單晶爐及其坩堝托桿制造技術

本實用新型專利技術提供了一種單晶爐的坩堝托桿，包括托桿本體，其特征在于，還包括設置在所述托桿本體上的環狀導流部，且所述環狀導流部伸出所述托桿本體的外壁的距離大于所述單晶爐的護盤壓片與所述外壁之間的距離。本實用新型專利技術提供的單晶爐的坩堝托桿，因增設了對多晶硅溶液具有導流作用的環狀導流部，避免了硅溶液順著托桿本體流到托桿本體底部對坩堝軸波紋管、控制線路和水冷電纜造成損害，消除了安全隱患，保證了單晶爐的正常、安全生產。本實用新型專利技術還提供了一種具有上述坩堝托桿的單晶爐。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

單晶爐及其坩堝托桿
本技術涉及單晶爐
，更具體地說，涉及一種單晶爐的坩堝托桿，本實 用新型還涉及一種具有上述坩堝托桿的單晶爐。
技術介紹
單晶爐是采用直拉法生產單晶硅的主要設備。其中，生產單晶硅的多晶硅原料放 置于石英坩堝中，石英坩堝放置于位于單晶爐熱場中的石墨堝中，而石墨堝被一根圓柱狀 的坩堝托桿支撐(如圖1所示)，坩堝托桿的下部穿過單晶爐的爐底以與外部的驅動裝置連 接，位于熱場中的爐底上設置有隔熱層和護盤壓片(護盤壓片:單晶爐熱場的組成部分之 一，用于保護單晶爐爐底)，坩堝托桿穿過隔熱層和護盤壓片的部分，在其外側套設有托桿 護套。在單晶硅的生產過程中，需要將固體多晶硅原料熔化，在熔化的過程中會揮發出 娃蒸汽，娃蒸汽存在于熱場中，又因為熱場中溫度較高，所以會使得熱場中的石墨件與娃蒸 汽發生反應。石墨堝在長時間使用后可能會因與硅蒸汽反應而導致其斷裂，石墨堝斷裂后 進而導致石英坩堝破裂，熔化后的多晶硅溶液從石英坩堝中流出導致發生硅泄漏事故，多 晶硅溶液從石英坩堝中流出后經石墨堝流到坩堝托桿上，然后沿著坩堝托桿側壁流向坩堝 托桿的底部，進而燙壞設置在坩堝托桿底部的坩堝軸波紋管，而坩堝軸波紋管下方設置有 控制線路和水冷電纜，如果多晶硅溶液流到這些配件上就會對單晶爐的整體運轉產生較大 影響，造成嚴重的后果，并且具有極大的安全隱患。此外，一旦多晶硅溶液流到坩堝托桿上， 就會對坩堝托桿造成污染，導致坩堝托桿不能再次使用，需要更換新的坩堝托桿，造成了極 大的資源浪費，使得生產成本無法降低。因此，如何提供如何避免泄漏的多晶硅溶液流到坩堝托桿的底部，降低多晶硅溶 液對設備造成的損害，是目前本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現思路
有鑒于此，本技術提供了一種單晶爐的坩堝托桿，其避免了泄漏的多晶硅溶 液流到坩堝托桿的底部，降低了多晶硅溶液對設備造成的損害。為了達到上述目的，本技術提供如下技術方案:—種單晶爐的坩堝托桿，包括托桿本體，其特征在于，還包括設置在所述托桿本體 上的環狀導流部，且所述環狀導流部伸出所述托桿本體的外壁的距離大于所述單晶爐的護 盤壓片與所述外壁之間的距離。優選的，上述單晶爐的坩堝托桿中，所述托桿本體包括:頂部托桿，所述頂部托桿上設置有可與單晶爐的石墨堝連接的安裝部；與所述頂部托桿同軸設置的底部托桿；其中，所述環狀導流部設置在所述頂部托桿上，且位于所述安裝部的底端。優選的，上述單晶爐的坩堝托桿中，所述環狀導流部的縱切面的邊緣圍成的形狀為直角三角形，且直角三角形的斜邊所在的面為所述環狀導流部的頂面。優選的，上述單晶爐的坩堝托桿中，所述環狀導流部與所述頂部托桿為一體式結構。優選的，上述單晶爐的坩堝托桿中，所述頂部托桿與所述底部托桿通過固定銷連接。優選的，上述單晶爐的坩堝托桿中，所述環狀導流部伸出所述外壁的長度為30mm。基于上述提供的坩堝托桿，本技術還提供了一種單晶爐，該單晶爐具有上述任意一項所述的坩堝托桿。本技術提供的單晶爐的坩堝托桿中，在托桿本體的外壁上增設了環狀導流部，當發生硅泄漏時，多晶硅溶液在沿著坩堝托桿流動時，環狀導流部會對多晶硅溶液起到導流作用，因為環狀導流部伸出托桿本體的外壁的距離大于單晶爐的護盤壓片與托桿本體的外壁之間的距離，所以在環狀導流部的導流作用下，多晶硅溶液會從環狀導流部上直接滴落至護盤壓片上。本技術提供的單晶爐的坩堝托桿，因增設了對多晶硅溶液具有導流作用的環狀導流部，避免了硅溶液順著托桿本體流到托桿本體底部對坩堝軸波紋管、控制線路和水冷電纜造成損害，消除了安全隱患，保證了單晶爐的正常、安全生產。本技術還提供了一種具有上述坩堝托桿的單晶爐。