離子轟擊裝置及利用該裝置的基體材料表面的清潔方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)的離子轟擊裝置，在真空腔的一個內(nèi)側(cè)面配置有用絲極構(gòu)成的加熱式的熱電子釋放電極，在真空腔的其它內(nèi)側(cè)面配置有接受來自熱電子釋放電極的熱電子的陽極，在熱電子釋放電極和陽極之間配置有基體材料。進(jìn)而具有：在熱電子釋放電極及陽極之間給予電位差，使其產(chǎn)生輝光放電的放電電源；加熱熱電子釋放電極而使其釋放熱電子的加熱電源；以及將對于真空腔而言負(fù)的脈沖狀偏置電位給予基體材料的偏置電源。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種離子轟擊裝置，通過對配置在真空腔內(nèi)的基體材料的表面照射在所述真空腔內(nèi)產(chǎn)生的氣體離子而進(jìn)行清潔，其中包括：加熱式的熱電子釋放電極，配置在所述真空腔的一個內(nèi)側(cè)面，以絲極構(gòu)成；陽極，配置在所述真空腔的其它內(nèi)側(cè)面，接受來自所述熱電子釋放電極的熱電子；放電電源，在所述熱電子釋放電極與所述陽極之間給予電位差而產(chǎn)生輝光放電，所述放電電源和所述真空腔絕緣；加熱電源，加熱所述熱電子釋放電極而釋放熱電子；以及偏置電源，將對所述真空腔而言負(fù)的電位給予所述基體材料，所述偏置電源是脈沖電源，在這里，利用所述放電電源、所述加熱電源及所述偏置電源能夠使在所述基體材料的附近產(chǎn)生的氣體離子照射所述基體材料的表面。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：廣田悟史，后藤直行，野村譽(yù)，
申請(專利權(quán))人：株式會社神戶制鋼所，
類型：發(fā)明
國別省市：