氣體注入器和具有氣體注入器的膜沉積設備制造技術

本發明專利技術提供一種氣體注入器和具有所述氣體注入器的膜沉積設備。所述氣體注入器包含主體、供應孔、注入孔以及分配板。所述主體經配置以在其中提供內部空間。所述供應孔形成于所述主體的上表面中以與所述內部空間連通并接收原材料。所述注入孔形成于所述主體的下表面中以與所述內部空間連通并注入所述原材料。所述分配板安置在所述主體的所述內部空間中。通孔形成于所述分配板中。所述分配板安置為相對于水平平面以預定角度傾斜。所述氣體注入器可均勻注入所述原材料并提高具有粉末形式的原材料的氣化效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種膜沉積設備，且更特定來說，涉及一種經配置以有效地將具有粉末形式的原材料氣化以提高沉積產量且經配置以注入均勻氣體以提高膜均勻性的氣體注入器，以及具有所述氣體注入器的膜沉積設備。
技術介紹
在制造半導體裝置的工藝中，其中反應氣體對襯底的表面進行反應以形成由所需材料形成的膜的工藝稱為化學氣相沉積(下文中稱為“CVD”)工藝。為了執行相關技術沉積工藝，膜沉積設備包含腔室、襯底支撐件以及氣體注入器。襯底支撐件安置在腔室內以支撐襯底。面向襯底支撐件的氣體注入器經配置以向襯底的上表面供應氣化的原材料。這里 ，在氣體注入器內提供其中具有粉末形式的原材料被氣化以儲存氣化的原材料的預定空間。多個注入孔界定于氣體注入器的下表面中。所述多個注入孔與所述預定空間連通以將氣化的原材料注入到襯底上。用以注入氣化的原材料的注入孔包含經配置以引入具有粉末形式的原材料的入口端口以及經配置以排放氣化的原材料的出口端口。入口端口和出口端口相對于彼此垂直安置。因此，存在的限制是在氣體注入器中沒有及時氣化的原材料被注入腔室。另外，出口端口的若干部分安置在對應于入口端口的用以引入具有粉末形式的原材料的位置的位置處。因此，安置在對應于入口端口位置的位置處的出口端口具有大于未安置在對應于入口端口位置的位置處的出口端口的壓力的壓力。因此，原材料沒有從氣體注入器均勻注入。因此，氣體注入器沒有將原材料均勻注入到襯底的上表面上。因此，難以在襯底的上表面上形成均勻膜，且存在的限制是具有粉末形式的原材料或微粒沉積在襯底的上表面上。另外，沒有均勻地沉積膜，而且沉積了雜質從而減少處理產量。
技術實現思路
本專利技術提供一種經配置以注入均勻氣體以提高膜均勻性的氣體注入器以及具有所述氣體注入器的膜沉積設備。本專利技術還提供一種經配置以有效地將具有粉末形式的原材料氣化以提高處理產量的氣體注入器以及具有所述氣體注入器的膜沉積設備。根據示范性實施例，一種氣體注入器包含:主體，其經配置以在其中提供內部空間；供應孔，其形成于所述主體的上表面中以與所述內部空間連通并接收原材料；注入孔，其形成于所述主體的下表面中以與所述內部空間連通并注入所述原材料；以及分配板，其安置在所述主體的所述內部空間中，所述分配板包含通孔，其中所述分配板相對于水平表面以預定角度傾斜。分配板可安置在所述內部空間中處于所述供應孔與所述注入孔之間。所述分配板可相對于所述水平表面以從約30度到約60度范圍內的角度傾斜。所述注入孔可包含第一注入孔和第二注入孔。所述第一和第二注入孔形成于所述主體的下部部分中且在寬度方向上彼此間隔開。所述分配板可包含安置在所述供應孔與所述第一注入孔之間的第一分配板以及安置在所述供應孔與所述第二注入孔之間的第二分配板。所述第一分配板和所述第二分配板可垂直于所述水平表面安置。所述氣體注入器可進一步包含經配置以將所述原材料氣化的加熱單元。所述注入孔可形成于高于經配置以在其中提供所述內部空間的所述主體的內部的底表面的位置的位置處。 根據另一示范性實施例，一種膜沉積設備包含:腔室；襯底支撐件，其安置在所述腔室的下部部分中以支撐襯底；以及氣體注入器，其面向所述襯底支撐件，其中所述氣體注入器包含相對于水平表面以預定角度傾斜的分配板。所述膜沉積設備可包含:主體，其經配置以在其中提供內部空間；供應孔，其形成于所述主體的上表面中以與所述內部空間連通并接收原材料；注入孔,其形成于所述主體的下表面中以與所述內部空間連通并注入所述原材料；以及分配板，其安置在所述主體的所述內部空間中，所述分配板包括通孔。所述分配板可相對于所述水平表面以從約30度到約60度范圍內的角度傾斜。根據又一示范性實施例，一種氣體注入器包含:加熱單元，其經配置以將原材料氣化；以及注入單元，其包括提供于所述加熱單元下方的內部空間，其中來自所述加熱單元的氣化的原材料被接收到所述內部空間中并保持在其中，且氣體注入通路與所述內部空間連通從而以穿透方式朝向所述氣體注入單元的下表面延伸。此外，與所述內部空間連通的所述氣體注入通路的一個末端形成于高于經配置以在其中提供所述內部空間的所述注入單元的內部的底表面的位置的位置處。 