【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本公開涉及布線基板、發(fā)光器件以及布線基板的制造方法。
技術(shù)介紹
在相關(guān)技術(shù)中,已提出發(fā)光元件裝配在基板上的多種形狀的發(fā)光器件。作為該種發(fā)光器件,已知這樣的結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,布線層形成在絕緣層上,該絕緣層形成在由金屬制成的基板上,并且諸如發(fā)光二極管(LED)之類的發(fā)光元件被裝配在布線層上(例如,參見JP-A-2003-092011)。在此,在發(fā)光器件中,當(dāng)發(fā)光二極管導(dǎo)通時(shí),發(fā)光二極管生成熱,結(jié)果,溫度增加,從而減小發(fā)光二極管的發(fā)射效率。為此,為了有效地消散從發(fā)光二極管生成的熱,熱經(jīng)由布線層和絕緣層被傳導(dǎo)至由金屬制成的基板。然而,由于具有低熱導(dǎo)率的絕緣層被插在布線層和基板之間,因此存在散熱性能惡化的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的示例實(shí)施例解決以上缺陷和以上未描述的其他缺陷。然而,本專利技術(shù)不要求克服上述缺陷,從而本專利技術(shù)的示例實(shí)施例可以不克服上述任何缺陷。根據(jù)本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)說明性方面,提供一種布線基板。該布線基板包括:散熱片;所述散熱片上的第一絕緣層;所述第一絕緣層上的布線圖,其中,所述布線圖被配置成在其上裝配發(fā)光元件;以及所述第一絕緣層上的第二絕緣層,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露。 根據(jù)本專利技術(shù)的該方面,可以提供能夠改進(jìn)散熱性能的布線基板。根據(jù)以下說明書、附圖和權(quán)利要求,本專利技術(shù)的其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。附圖說明圖1A是示出根據(jù)第一實(shí)施例的布線基板的示意性平面圖;圖1B是沿著圖1A中所示的布線基板的線A-A的示意性截面圖;圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的布線圖和金屬層的示意性平面圖;圖3A是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的示意性平面圖;圖 ...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種布線基板,包括:散熱片;第一絕緣層,在所述散熱片上;布線圖,在所述第一絕緣層上,其中,所述布線圖被配置成在其上裝配發(fā)光元件;以及第二絕緣層,在所述第一絕緣層上,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露。
【技術(shù)特征摘要】
2012.01.25 JP 2012-0132411.一種布線基板,包括: 散熱片; 第一絕緣層,在所述散熱片上; 布線圖,在所述第一絕緣層上,其中,所述布線圖被配置成在其上裝配發(fā)光元件;以及 第二絕緣層,在所述第一絕緣層上,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板, 其中,所述布線圖包括: 第一表面; 與所述第一表面相反的第 二表面,所述第二表面面對所述第一絕緣層;以及 側(cè)表面,在所述第一表面和所述第二表面之間, 其中,所述第二絕緣層與所述布線圖的所述側(cè)表面的至少一部分接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板,其中,所述第一絕緣層的熱導(dǎo)率和所述第二絕緣層的熱導(dǎo)率在lW/mK至10W/mK的范圍內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板,其中,所述第二絕緣層的厚度小于所述布線圖的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線基板,還包括: 金屬層,在所述布線圖上,用以接觸所述布線圖的所述第一表面和所述側(cè)表面,其中,所述發(fā)光元件將經(jīng)由所述金屬層被裝配在所述布線圖上, 其中,所述第二絕緣層接觸所述金屬層的至少一部分。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的布線基板,還包括: 第一反射層,具有在所述第二絕緣層上的開口,使得所述金屬層從所述開口暴露,并且所暴露的金屬層用作用于在其上裝配所述發(fā)光元件的焊盤。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的布線基板,還包括: 金屬層,在所述布線圖上,用以完全覆蓋所述第一表面; 第一反射層,在所述第二絕緣層上,用以接觸所述金屬層的整個(gè)側(cè)表面,以及 其中,所述金屬層的暴露表面與所述第一反射層的暴露表面齊平。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的布線基板,其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層由相同材料制成。9.一種發(fā)光器件,包括: 權(quán)利要求1所述的布線基板; 發(fā)光元件,裝配在所述布線基板上;以及 封裝樹脂,封裝所述發(fā)光元件。10.一種制造布線基板的方法,所述方法包括: (a)在第一絕緣層上形成布線圖,該第一絕緣層形成在散熱片上; (b)在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層,使得所述布線圖從所述第二絕緣層暴露;以及 (C)形成在所述第二絕緣層上具有開口的第一反射層,使得一部分布線圖從所述開口暴露,其中,從所述開口暴露的所述部分...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:村松茂次,清水浩,小林和貴,
申請(專利權(quán))人:新光電氣工業(yè)株式會社,
類型:發(fā)明
國別省市:
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