【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種4H?SiC基半導體中子探測器用的6LiF轉換膜制備方法，其特征在于主要包含以下步驟：a、將作為襯底材料的單晶4H?SiC基體分別浸沒于丙酮、無水乙醇中進行超聲波清洗，充分清洗后取出干燥待用；b、將步驟a清洗后的單晶4H?SiC基體和作為磁控靶的6LiF靶材置入反應磁控濺射鍍膜真空爐內，采用偏壓反濺射清洗去除單晶4H?SiC基體中雜質，采用預濺射清洗去除6LiF靶材的雜質，偏壓反濺射清洗和預濺射清洗起輝氣體均為氬氣，所述氬氣的流量為150~200Sccm，偏壓反濺射清洗和預濺射清洗操作真空度絕對壓強1.0~3.0Pa；c、在反應磁控濺射鍍膜真空爐內，以步驟b預濺射清洗處理后的6LiF靶材作為磁控靶，在步驟b偏壓反濺射清洗處理后的單晶4H?SiC基體上采用磁控濺射沉積6LiF涂層，磁控濺射沉積6LiF涂層起輝氣體為氬氣，氬氣流量為120~180Sccm，磁控濺射沉積操作真空度絕對壓強0.40~0.50Pa；d、單晶4H?SiC基體磁控濺射沉積6LiF涂層至設計厚度，關閉磁控6LiF靶，關閉起輝氣體氬氣，使反應磁控濺射鍍膜真空爐內的真空度調整至不低于10?3Pa自然冷卻后出爐，即得到4...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔣勇，劉波，范曉強，吳健，雷家榮，李勐，
申請(專利權)人：中國工程物理研究院核物理與化學研究所，四川大學，
類型：發明
國別省市：
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