在反型晶體管或本征型晶體管、以及半導體層的積累層電流控制型積累型晶體管中，由于雜質原子濃度的統計偏差，閾值電壓的偏差在微細化世代變大，難以確保ＬＳＩ的可靠性。可以得到通過控制半導體層的膜厚和雜質原子濃度而形成的大電流控制積累型晶體管，使...

本發明通過向由微波激發的低電子溫度高密度等離子體中供給有機金屬系材料氣體，在作為成膜對象物的基板上形成化合物的薄膜。此時，有機金屬系材料氣體的供給系統利用有機金屬系材料氣體的蒸氣壓和溫度的關系進行溫度控制。

本發明的課題是通過簡單的工序以低成本提供無應力的ＧａＮ系氮化物半導體自立基板的制作方法。該ＧａＮ系氮化物半導體自立基板的制作方法包括下述工序：準備基板的工序；在該基板上形成ＧａＮ點和ＮＨ↓［４］Ｃｌ層的工序；在ＧａＮ點和ＮＨ↓［４］Ｃｌ...

本發明的目的在于，提供一種通過升高靶子上的瞬時的等離子體密度而提高成膜速度的磁控濺射裝置。本發明的磁控濺射裝置是如下的磁控濺射裝置，其具有被處理基板、與被處理基板相面對地設置的靶子、設置于靶子的與被處理基板相反一側的旋轉磁鐵，在靶子表面...

在旋轉磁鐵濺射裝置中，為了減少因靶的消耗而引起靶表面發生變化，導致成膜率經時變化的情況，對靶的消耗變位量進行測定，根據測定結果，調整旋轉磁鐵組與靶之間的距離，從而長時間實現均勻的成膜率。作為測定靶的消耗變位量的機構，可以使用超聲波傳感器...

本發明的目的在于，提供一種在構成為利用旋轉磁鐵組使靶表面的磁場模式隨時間移動的磁控濺射裝置中，解決了在等離子點火和消去時被處理基板的不良率增高的問題，比以往降低了被處理基板的不良率的磁控濺射裝置。本發明的磁控濺射裝置設有等離子遮擋部件，...

本發明的層疊絕緣膜，層疊含有Ｓｉ原子的碳氫層和含有Ｎ原子的碳氟層而構成，且上述碳氫層以Ｈ原子數與Ｃ原子數的比（Ｈ／Ｃ）為０．８～１．２的比例含有Ｈ原子和Ｃ原子。該層間絕緣膜在泄漏電流的產生、由熱退火引起的膜的縮小受到抑制的同時，具有低介...

本發明提供在數百ＭＨｚ～數ＧＨｚ的頻率下磁損耗足夠小的復合磁性體及其制造方法。在將磁性粉末分散在絕緣性材料中而構成的復合磁性體中，所述磁性粉末為球狀或扁平狀，所述復合磁性體具有下面的（ａ）～（ｃ）中的任意一種特性。（ａ）１ＧＨｚ或５００...

本發明涉及磁性薄膜及其制造方法和使用其的各種應用裝置。本發明涉及含有其中原子有序排列的Ｌ１１型Ｃｏ－Ｐｔ－Ｃ合金的磁性薄膜，能夠實現關于Ｌ１１型Ｃｏ－Ｐｔ－Ｃ合金的優良有序度，以獲得磁性薄膜的優良磁各向異性。因此，在使用該磁性薄膜的各種...

本發明提供一種可以較低地抑制飽和磁化Ｍｓ、又可以提供高Ｋｕ的磁性薄膜及其成膜方法、以及應用該磁性薄膜的各種裝置。本發明的磁性薄膜含有具有Ｌ１↓［１］型的原子的有序結構的Ｃｏ－Ｍ－Ｐｔ合金（所述Ｍ表示單一或者多個除Ｃｏ和Ｐｔ以外的金屬元素...

本發明提供一種減少熱損失，并且能夠獲得穩定的燒成溫度的循環式基板燒成爐。通過向爐體主體部（１０）內部吹出熱風來進行玻璃基板（Ｗ）的燒成處理。從爐體主體部（１０）排出的熱風通過循環扇（４０）在循環路徑（２０）內循環，從用于分解有機物的催化...

本發明提供一種微波等離子體處理裝置、電介質窗部件及其制造方法。已知道存在一種微波等離子體處理裝置，其在使用Ｋｒ作為等離子體生成用氣體時也僅能得到與使用Ａｒ等其他稀有氣體時相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本發明中，構成微波等離子體處理裝置的...

本發明提供一種多層電路基板以及使用該多層電路基板的電子設備，該多層電路基板包括低介電常數的層間絕緣膜，由于與此層間絕緣膜接觸的表面沒有凹凸、不會產生制造合格率的下降或高頻信號的傳輸特性的劣化，所以能夠顯著提高組件或印刷基板等多層電路基板...

本發明能夠實現等離子體處理裝置長度方向的等離子體均勻性，同時與多重處理對應。具有多個可變耦合器（１２）的微波導管（１０）設置在真空室（２１）中，微波發生器（２３）中發生的微波通過波導管（２４導入微波導管（１０）中，該室（２１）中的等離子...

本發明提供一種等離子體處理裝置，即使被處理基板大面積化，仍可進行均勻的處理，其是使導入到波導管（１０２）的微波通過狹縫（１０３）傳播到電介體板（１０４），使供給到真空容器中的氣體等離子體化，從而對基板（１０７）表面實施等離子體處理的裝置...

一種成膜裝置及成膜方法。成膜裝置具有向噴出容器內噴出有機ＥＬ分子氣體的結構，具有多個有機ＥＬ原料容器、連接多個有機ＥＬ原料容器和噴出容器的配管系，多個有機ＥＬ原料容器有選擇地成為有機ＥＬ分子供給狀態，該配管系供給輸送氣體，使得在各有機Ｅ...

本發明提供一種不浪費昂貴的有機ＥＬ原料，并且能夠長時間地均勻地形成有機ＥＬ膜的成膜裝置及用于該成膜裝置的冶具。單一的原料容器部具備多個吹出容器，具備將原料容器部的有機ＥＬ原料氣化后與載氣一起供給到各吹出容器的配管系統切換到其他的吹出容器...

在對有機ＥＬ原料等的成膜用材料進行推定的方法中，通過所述常數Ｋｏ的值和所述活性化能量Ｅａ的值，對蒸發量Ｖ（％）可以用下述公式：Ｖ＝（Ｋｏ／Ｐ）×ｅ↑［－Ｅａ／ｋＴ］表示（其中，Ｋｏ表示常數（％.Ｔｏｒｒ）、Ｐ表示壓力（Ｔｏｒｒ）、Ｅａ表...

為了提供在維持高靈敏度、高Ｓ／Ｎ比的同時能實現寬動態范圍的固體攝像裝置、線傳感器、光傳感器，和在維持高靈敏度、高Ｓ／Ｎ比的同時能實現寬動態范圍的固體攝像裝置的工作方法，采用以下的結構，把多個像素集成為陣列狀，該像素包括：接收光，生成光電...

提供維持高靈敏度、高Ｓ／Ｎ比的同時能實現寬動態范圍的固體攝像裝置和光傳感器、維持高靈敏度、高Ｓ／Ｎ比的同時能實現寬動態范圍的固體攝像裝置的動作方法。把接收光并且產生、積蓄光電荷的光電二極管ＰＤ、積蓄從光電二極管溢出的光電荷的積蓄電容元件...