【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及對基材的表面進行清潔的離子轟擊裝置以及離子轟擊處理方法。
技術介紹
1、通常，以提高切削工具的耐磨損性或者提高機械零部件的滑動面的滑動特性為目的，對基材(成膜對象物)的表面進行利用pvd法或cvd法的硬質覆膜的成膜。作為使用于該硬質覆膜的成膜的裝置，可列舉：電弧離子鍍裝置、濺射裝置等物理蒸鍍裝置；以及，等離子體cvd裝置等化學蒸鍍裝置。
2、為了使用該物理性蒸鍍裝置及化學性蒸鍍裝置來對緊貼性高的硬質覆膜進行成膜，已知在進行成膜處理之前對基材的表面進行凈化(清潔)。作為該凈化處理，有如下方法，即：通過等離子體放電，產生如氬離子那樣重的惰性氣體離子，并將該離子照射于基材來加熱表面而進行清潔的方法(離子轟擊法)。
3、作為進行上述的凈化處理的技術，專利文獻1中公開了在真空腔室內對基材表面進行清潔的離子轟擊裝置。該離子轟擊裝置包括電極、多個陽極以及放電電源，電極和多個陽極分別被配置在真空腔室內，電極被配置在真空腔室的內壁面附近并且釋放電子，多個陽極隔著基材的處理空間而被配置在所述電極的相反側且所述內壁面附近并且接受電子，放電電源將放電電壓施加在電極與多個陽極之間。電極由沿上下方向延伸的絲(filament)而成，多個陽極在上下方向上隔開間隔而被配置。當被施加所述放電電壓時，則從電極釋放電子，并且在電極與多個陽極之間產生等離子體。其結果，在等離子體內生成的氬離子碰撞于施加了負偏置電壓的基材，對基材的表面進行清潔。
4、現有技術文獻
5、專利文獻
6、專利文獻1：日本
7、在使用專利文獻1中記載的裝置對基材的表面進行清潔的情況下，存在基材的表面的蝕刻量(切削量)的偏差容易變大的問題。具體而言，在上述的技術中，在絲的上端部和下端部分別連接有絲電極，當加熱電流通過該電極流通于絲時，則絲進行發熱并且釋放電子。在該結構中，與絲的上端部以及下端部相比，絲的中央部容易變成高溫，并且，在真空腔室中，上下方向的中央部的等離子體密度也高于上部以及下部的等離子體密度，結果，利用離子轟擊的基材的表面的蝕刻量也在基材的上下方向的中央部與上部及下部之間容易發生差異。在該情況下，如果在周圍的等離子體密度高的基材的中央部進行蝕刻，則基材的表面有時被蝕刻掉所需以上的量。另一方面，如果在周圍的等離子體密度低的上部及下部進行蝕刻，則基材的表面有時不被蝕刻到指定的蝕刻量。
8、并且，在清潔處理后對基材實施成膜處理的情況下，若如上所述那樣基材的蝕刻量存在偏差，則不能夠使硬質覆膜均勻地緊貼于基材的表面，從而難以提高基材的耐磨損性(wear?resistance)等。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供離子轟擊裝置以及離子轟擊處理方法，其在將絲用作電極的裝置中，能夠通過降低在真空腔室內形成的等離子體的密度偏差，來降低基材表面的蝕刻量的偏差。
2、本專利技術提供的是對基材的表面照射離子來對所述表面進行清潔的離子轟擊裝置。該離子轟擊裝置包括真空腔室、基材支撐部、至少一個絲、陽極、放電電源、絲加熱電源以及至少一個磁場產生機構。在真空腔室的內部形成有內部空間。所述基材支撐部被配置在所述內部空間，并且支撐所述基材。所述至少一個絲在所述內部空間被配置成沿指定的延伸方向延伸且與所述基材相向。所述至少一個絲包括一端部和在所述延伸方向上位于所述一端部的相反側的另一端部。所述陽極被配置成至少露出于所述內部空間。所述放電電源將放電電壓施加在所述至少一個絲與所述陽極之間。所述絲加熱電源將加熱電壓施加在所述至少一個絲的所述一端部與所述另一端部之間，從而使所述絲發熱。所述至少一個磁場產生機構相對于所述絲而被配置在所述基材的相反側。所述至少一個磁場產生機構包括第1磁場產生部和第2磁場產生部，所述第1磁場產生部在包含所述至少一個絲的所述一端部的區域中產生第1磁場，所述第2磁場產生部在包含所述至少一個絲的所述另一端部的區域中產生第2磁場。
3、本專利技術提供的是對基材的表面進行清潔的離子轟擊處理方法，包括以下步驟：由被配置在真空腔室的內部空間的基材支撐部來支撐基材；在所述內部空間將至少一個絲配置成沿指定的延伸方向延伸且與所述基材相向；設置至少一個磁場產生機構，該至少一個磁場產生機構相對于所述絲而被配置在所述基材的相反側，并且包括第1磁場產生部和第2磁場產生部，所述第1磁場產生部在包含所述至少一個絲的所述一端部的區域中產生第1磁場，所述第2磁場產生部在包含所述至少一個絲的另一端部的區域中產生第2磁場，所述另一端部在所述延伸方向上位于所述一端部的相反側；將加熱電壓施加在所述至少一個絲的所述一端部與所述另一端部之間，從而使所述至少一個絲發熱；將放電電壓施加在陽極與所述至少一個絲之間，從而發生等離子體，所述陽極被配置成至少露出于所述內部空間；并且，至少由所述第1磁場及所述第2磁場來提高所述至少一個絲的所述一端部的周圍以及所述另一端部的周圍的所述等離子體的密度，并且向所述基材的表面照射被包含在所述等離子體中的離子，從而對所述表面進行清潔。
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1.一種離子轟擊裝置，其特征在于，對基材的表面照射離子，從而對所述表面進行清潔，所述離子轟擊裝置包括：
2.根據權利要求1所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
6.根據權利要求1或2所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
7.根據權利要求6所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
8.根據權利要求1或2所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
9.根據權利要求8所述的離子轟擊裝置，其特征在于還包括：
10.一種離子轟擊處理方法，其特征在于，對基材的表面進行清潔，并且包括以下步驟：
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】
1.一種離子轟擊裝置，其特征在于，對基材的表面照射離子，從而對所述表面進行清潔，所述離子轟擊裝置包括：
2.根據權利要求1所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
3.根據權利要求1或2所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的離子轟擊裝置，其特征在于，
5.根據權利要求4所述的離子轟擊裝置，其特征在于，<...
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