發(fā)光二極管晶元封裝體及其制造方法技術

一種發(fā)光二極管晶元封裝體被提供，該發(fā)光二極管封裝體包含：一個發(fā)光二極管晶片，其具有p型電極和n型電極；一個用于容置該發(fā)光二極管晶片的容置殼體，該容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入該容置空間的開放端、與該開放端相對的封閉端、和兩形成于該封閉端的表面的貫孔，該發(fā)光二極管晶片置于該容置殼體的容置空間內(nèi)以致于該發(fā)光二極管晶片的p型電極和n型電極經(jīng)由該容置殼體的對應的貫孔暴露；及一個具有導體布設表面和布設于該導體布設表面上的預定的導體的承載體，容置于該容置殼體的容置空間內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于該承載體的導體布設表面上且其電極經(jīng)由導線電氣連接到該承載體的導體布設表面上的預定的導體。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及一種，更特別地，涉及一種能夠有效減少規(guī)格(bin)數(shù)目的。
技術介紹
圖31是一個顯示一種公知發(fā)光二極管封裝體的示意側(cè)視圖。圖32是一個顯示相同波長與相同亮度的發(fā)光二極管晶片在封裝后的規(guī)格分布的示意圖。請參閱圖31所示，該公知發(fā)光二極管封裝體包括一個置放于導線架90上的發(fā)光二極管晶片91，及一個形成于該導線架90上可覆蓋該發(fā)光二極管晶片91的透鏡92。該發(fā)光二極管晶片91的電極(圖中未示)經(jīng)由導線93來與該導線架90的對應的電極接腳900電氣連接。應要注意的是，在該發(fā)光二極管晶片91的電極側(cè)表面上形成有一熒光粉層94。該熒光粉層94的形成包含如下的步驟:涂布液態(tài)熒光粉層材料于該發(fā)光二極管晶片91的電極側(cè)表面上；及以烘烤工藝使該液態(tài)熒光粉層材料硬化以形成該熒光粉層94。然而，目前該熒光粉層94的形成會具有如下的缺點:1.厚度不均勻-液態(tài)熒光粉層材料在烘烤硬化之前會向四面八方流動，因此，形成在每個發(fā)光二極管晶片91上的熒光粉層94在厚度上會有所不同。2.面積不相同-與第I點同理，形成在每個發(fā)光二極管晶片91上的熒光粉層94在面積上亦會因此而有所不同。3.形狀不相同-與第I點同理，形成在每個發(fā)光二極管晶片91上的熒光粉層94在形狀上亦會因此而有所不同。4.相對位置偏移-與第I點同理，形成在每個發(fā)光二極管晶片91上的熒光粉層94與該對應的發(fā)光二極管晶片91的相對位置會因此而有所不同。由于以上的缺點，將會導致原本相同波長且相同亮度的發(fā)光二極管晶片在封裝之后變成多種色溫不同、亮度不同與波長不同的發(fā)光二極管封裝體，即，所謂的Side bins (不良品)。請參閱圖32所示，因以上所述的問題而產(chǎn)生的規(guī)格分布如圖所示。應要注意的是，原本屬同一規(guī)格的發(fā)光二極管晶片在封裝之后會分成128個規(guī)格,然而,一般會被使用的范圍僅在中間的大約60 %，因此，在封裝之后相當于40%的發(fā)光二極管封裝體會變成不良品，而因此導致生產(chǎn)成本增加。另一方面，由于導線93的截面積太小，因此由該發(fā)光二極管晶片91產(chǎn)生的熱難以經(jīng)由導線架90的電極接腳900傳導出來，進而影響該發(fā)光二極管封裝體的效能。有鑒于此，本案申請人曾向鈞局提出名稱為“”的專利技術專利申請案， 該專利技術專利申請案被獲編號第097118327號案且目前尚在審查中；如今，本案申請人以其從事該行業(yè)的多年經(jīng)驗，并本著精益求精的精神，積極研究改良，遂再有本專利技術“”產(chǎn)生。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的是提供一種。根據(jù)本專利技術的特征，一種發(fā)光二極管晶元封裝體被提供，該發(fā)光二極管封裝體包含:一個發(fā)光二極管晶片，其具有P型電極和η型電極；一個用于容置該發(fā)光二極管晶片的容置殼體，該容置殼體是由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入該容置空間的開放端、與該開放端相對的封閉端、和兩形成于該封閉端的表面的貫孔，該發(fā)光二極管晶片置于該容置殼體的容置空間內(nèi)以致于該發(fā)光二極管晶片的P型電極和η型電極經(jīng)由該容置殼體的對應的貫孔暴露；及一個具有導體布設表面和布設于該導體布設表面上的預定的導體的承載體，容置于該容置殼體的容置空間內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于該承載體的導體布設表面上且其電極經(jīng)由導線電氣連接到該承載體的導體布設表面上的預定的導體。