透光殼體及其制造方法與應用其的光學組件技術

提供一種透光殼體的制造方法。此透光殼體用以使一光學元件發出或接受的光線通過。透光殼體的制造方法包括提供一透光基板，此透光基板具有相對的上表面及下表面；自透光基板的上表面蝕刻透光基板，形成多個容置空間，此些容置空間的側壁內側面垂直于透光基板的上表面；自透光基板的下表面蝕刻透光基板未形成容置空間的部份，以形成多個蓋體；以及裁切透光基板以分離多個蓋體。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術是有關于一種透光殼體及其制造方法與應用其的光學組件，且特別是有關于一種一體成型的透光殼體及其制造方法，以及應用此透光殼體的光學組件。
技術介紹
在半導體封裝的
中，對于具有光發射或接收功能的光學元件，一方面需將其氣密地(hermetically)封裝在一殼體中，以避免受到空氣中的水氣影響，另一方面又需要在包覆光學元件的殼體設置光的出入部，以允許光線射出或進入。設置光出入部的其中一種方式是在殼體開設讓光線能夠通過的開口，并在此開口設置透光的導光部件，以密封住開口部。另外，為了確保位于殼體內的光學元件所發出或接收的光線不會產生不必要的反射，并進一步地提高光線傳送的品質，通常會在可透光的導光部件表面鍍上抗反射層(ant1-reflection film)。但由于殼體分為本體以及導光部件兩部份，多出的工藝步驟使制造難度與成本皆提高，且鍍膜的品質也較難控制
技術實現思路
本專利技術提供一種直接制造透光殼體的方法，不僅工藝簡單，且鍍膜品質良好。根據本專利技術的一實施例，提出一種透光殼體的制造方法。制造方法包括:提供一透光基板，此透光基板具有相對的上表面及下表面；自透光基板的上表面蝕刻透光基板，形成多個容置空間，此些容置空間的側壁內側面垂直于透光基板的上表面；自透光基板的下表面蝕刻透光基板未形成容置空間的部份，以形成多個蓋體；以及裁切透光基板以分離多個蓋體。根據本專利技術的一實施例，提出一種透光殼體。透光殼體包括頂壁與側壁。側壁的一端連接頂壁，側壁與頂壁頂壁形成一容置空間。容置空間用以容納一光學元件，光學元件發出或接受的光線通過所述側壁。側壁的表面粗糙度小于光學元件發出或接受的光線波長的十分的一。根據本專利技術的一實施例，提出一種光學組件。光學組件包括基板、光學元件以及透光殼體。光學元件設于基板上。透光殼體設于所述基板上，并包括頂壁及側壁。側壁的一端連接頂壁，側壁與頂壁頂壁形成容置空間。光學元件位于容置空間內。側壁的表面粗糙度小于光學元件發出或接受的光線波長的十分的一。為了對本專利技術的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細說明如下:附圖說明圖1繪示根據本專利技術一實施例的透光殼體的立體圖。圖2A至圖2E繪示圖1所示透光殼體的制造方法的示意圖。圖3A繪示根據本專利技術一實施例的光學組件的立體圖。圖3B繪示圖3A的光學組件的剖面圖。符號說明:100:透光殼體110:頂壁120:側壁130:外緣140:抗反射層150:容置空間160:透光基板161:上表面162:下表面 170:蓋體200:光學元件300:基板400:黏著層1000:光學組件具體實施例方式以下實施例所提出的細部步驟和結構僅為舉例說明之用，本專利技術欲保護的范圍并非僅限于該些方式。再者，下列圖式已簡化以利清楚說明實施例的內容，圖式上的尺寸比例并非按照實際產品等比例繪制，因此并非作為限縮本專利技術保護范圍之用。請參照圖1，其繪示根據本專利技術一實施例的透光殼體的立體圖。透光殼體100包括頂壁110、側壁120、外緣130以及抗反射層140。頂壁110與側壁120互相垂直，且側壁120的一端連接頂壁110。外緣130連接于側壁120的另一端，并朝側壁120的外側延伸。抗反射層140鍍于整個透光殼體140的表面。頂壁110與側壁120形成一容置空間150。容置空間150可用以容納一光學元件(未繪示)。光學元件發出或接受的光線通過側壁120。透光殼體100的形狀可以是矩形、方形、圓形或其他幾何形狀，此處以矩形為例。在一實施例中，頂壁110及側壁120的表面粗糙度可小于光學元件所發射或接受的光的波長的十分之一。舉例來說，若光學元件發射的光波長為1700奈米(nm)，則將表面粗糙度設計為低于170奈米，以減少在光線入射透光殼體100的表面時所發生的散射現象。抗反射層140則減少光線入射至透光殼體100的表面時所發生的反射現象，并進一步地提聞光線傳送的品質。以下以圖2A至圖2E說明圖1所示的透光殼體的制造方法。請參照圖2A,提供一透光基板160,具有一上表面161與相對的一下表面162。透光基板160可為無機或有機材質，例如包括透明樹脂、硅間隔板(Si interposer)、陶瓷基板(ceramic substrate)、玻璃基板(glass substrate)、環氧玻璃絲基板或其他可透光的材質。請參照圖2B，正向蝕刻透光基板160的上表面161，在透光基板160上形成多個容置空間150，正向蝕刻的方法例如是激光蝕刻之類的干式蝕刻。容置空間由頂壁110與側壁120圍繞而成。經由激光可以對透光基板160進行精確的蝕刻，使側壁120的內側面與透光基板160的上表面161互相垂直，形成垂直于頂壁110的側壁120，也可以降低蝕刻面(頂壁110與側壁120的內側面)的粗糙度，例如降低粗糙度為通過透光殼體光線波長的十分之一。激光蝕刻例如可使用準分子激光(excimer laser)進行，但并不限制于此。接著，請參照圖2C，自透光基板160的下表面162進行背向蝕刻。背向蝕刻的位置對應于透光基板160中未形成容置空間150的部份，以形成多個外緣130。背向蝕刻的方法可以與正向蝕刻相同，采用激光蝕刻之類的干式蝕刻，以便精確的進行垂直蝕刻，并降低側壁120外側面以及外緣130的粗糙度。經正向蝕刻與背向蝕刻后的透光基板160由多個蓋體170相連而成。本實施例中，各蓋體170的頂壁110、側壁120、以及外緣130的厚度t實質上相同，但并不限定于此，可藉調整正向蝕刻及背向蝕刻的時間與范圍做變化。激光蝕刻例如可使用準分子激光(excimer laser)進行,但并不限制于此。再來，如圖2D所示，自外緣130處裁切透光基板，以將多個蓋體170分離。各蓋體保留的外緣130延伸長度I可依需求調整。一實施例中，整個蓋體(頂壁110、側壁120、外緣130)的厚度t為0.4毫米(mm)， 而外緣的延伸長度I為10微米(μ m)，外緣的尺寸相較于其厚度來說非常小，肉眼難以分出差異，僅會影響之后的封裝步驟。接著,如圖2E所示,在蓋體170的表面鍍上抗反射層140,即完成圖1所示的透光殼體100。抗反射層140可以選用折射率與透光基板160不同的材質。本實施例中，鍍上抗反射層140的步驟在裁切透光基板(圖2D)之后進行，也就是一次鍍一個蓋體170。在其他實施例中，鍍上抗反射層140的步驟亦可在裁切透光基板之前進行，便可以一次將整個透光基板上的蓋體170都鍍上抗反射層140。本實施例直接以可透光的材質作為基材，再進行蝕刻制成透光殼體，可以用簡單的工藝制造透光殼體，由于步驟較少，還可以進一步降低成本，更可以在透光殼體成型之后先行鍍膜，提升鍍膜品質。請參照圖3A，其繪示根據本專利技術一實施例的光學組件的立體圖。光學組件1000包括上述的透光殼體100、光學兀件200以及基板300。透光殼體經由一黏著層400與基板300接合，并包覆光學元件200于基板300上。圖3B繪示圖3A的光學組件的剖面圖，光學元件200可發出光線500，光線500通過透光殼體100而射出光學組件1000。在另一實施例中，光線可通過透光殼體100而進入光學組件1000，然后被光學元件200接收。外緣130增加了透光殼體100與基板本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種透光殼體的制造方法，其特征在于，所述透光殼體用以供一光學元件發出或接受的光線通過，所述透光殼體的制造方法包括：提供一透光基板，所述透光基板具有相對的一上表面及一下表面；自所述透光基板的所述上表面蝕刻所述透光基板，形成多個容置空間，所述多個容置空間的側壁內側面垂直于所述透光基板的所述上表面；自所述透光基板的所述下表面蝕刻所述透光基板未形成所述容置空間的部份，以形成多個蓋體；以及裁切所述透光基板以分離所述多個蓋體。

