素區(qū)域（２ａ）、配置了保持連續(xù)攝影幀數(shù)份的在各像素中生成的信號(hào)的存儲(chǔ)部的存儲(chǔ)區(qū)域（３ａ）。所有像素同時(shí)執(zhí)行光電荷蓄積，并使通過(guò)光電荷的蓄積...

本發(fā)明提供一種固體攝像元件及其驅(qū)動(dòng)方法，對(duì)像素區(qū)域（２ａ）內(nèi)配置成二維狀的每個(gè)像素（１０）設(shè)置獨(dú)立的像素輸出線（１４），各像素輸出線（１４）上連接多個(gè)存儲(chǔ)部。連續(xù)讀取模式下，在所有像素中同時(shí)執(zhí)行光電荷蓄積，從各像素（１０）通過(guò)像素輸出線...

本發(fā)明提供半導(dǎo)體器件及其制造方法。在包含淺溝槽元件分離區(qū)域、多層結(jié)構(gòu)的層間絕緣膜的半導(dǎo)體器件的制造工序中，需要反復(fù)使用ＣＭＰ，然而由于ＣＭＰ本身成本高，因此ＣＭＰ的反復(fù)使用導(dǎo)致制造成本上升。作為淺溝槽（ＳＴ）元件分離區(qū)域中所用的絕緣膜和...

本發(fā)明使用絕緣性涂布膜形成層間絕緣膜，所述絕緣性涂布膜具有２．５以下的介電常數(shù)ｋ，且由通式（（ＣＨ３）ｎＳｉＯ２－ｎ／２）ｘ（ＳｉＯ２）１－ｘ（式中，ｎ＝１～３、ｘ≤１）所表示的一種或二種以上的氧化物構(gòu)成。利用旋涂涂布得到的絕緣性涂布膜...

在半導(dǎo)體基板等的清洗中，需要進(jìn)行至少由５個(gè)工序構(gòu)成的清洗。本發(fā)明提供一種清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超純水進(jìn)行清洗的第一工序、利用含有表面活性劑的超純水進(jìn)行清洗的第二工序、以及利用含有超純水和２－丙醇的清洗液除去來(lái)源于表面活性劑的有...

本發(fā)明的課題在于，提供一種可有效用于搭載于電子設(shè)備的電子部件或電路基板的小型化的呈現(xiàn)出低磁性損失（ｔａｎδ）的復(fù)合材料及其制造方法。本發(fā)明的復(fù)合材料含有絕緣材料和分散在該絕緣材料內(nèi)的微粒，所述微粒預(yù)先用實(shí)質(zhì)上與所述絕緣材料相同成分的絕緣...

本發(fā)明的主要目的是提供基于其具體堿基序列信息，直接鑒定Ｒｆ１７基因座的基因型的技術(shù)，及提供人為制成育性恢復(fù)系統(tǒng)的技術(shù)等。通過(guò)抑制或減少ＣＷ型細(xì)胞質(zhì)雄性不育性水稻中含ＳＥＱ?ＩＤ?ＮＯ：２所示的堿基序列的基因的表達(dá)來(lái)恢復(fù)所述水稻育性的方法...

本發(fā)明的課題在于通過(guò)降低接觸電阻來(lái)改善光電轉(zhuǎn)換元件結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明的ｐ?ｉ?ｎ結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換元件結(jié)構(gòu)，通過(guò)選擇ｐ型半導(dǎo)體的電荷帶的上限的能級(jí)或ｎ型半導(dǎo)體層的電子親和力、與該半導(dǎo)體接觸的金屬層的功函數(shù)，與使用Ａｌ、Ａｇ等作為電極時(shí)相...

本發(fā)明提供一種旋轉(zhuǎn)磁鐵濺射裝置。該旋轉(zhuǎn)磁鐵濺射裝置具備等離子體遮蔽構(gòu)件和被接地了的外壁，在等離子體遮蔽構(gòu)件與外壁之間，具有串聯(lián)諧振電路及并聯(lián)諧振電路。串聯(lián)諧振電路僅在諧振頻率下具有非常低的阻抗，并聯(lián)諧振電路僅在諧振頻率下具有非常高的阻抗...

對(duì)在像素區(qū)域（２ａ、２ｂ）中呈二維狀進(jìn)行排列的每個(gè)像素（１０）設(shè)置像素輸出線（１４），在延伸至存儲(chǔ)區(qū)域（３ａ、３ｂ）的像素輸出線（１４）上連接存儲(chǔ)單元（２０）。存儲(chǔ)單元（２０）具備寫入側(cè)晶體管（２１）、讀出側(cè)晶體管（２２）、以及保持１０...

提供一種固體攝像元件及其驅(qū)動(dòng)方法，對(duì)二維排列的每個(gè)像素（１０）獨(dú)立地設(shè)置突發(fā)讀出用存儲(chǔ)部（２００）和連續(xù)讀出用存儲(chǔ)部（２１０）。突發(fā)讀出用存儲(chǔ)部（２００）具備多個(gè)能夠保持信號(hào)的電容器（２５００１～２５１０４），連續(xù)讀出用存儲(chǔ)部（２１０）...

本發(fā)明提供一種多層配線基板。多層配線基板（１００）具有：第一配線區(qū)域（１０１），其中配線（１０３ａ）和絕緣層（１０４ａ，１０４ｂ）交替地層疊；以及第二配線區(qū)域（１０２），其中相對(duì)于第一配線區(qū)域（１０１）的絕緣層的厚度Ｈ１，絕緣層（１０４...

一種金屬墊片，能以小的旋緊力獲得高密封性，而且，在施加一定的旋緊負(fù)載的情況下的變形量大，因此，即使在以手動(dòng)作業(yè)進(jìn)行螺栓固定的情況下，也能進(jìn)行螺栓旋緊的管理，并不會(huì)對(duì)對(duì)象側(cè)的凸緣面造成損傷。金屬墊片（１０）由利用周向的開(kāi)口而形成截面大致呈...

包括：向應(yīng)為半導(dǎo)體裝置的ｐ型或ｎ型接觸區(qū)域的Ｓｉ層部分離子注入ｐ型或ｎ型的雜質(zhì)的工序；和離子注入工序后，不進(jìn)行使注入的離子活性化的熱處理，在所述接觸區(qū)域表面形成接觸用的金屬膜的工序；和通過(guò)加熱使所述金屬膜的金屬與所述Ｓｉ層部分反應(yīng)，形成...

本發(fā)明提供一種固體電解質(zhì)，其具備ＬｉＢＨ４和由下述式（１）所表示的堿金屬化合物，ＭＸ（１）（式（１）中，Ｍ表示堿金屬原子，Ｘ表示選自鹵素原子、ＮＲ２基（Ｒ表示氫原子或者烷基）以及Ｎ２Ｒ基（Ｒ表示氫原子或者烷基）中的１種）。