根據(jù)本專利技術的另一特征，一種發(fā)光二極管晶元封裝體被提供，該發(fā)光二極管晶元封裝體包含:一個發(fā)光二極管晶片，其具有P型電極和η型電極，所述多個電極中的一者位于該發(fā)光二極管晶片的底部而所述多個電極中的另一者位于該發(fā)光二極管晶片的頂部；一個用于容置該發(fā)光二極管晶片的容置殼體，該容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入該容置空間的開放端、與該開放端相對的封閉端、和形成于該封閉端的表面的貫孔，該發(fā)光二極管晶片置于該容置殼體的容置空間內(nèi)以致于該發(fā)光二極管晶片的P型電極與η型電極中的一者經(jīng)由該容置殼體的貫孔暴露而該發(fā)光二極管晶片的P型電極與η型電極中的另一者經(jīng)由該容置殼體的開放端暴露；及一個具有導體布設表面和布設于該導體布設表面上的預定的導體的承載體，容置于該容置殼體的容置空間內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于該承載體的導體布設表面上以致于該發(fā)光二極管晶片的由該容置殼體的開放端暴露的電極與該承載體的導體布設表面上的預定的導體電氣連接而其由該容置殼體的貫孔暴露的電極經(jīng)由導線電氣連接到該承載體的導體布設表面上的其他預定的導體。根據(jù)本專利技術的再一特征，一種發(fā)光二極管晶元封裝體被提供，該發(fā)光二極管晶元封裝體包含:一個發(fā)光二極管晶片，其具有P型電極和η型電極；一個容置殼體，該容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入該容置空間的開放端、及兩個形成在該開放端端面的導體形成槽；填充 于該容置殼體的容置空間的透光材料層，該發(fā)光二極管晶片是在電極背向該透光材料層之下固定到該透光材料層以致于該發(fā)光二極管晶片的電極位于對應的導體形成槽附近；及形成于每個導體形成槽內(nèi)且延伸到該發(fā)光二極管晶片的對應的電極可與對應的電極電氣連接的導體。根據(jù)本專利技術的又另一特征，一種發(fā)光二極管晶元封裝體的封裝方法被提供，該方法包含如下的步驟:形成一個具有數(shù)個成矩陣排列的容置殼體的支架，該支架由透光材料形成，每個容置殼體具有開放端與經(jīng)由該開放端進入的具有大致矩形形狀的輪廓的容置空間，于每個容置殼體的面向開放端的表面上形成有至少一貫孔；于每個容置空間內(nèi)置入具有至少一電極的發(fā)光二極管晶片，以致于每個發(fā)光二極管晶片的電極與對應的容置空間的貫孔對準；通過切割處理來使所述多個容置殼體彼此分開并且把每個容置于容置殼體內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于承載體上，每個承載體具有導體布設表面和布設在該導體布設表面上的預定的導體；及以導線把每個發(fā)光二極管晶片的電極電氣連接到其對應的承載體的對應的導體。根據(jù)本專利技術的又再另一特征，一種發(fā)光二極管晶元封裝體的封裝方法被提供，該方法包含如下的步驟:形成一個具有數(shù)個成矩陣排列的容置殼體的支架，該支架由透光材料形成，每個容置殼體具有開放端、經(jīng)由該開放端進入的容置空間、及兩個形成在該開放端端面的導體形成槽；于每個容置空間內(nèi)填充透光材料以形成透光材料層；提供數(shù)個各具有兩個電極的發(fā)光二極管晶片，每個發(fā)光二極管晶片是在電極背向透光材料層之下固定到對應的容置空間內(nèi)的透光材料層以致于該發(fā)光二極管晶片的電極位于對應的導體形成槽附近；于每個容置殼體的每個導體形成槽內(nèi)形成有延伸到該每個容置殼體的發(fā)光二極管晶片的對應的電極的導體；及通過切割處理來使所述多個容置殼體彼此分開。附圖說明圖1至圖5是為用以說明本專利技術的第一優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體的制造方法的示意圖；圖6至圖10是為用以說明本專利技術的第二優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體的制造方法的示意圖；圖11至圖14是為用以說明本專利技術的第三優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體的制造方法的示意圖；圖15至圖18是為用以說明本專利技術的第四優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體的制造方法的示意圖；圖19至圖22是為用以說明本專利技術的第五優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體的制造方法的示意圖；圖23和圖24是為顯示本專利技術的第六優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體的示意圖；圖25和圖26是為顯示本專利技術的第三優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體應用于背光條的范例圖示；圖27和圖28是為顯示本專利技術的