本發(fā)明專利技術涉及一種硅基轉接板的封裝方法，屬于半導體封裝技術領域。一種硅基轉接板的封裝方法，包括步驟：提供硅基載體（1），在硅基載體（1）的正面設置包封區(qū)域（2）；采用激光開孔的方式在所述包封區(qū)域（2）內開設若干個豎孔（21）；采用化學鍍或者電鍍方式在豎孔（21）內填充導電介質，便于分別與設置于硅基載體（1）正面、背面的正面布線金屬層（41）、背面布線金屬層（42）對應電連接。本發(fā)明專利技術硅基轉接板的封裝方法簡單、封裝成本低、產(chǎn)品成品率高。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及，屬于半導體封裝
技術介紹
隨著半導體技術的發(fā)展，硅通孔互聯(lián)技術成為半導體封裝的常用方法。硅通孔互聯(lián)技術通常包含硅通孔制作、PECVD (等離子增強氣相沉積)技術成形絕緣層以及金屬填充，該技術極大地增加了半導體封裝的靈活性。硅通孔互聯(lián)技術也已經(jīng)應用于硅基轉接板的封裝，硅通孔形成過程主要采用“B0SCH”刻蝕方法，即交替使用刻蝕及鈍化工藝，“B0SCH”刻蝕方法最終會在孔壁上留下高低起伏的紋路(scallop)，即孔壁波紋，如圖1所示，“B0SCH”的交替刻蝕方法不僅速度慢，而且孔壁波紋造成后續(xù)所用PECVD (等離子增強氣相沉積)形成的絕緣層覆蓋不完整。同時，在硅基轉接板的封裝過程中，常用CMP (化學機械拋光)工藝進行表面整平及通孔內金屬的底端暴露，在此拋光過程中，往往造成金屬或金屬離子遷移，使器件產(chǎn)生漏電，導致產(chǎn)品失效。以上因素，導致了現(xiàn)有的硅基轉接板的封裝技術成本高、產(chǎn)品成品率低。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的在于克服上述不足，提供一種封裝結構簡單、封裝成本低、產(chǎn)品成品率高的硅基轉接板的封裝方法。本專利技術是這樣實現(xiàn)的:，包括步驟: 提供硅基載體，在硅基載體的正面設置包封區(qū)域； 采用激光開孔的方式在所述包封區(qū)域內開設若干個豎孔； 采用化學鍍或者電鍍方式在豎孔內填充導電介質，便于分別設置于硅基載體正面、背面的正面布線金屬層、背面布線金屬層對應電連接。可選地，在所述硅基載體的正面設置包封區(qū)域之前，還包括步驟: 在所述硅基載體的表面進行布線，形成陣列排布的半導體工藝與布線區(qū)域。可選地，所述包封區(qū)域設置在相鄰半導體工藝與布線區(qū)域之間形成的溝槽內，所述溝槽用機械切割或刻蝕的方法形成，所述包封區(qū)域通過晶圓包封或印刷的方法形成。可選地，在硅基載體的正面設置正面再布線金屬層之前，還包括步驟: 所述硅基載體與包封區(qū)域的正面涂布正面絕緣層，并形成正面絕緣層開口，所述正面再布線金屬層成形于正面絕緣層上，所述豎孔內的導電介質通過正面絕緣層開口延伸至正面布線金屬層。可選地，所述正面再布線金屬層表面涂布正面保護層，并形成若干個正面保護層開口，露出正面再布線金屬層。可選地，所述正面再布線金屬層表面的正面保護層開口內通過電鍍方式形成若干個金屬微凸點和金屬微凸點頂端的錫凸塊。可選地，在所述硅基載體的背面設置背面布線金屬層之前，還包括步驟:提供載體圓片，與所述硅基載體用鍵合劑進行臨時鍵合； 所述娃基轉接板翻轉180° ,并將娃基載體減薄,至露出豎孔內的導電介質； 上述硅基載體與包封區(qū)域的背面涂布背面絕緣層，并形成背面絕緣層開口，所述背面再布線金屬層成形于背面絕緣層上，所述豎孔內的導電介質通過背面絕緣層開口延伸至背面布線金屬層。