附圖說明為了更清楚地說明本技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現有技術提供的單晶爐的坩堝托桿的結構示意圖；圖2為本技術實施例提供的單晶爐的坩堝托桿的裝配圖；圖3為本技術實施例提供的單晶爐的坩堝托桿的結構示意圖；圖4為本技術實施例提供的單晶爐的結構示意圖。以上圖1-圖4中:托桿本體1、環狀導流部2，頂部托桿11、安裝部12、底部托桿13。具體實施方式為了進一步理解本技術，下面結合實施例對本技術優選實施方式進行描述，但是應當理解，這些描述只是為了進一步說明本技術的特征和優點，而不是對本技術權利要求的限制。本技術提供了一種單晶爐的坩堝托桿，其避免了泄漏的多晶硅溶液流到坩堝托桿的底部，降低了多晶硅溶液對設備造成的損害。下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒炯夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。如圖2-圖4所示，本技術實施例提供的單晶爐的坩堝托桿，包括托桿本體1，其還包括設置在托桿本體I上的環狀導流部2，且環狀導流部2伸出托桿本體I的外壁的距離大于單晶爐的護盤壓片與外壁之間的距離。本實施例提供的單晶爐的坩堝托桿中，在托桿本體I的外壁上增設了環狀導流部2，當發生硅泄漏時，多晶硅溶液在沿著坩堝托桿流動時，環狀導流部2會對多晶硅溶液起到導流作用，因為環狀導流部2伸出托桿本體I的外壁的距離大于單晶爐的護盤壓片與托桿本體I的外壁之間的距離，所以在環狀導流部2的導流作用下，多晶硅溶液會從環狀導流部2上直接滴落至護盤壓片上。本實施例提供的單晶爐的坩堝托桿，因增設了對多晶硅溶液具有導流作用的環狀導流部2，避免了硅溶液順著托桿本體I流到托桿本體I底部對坩堝軸波紋管、控制線路和水冷電纜造成損害，消除了安全隱患，保證了單晶爐的正常、安全生產。為了進一步優化上述技術方案，本實施例提供的單晶爐的坩堝托桿中，托桿本體I包括:頂部托桿11，頂部托桿11上設置有可與單晶爐的石墨堝連接的安裝部12 ；與頂部托桿11同軸設置的底部托桿13 ;其中，環狀導流部2設置在頂部托桿11上，且位于安裝部12的底端。如圖2和圖3所示，本實施例中，在增設環狀導流部2的基礎之上，還將原有的一體式結構的托桿本體I改進為分體式結構，即將原有的托桿本體I分為頂部托桿11和與頂部托桿11同軸設置的底部托桿13，其中，頂部托桿11為與石墨堝連接的部分，其上具有用于與石墨堝安裝的安裝部12，環狀導流部2設置在此頂部托桿11上且位于安裝部12的底端，以保證從石墨堝中流出的多晶硅溶液能夠流到環狀導流部2上。底部托桿13連接在頂部托桿11的下方，其穿過單晶爐的爐底并與驅動裝置連接。將托桿本體I設置為具有頂部托桿11和底部托桿13的分體式結構后，在多晶硅溶液從頂部托桿11流到環狀導流部2上以后，在環狀導流部2的導流作用下可以避免多晶硅溶液流到底部托桿13上，這樣就避免了多晶硅溶液對底部托桿13的污染，更換托桿本體I時，只需更換頂部托桿11即可，底部托桿13無需更換，節約了生產資源，顯著的降低了生產成本。優選的，環狀導流部2本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種單晶爐的坩堝托桿，包括托桿本體，其特征在于，還包括設置在所述托桿本體上的環狀導流部，且所述環狀導流部伸出所述托桿本體的外壁的距離大于所述單晶爐的護盤壓片與所述外壁之間的距離。

【技術特征摘要】
1.一種單晶爐的坩堝托桿，包括托桿本體，其特征在于，還包括設置在所述托桿本體上的環狀導流部，且所述環狀導流部伸出所述托桿本體的外壁的距離大于所述單晶爐的護盤壓片與所述外壁之間的距離。2.根據權利要求1所述的單晶爐的坩堝托桿，其特征在于，所述托桿本體包括: 頂部托桿，所述頂部托桿上設置有可與單晶爐的石墨堝連接的安裝部； 與所述頂部托桿同軸設置的底部托桿；其中， 所述環狀導流部設置在所述頂部托桿上，且位于所述安裝部的底端。3.根據權利要求1所述的單晶爐的坩堝托桿，其特征在于，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：白劍銘，孫二凱，
申請(專利權)人：英利能源中國有限公司，
類型：實用新型
國別省市：