本發明在制備包括Ｃｒ：２６－３５重量％、Ｍｏ：２－８重量％、Ｎ：０．１－０．３重量％、余量為Ｃｏ的含氮Ｃｏ－Ｃｒ－Ｍｏ合金時，不實施利用再結晶的熱鍛造類的加工，僅通過熱處理得到均勻且微細的晶粒組織，為此本發明在固溶處理后，在６７０－８３...

本發明提供能夠利用簡單的結構對外界干擾較強的包含人體的物體表面的傾斜角進行精密計測的形狀、傾斜度檢測和／或計測光學裝置；光學形狀、傾斜度檢測和／或計測法；以及圓偏振光照明裝置。利用物體表面的反射光學特性對觀察物體的表面形狀或傾斜度進行檢...

本發明提供一種機械強度優異到可以在大型制造裝置中使用的程度的Ａｌ合金構件。Ａｌ合金構件的特征在于，以質量％計，Ｍｇ濃度為５．０％以下，Ｃｅ濃度為１５％以下，Ｚｒ濃度為０．１５％以下，余部由Ａｌ及不可避免雜質構成，所述不可避免雜質的元素分...

本發明提供具有高的頻率分辨率和空間分辨率的、能夠提高閉合裂紋與張口裂紋的識別性的結構缺陷的成像方法和結構缺陷的成像裝置。另外，本發明還提供具有高頻率分辨率和高空間分辨率的、能夠提高組織與氣泡或損害部位的識別性的氣泡或損害部位的成像方法以...

本發明提供一種用于打破半導體集成邏輯電路，尤其是以硅ＣＭＯＳ（互補型金屬氧化膜半導體）邏輯電路為代表的互補型邏輯門器件構成的超高集成、超低功耗型集成邏輯電路的速度性能極限的互補型邏輯門器件。不使用Ｎ溝道ＦＥＴ和Ｐ溝道ＦＥＴ，只利用由石墨...

通過等離子體將基板的表面氮化，形成氮化的樹脂層，然后在形成銅膜之前形成薄的氮化銅膜，提高配線層與樹脂層的密合性。

一種電子裝置，包括含有鈉的玻璃基體（１０）和在玻璃基體（１０）上設置的由平坦化涂膜形成的鈉擴散防止膜（１１）。在鈉擴散防止層（１１）上形成有電子元件（１２）。

一種通過微波使氣體激勵而對基板（Ｇ）進行等離子體處理的微波等離子體處理裝置（１０），包括：處理容器（１００），所述處理容器（１００）由金屬形成；微波源（９００），所述微波源９００）輸出微波；第一電介質（３０５），第一電介質（３０５）面向...

本發明涉及光電轉換裝置，具備由非晶質硅形成的nip結構，利用使n+型a-Si層接觸由n+型ZnO層形成的透明電極的結構，提高能量轉換效率。由此，能夠將對地球資源的影響抑制在最小限，能夠實現大面積、大功率的光電轉換裝置。

提供一種低介電常數且不會產生CFx、SiF4等氣體的、穩定的半導體裝置的層間絕緣膜和具備該層間絕緣膜的布線結構。在具備形成在基底層上的絕緣膜的層間絕緣膜中，所述層間絕緣膜的有效介電常數為3以下。布線結構具備層間絕緣膜和形成在層間絕緣膜上...

一種照明裝置和顯示裝置，照明裝置包括導光件、設置在導光件的一個或多個側表面上的光源、以及光調制元件，光調制元件包括：一對透明基板，設置為彼此相對且其間具有間隙；第一電極，設置在一個透明基板的表面上；第二電極，設置在另一個透明基板的表面上...

本發明提供一種具有膜的耐久性與彩色性兼備的表面層的金屬玻璃部件及該表面層的形成方法。使金屬玻璃部件（１０）的表面與硝酸和氫氟酸的混合水溶液（１８）反應，進行氧化膜（１２）的去除的同時，進行在金屬玻璃部件（１０）的表面準備錨合形狀（１４）...

本發明涉及具有透明性和平坦性優異的柵極絕緣膜的薄膜晶體管（ＴＦＴ）及其制造方法。由Ｒ↓［ｘ］ＭＯ↓［ｙ］表示的氧化物形成的透明絕緣體膜１３１作為設置在柵極和導電體層之間的柵極絕緣膜。此外，所述透明絕緣體膜１３１是有下述涂布劑形成，所述涂...

一種均熱裝置，包括：容器構造體，該容器構造體具有在內部填充有工作流體、且對被加熱材料加熱以使被加熱材料汽化的加熱塊（１）；加熱單元（６），該加熱單元（６）配置在容器構造體的底部；以及材料供應管（１１），該材料供應管（１１）將容器構造體的...

一種超聲波診斷裝置，具備：發送部，該發送部驅動用于向活體的組織發送超聲波發送波的超聲波探頭；接收部，該接收部將所述超聲波發送波在所述活體的組織中反射后獲得的、被所述超聲波探頭接收的超聲波反射波放大，生成接收信號；基準變位量測定部，該基準...

本發明提供一種半導體裝置，通過對支承SOI層的硅基板的雜質濃度 進行調整，并控制在與SOI層相接的硅基板表面形成的嵌入絕緣層的厚 度，可得到能夠調整閾值的晶體管。

本發明的半導體裝置以及多層布線基板中，在多層布線結構所包含的第一布線層與第二布線層之間介入相對介電常數平均在２．５以下的氣體或者絕緣物。在第一布線層中的布線與第二布線層中的布線之間設置導電連接體，在第一布線層中的規定的布線與第二布線層中...

超聲波診斷裝置，具備：發送部（１０２），其驅動用于向包含動脈血管壁在內的被檢查體的計測區域發送超聲波的超聲波探頭；接收部（１０１），其使用所述超聲波探頭接收所述超聲波在所述被檢查體中反射后獲得的反射波，生成接收信號；運動信息計算部（１１...

本發明提供一種半導體基板及半導體裝置，在半導體基板表面按原子臺階形成階梯狀的多個平臺實質上沿同一方向形成。并且，使用該半導體基板，以在載流子移動方向（源極－漏極方向）不存在臺階的方式形成ＭＯＳ晶體管。

一種積累型晶體管，溝道區半導體層的雜質濃度高于２×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］，從而能夠承受更大的柵極電壓擺幅。