可選地，所述背面再布線金屬層表面形成背面保護層，并形成若干個背面保護層開口，露出背面再布線金屬層。可選地，所述背面再布線金屬層表面的背面保護層開口內通過電鍍方式形成若干個錫球或若干個金屬柱以及金屬柱頂端的錫帽。可選地，通過拆鍵合的方法剝離載體，并將剩余封裝結構轉移至劃片膜(帶有金屬環(huán))上劃片，形成單顆的硅基轉接板的封裝結構。本專利技術的有益效果是: 1、利用硅基轉接板四周的包封區(qū)域內形成的豎孔結構，在豎孔內填充導電介質，并分別與設置于硅基載體正面、背面的正面布線金屬層、背面布線金屬層連接，實現(xiàn)了電訊號傳遞與熱傳遞，此封裝結構簡單，很好地解決了硅通孔結構的工藝問題； 2、在包封區(qū)域上采用激光開孔，結合化學鍍或者電鍍方式在豎孔內填充導電介質，工藝成熟，既降低了工藝操作的復雜性，也降低了產(chǎn)品成本，提升了產(chǎn)品良率和可靠性。附圖說明圖1為現(xiàn)有技術產(chǎn)生的硅通孔孔壁波紋的示意圖。圖2為本專利技術的實施例一的結構示意圖。圖3為圖2的A-A剖視圖。圖4為本專利技術的實施例二的結構示意圖。圖5為本專利技術的實施例三的結構示意圖。圖6 圖22為本專利技術的過程示意圖。圖中: 硅基載體I 半導體工藝與布線區(qū)域11 溝槽12 包封區(qū)域2 豎孔21 正面絕緣層31 正面絕緣層開口 311 背面絕緣層32 背面絕緣層 開口 321 正面再布線金屬層41 背面再布線金屬層42 正面保護層51 正面保護層開口 511背面保護層52 背面保護層開口 521 錫球6 金屬柱7 錫帽8 金屬微凸點9 錫凸塊10 載體圓片Tl 鍵合劑Tll 劃片膜T2。具體實施例方式參見圖2至圖5，本專利技術的三個實施例，其封裝結構包括硅基載體1、絕緣層、再布線金屬層和保護層。硅基載體I表面設置半導體工藝與布線區(qū)域11，硅基載體I的四周設置包封區(qū)域2，包封區(qū)域2與硅基載體I的側面包封連接。包封區(qū)域2的材料為樹脂，通常為環(huán)氧類樹脂材料，內含填充料，以減小樹脂材料與硅材料之間的熱膨脹系數(shù)差異較大的問題，提升結構的熱機械可靠性。包封連接處可以呈臺階狀，利用單個或多個臺階增加包封料與硅基載體I之間的結合面積，從而提升包封區(qū)域2與硅基載體I的結合力，如圖2放大的示意圖所示。所述絕緣層包括正面絕緣層31和背面絕緣層32，再布線金屬層包括正面再布線金屬層41和背面再布線金屬層42，所述保護層包括正面保護層51和背面保護層52。所述正面絕緣層31設置 在硅基載體I和包封區(qū)域2的正面，所述正面再布線金屬層41選擇性地覆蓋在正面絕緣層31上，所述正面保護層51設置在正面再布線金屬層41上，并于正面再布線金屬層41上形成若干個正面保護層開口 511 ;所述背面絕緣層32設置在硅基載體I和包封區(qū)域2的背面，所述背面再布線金屬層42選擇性地覆蓋在背面絕緣層32下，所述背面保護層52設置在背面再布線金屬層42下，并于背面再布線金屬層42下形成若干個背面保護層開口 521。其中，正面再布線金屬層41與背面再布線金屬層42的具體層數(shù)可按照產(chǎn)品要求設置為一層或多層，通常的，正面再布線金屬層41為高密度布線層，即線寬/線距在5um以下。保護層材料通常包括氧化硅、氮化硅或樹脂類介電材料，不同再布線金屬層之間的介電材料可以相同，也可以不同。正面再布線金屬層41上形成的正面保護層開口 511和背面再布線金屬層42下形成的背面保護層開口 521，便于后續(xù)元件的連接，如圖2和圖4所示。正面保護層開口 511內可以設置頂端帶有錫凸塊10的金屬微凸點9，且金屬微凸點9成陣列排布。背面保護層開口 521內設置錫球6，錫球6成陣列排布，如圖4所示，或設置頂端帶有錫帽8的金屬柱7,金屬柱7成陣列排布，如圖5所示。