所述氣體注入通路可以是彎曲的。所述氣體注入通路可包含至少一個平面部分以及連接到所述平面部分的至少一個垂直部分。所述注入單元可包含經配置以在其中提供所述內部空間的第一注入單元以及耦合到所述第一注入單元的外部的第二注入單元，且所述氣體注入通路可形成于所述第一注入單元和所述第二注入單元內。所述氣體注入通路可從所述第一注入單元的內表面延伸到所述第二注入單元的下表面。所述內部空間可具有矩形形狀、菱形形狀、圓形形狀以及橢圓形形狀中的一者。根據又一示范性實施例，一種膜沉積設備包含:腔室；襯底支撐件，其安置在所述腔室的下部部分中；以及注入單元，其包括經提供以面向所述襯底支撐件的內部空間，其中原材料保持在所述內部空間中，且氣體注入通路與所述內部空間連通從而以穿透方式朝向所述氣體注入單元的下表面延伸。此外，所述氣體注入通路的一個末端形成于高于經配置以在其中提供所述內部空間的所述注入器的內部的底表面的位置的位置處。附圖說明從以下結合附圖閱讀的描述可更詳細了解示范性實施例，其中:圖1是根據示范性實施例的膜沉積設備的示意性橫截面圖；圖2是根據示范性實施例的氣體注入器的部分剖面透視圖；圖3是根據示范性實施例的氣體注入器的垂直橫截面 圖4是根據示范性實施例的修改的氣體注入器的部分剖面透視圖；圖5是根據示范性實施例的另一修改的氣體注入器的部分剖面透視圖；圖6是說明根據示范性實施例的另一修改的氣體注入器內的氣流的橫截面圖；圖7是根據另一示范性實施例的包含氣體注入器的膜沉積設備的示意性橫截面圖；圖8是說明根據另一示范性實施例的氣體注入器的外觀的部分透視圖；圖9是沿著圖8的線A-A截取的注入板的橫截面圖；以及圖10到13是根據另一示范性實施例的氣體注入器中提供的注入板的橫截面圖。具體實施例方式下文中，將參看附圖詳細描述特定示范性實施例。然而本專利技術可以不同形式實施，且不應解釋為限于本文陳述的實施例。而是，提供這些實施例以使得本專利技術將為詳盡且完整的，且將本專利技術的范圍完全傳達給所屬領域的技術人員。相同參考標號始終指代相同元件。圖1是根據示范性實施例的膜沉積設備的示意性橫截面圖，且圖2是根據示范性實施例的氣體注入器的部分剖面透視圖。圖3是根據示范性實施例的氣體注入器的垂直橫截面圖，且圖4是根據示范性實施例的修改的氣體注入器的部分剖面透視圖。圖5是根據示范性實施例的另一修改的氣體注入器的部分剖面透視圖，且圖6是說明根據示范性實施例的另一修改的氣體注入器內的氣流的橫截面圖。參看圖1，根據示范性實施例的膜沉積設備包含腔室100、提供在腔室100的上部部分中的氣體注入器200、面向氣體注入器200的襯底支撐件300。腔室100具有圓柱形形狀或矩形盒形狀。在腔室100內提供預定空間以處理襯底S。盡管腔室100具有圓柱形形狀或矩形盒形狀，但其不限于此。舉例來說，腔室100可具有對應于襯底S形狀的形狀。用以裝載和卸載襯底S的襯底進入口 110安置在腔室100的一個側壁中。襯底進入口 Iio可安置在腔室100的另一側壁中。排出端口 120安置在腔室100的下表面中以排出腔室100內本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種氣體注入器，其包括：加熱單元，其經配置以將原材料氣化；以及注入單元，其包括提供于所述加熱單元下方的內部空間，其中來自所述加熱單元的氣化原材料被接收到所述內部空間中并保持在其中，且氣體注入通路與所述內部空間連通從而以穿透方式朝向所述氣體注入單元的下表面延伸，其中所述氣體注入通路的一個末端形成于所述內部空間的側壁上。

【技術特征摘要】
2007.12.31 KR 10-2007-0141273;2007.12.31 KR 10-201.一種氣體注入器，其包括: 加熱單元，其經配置以將原材料氣化；以及 注入單元，其包括提供于所述加熱單元下方的內部空間，其中來自所述加熱單元的氣化原材料被接收到所述內部空間中并保持在其中，且氣體注入通路與所述內部空間連通從而以穿透方式朝向所述氣體注入單元的下表面延伸， 其中所述氣體注入通路的一個末端形成于所述內部空間的側壁上。2.根據權利要求1所述的氣體注入器，其中所述氣體注入通路是彎曲的。3.根據權利要求2所述的氣體注入器，其中所述氣體注入通路包括至少一個平面部分以及連接到所述平面部分的至少一個垂直部分。4.根據權利要求1所述的氣體注入器，其中所述注入單元包括經配置以在其中提供所述內部空間的第一注入單元以及耦合到所述第一注...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李亨燮，南宮晟泰，李圭桓，權寧浩，李昌宰，
申請(專利權)人：周星工程股份有限公司，ADS有限公司，
類型：發明
國別省市：