第四優(yōu)選實施例的發(fā)光二極管晶元封裝體應用于背光條的范本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種發(fā)光二極管晶元封裝體，包含：一個發(fā)光二極管晶片，其具有p型電極和n型電極；一個用于容置所述發(fā)光二極管晶片的容置殼體，所述容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入所述容置空間的開放端、與所述開放端相對的封閉端、和兩形成于所述封閉端的表面的貫孔，所述發(fā)光二極管晶片置于所述容置殼體的容置空間內(nèi)以致于所述發(fā)光二極管晶片的p型電極和n型電極經(jīng)由所述容置殼體的對應的貫孔暴露；及一個具有導體布設表面和布設于所述導體布設表面上的預定的導體的承載體，容置于所述容置殼體的容置空間內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于所述承載體的導體布設表面上且其電極經(jīng)由導線電氣連接到所述承載體的導體布設表面上的預定的導體。

【技術特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管晶兀封裝體，包含: 一個發(fā)光二極管晶片，其具有P型電極和η型電極； 一個用于容置所述發(fā)光二極管晶片的容置殼體，所述容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入所述容置空間的開放端、與所述開放端相對的封閉端、和兩形成于所述封閉端的表面的貫孔，所述發(fā)光二極管晶片置于所述容置殼體的容置空間內(nèi)以致于所述發(fā)光二極管晶片的P型電極和η型電極經(jīng)由所述容置殼體的對應的貫孔暴露；及 一個具有導體布設表面和布設于所述導體布設表面上的預定的導體的承載體，容置于所述容置殼體的容置空間內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于所述承載體的導體布設表面上且其電極經(jīng)由導線電氣連接到所述承載體的導體布設表面上的預定的導體。2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管晶元封裝體，其中，所述容置殼體由摻雜有熒光粉的透光材料形成。3.如權利要求1所述的發(fā)光二極管晶元封裝體，其中，所述發(fā)光二極管晶片是通過透明粘著材料來固定在所述容置殼體的容置空間內(nèi)。4.一種發(fā)光二極管晶兀封裝體，包含: 一個發(fā)光二極管晶片，其具有P型電極和η型電極,所述多個電極之一位于所述發(fā)光二極管晶片的底部而所述多個電極之另一位于所述發(fā)光二極管晶片的頂部； 一個用于容置所述發(fā)光二極管晶片的容置殼體，所述容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入所述容置空間的開放端、與所述開放端相對的封閉端、和形成于所述封閉端的表面的貫孔，所述發(fā)光二極管晶片置于所述容置殼體的容置空間內(nèi)以致于所述發(fā)光二極管晶片的P型電極與η型電極中之一經(jīng)由所述容置殼體的貫孔暴露而所述發(fā)光二極管晶片的P型電極與η型電極中之另一經(jīng)由所述容置殼體的開放端暴露；及 一個具有導體布設表面和布設`于所述導體布設表面上的預定的導體的承載體，容置于所述容置殼體的容置空間內(nèi)的發(fā)光二極管晶片置于所述承載體的導體布設表面上以致于所述發(fā)光二極管晶片的由所述容置殼體的開放端暴露的電極與所述承載體的導體布設表面上的預定的導體電氣連接而其由所述容置殼體的貫孔暴露的電極經(jīng)由導線電氣連接到所述承載體的導體布設表面上的其他預定的導體。5.如權利要求4所述的發(fā)光二極管晶元封裝體，其中，所述容置殼體由摻雜有熒光粉的透光材料形成。6.如權利要求1所述的發(fā)光二極管晶元封裝體，其中，所述發(fā)光二極管晶片通過透明粘著材料來固定在所述容置殼體的容置空間內(nèi)。7.一種發(fā)光二極管晶兀封裝體，包含: 一個發(fā)光二極管晶片，其具有P型電極和η型電極； 一個容置殼體，所述容置殼體由透光材料形成并且具有容置空間、用于進入所述容置空間的開放端、及兩個形成在所述開放端端面的導體形成槽； 填充于所述容置殼體的容置空間的透光材料層，所述發(fā)光二極管晶片在電極背向所述透光材料層之下固定到所述透光材料層以致于所述發(fā)光二極管晶片的電極位于對應的導體形成槽附近 '及 形成于每個導體形成槽內(nèi)且延伸到所述發(fā)光二極管晶片的對應的電極可與對應的電極電氣連接的導體。8.如權利要求7所述的發(fā)光二極管晶元封裝體，其中，所述容置殼體由摻雜有熒光粉的...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：沈育濃，
申請(專利權)人：長春藤控股有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：