所述包封區(qū)域2內設置單排或多排陣列的豎孔21。所述豎孔21內填充導電介質。豎孔21內金屬的上端、下端分別與正面再布線金屬層41、背面再布線金屬層42連接，是硅基轉接板正/反面電訊號的連接通道，同時也是封裝結構的散熱通道之一。圖6至圖22為本專利技術的剖面示意圖。，包括步驟: 提供硅基載體1，在硅基載體I的正面設置包封區(qū)域2 ； 采用激光開孔的方式在所述包封區(qū)域2內開設若干個豎孔21 ； 采用化學鍍或者電鍍方式在豎孔21內填充導電介質，便于分別設置于硅基載體I正面、背面的正面布線金屬層41、背面布線金屬層42對應電連接。的實施例 如圖6所示，在硅基載體I表面進行布線，形成陣列排布的半導體工藝與布線區(qū)域11。在該布線區(qū)域利用傳統(tǒng)的CMOS (金屬氧本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
一種硅基轉接板的封裝方法，包括步驟：提供硅基載體（1），在硅基載體（1）的正面設置包封區(qū)域（2）；采用激光開孔的方式在所述包封區(qū)域（2）內開設若干個豎孔（21）；?采用化學鍍或者電鍍方式在豎孔（21）內填充導電介質，便于分別設置于硅基載體（1）正面、背面的正面布線金屬層（41）、背面布線金屬層（42）對應電連接。
【技術特征摘要】
1.一種硅基轉接板的封裝方法，包括步驟: 提供硅基載體(1)，在硅基載體(I)的正面設置包封區(qū)域(2)； 采用激光開孔的方式在所述包封區(qū)域(2)內開設若干個豎孔(21)； 采用化學鍍或者電鍍方式在豎孔(21)內填充導電介質，便于分別設置于硅基載體(I)正面、背面的正面布線金屬層(41)、背面布線金屬層(42)對應電連接。2.根據(jù)權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述硅基載體(I)的正面設置包封區(qū)域(2)之前，還包括步驟: 在所述硅基載體(I)的表面進行布線，形成陣列排布的半導體工藝與布線區(qū)域(11)。3.根據(jù)權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述包封區(qū)域(2)設置在相鄰半導體工藝與布線區(qū)域(11)之間形成的溝槽(12)內，所述溝槽(12)用機械切割或刻蝕的方法形成，所述包封區(qū)域(2)通過 晶圓包封或印刷的方法形成。4.根據(jù)權利要求3所述的封裝方法，其特征在于，在硅基載體(I)的正面設置正面再布線金屬層(41)之前，還包括步驟: 所述硅基載體(I)與包封區(qū)域(2)的正面涂布正面絕緣層(31)，并形成正面絕緣層開口(311)，所述正面再布線金屬層(41)成形于正面絕緣層(31)上，所述豎孔(21)內的導電介質通過正面絕緣層開口(311)延伸至正面布線金屬層(41)。5.根據(jù)權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述正面再布線金屬層(41)表面涂布正面保護層(51)，并形成若干個正面保護層開口(511)，露出正面再布線金屬層...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：張黎，賴志明，陳棟，陳錦輝，
申請(專利權)人：江陰長電先進封裝有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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