【技術特征摘要】
1.一種透光殼體的制造方法，其特征在于，所述透光殼體用以供一光學元件發出或接受的光線通過，所述透光殼體的制造方法包括: 提供一透光基板，所述透光基板具有相對的一上表面及一下表面； 自所述透光基板的所述上表面蝕刻所述透光基板，形成多個容置空間，所述多個容置空間的側壁內側面垂直于所述透光基板的所述上表面； 自所述透光基板的所述下表面蝕刻所述透光基板未形成所述容置空間的部份，以形成多個蓋體；以及 裁切所述透光基板以分離所述多個蓋體。2.如權利要求1所述的透光殼體的制造方法，其特征在于，更包括: 在裁切所述透光基板之前，于所述透光基板的所述多個蓋體的表面鍍上一抗反射層。3.如權利要求1所述的透光殼體的制造方法，其特征在于，使用準分子激光蝕刻所述透光基板，使得所述透光基板的所述多個蓋體的表面粗糙度小于所述光學元件發出或接受的光線的波長的十分之一。4.一種透光殼體，其特征在于，包括: 一頂壁；以及 一側壁，所述側壁的一端連接所述頂壁，所述側壁與所述頂壁形成一容置空間； 其中所述容置空間用以容納一光學元件，所述光學元件發...

【專利技術屬性】
技術研發人員：邱建良，邱建勛，黃彥良，郭俊良，
申請(專利權)人：日月光半導體制造股份有限公司，
類型：發明
國別省市：