導電性高分子、其合成用氧化劑及固體電容器制造技術

本發明專利技術提供了一種導電性高分子合成用氧化劑溶液，該導電性高分子合成用氧化劑溶液可以與聚合性單體混合，用于含浸電容器芯包，反應生成導電性高分子，用于生產高性能的固態電解電容器。其包括：磺酸鐵鹽、添加劑與溶劑，所述溶劑為低級醇，所述低級醇選自碳原子數為1～4的一元醇中的一種或多種，所述添加劑包括咪唑類有機堿或吡唑類有機堿。本發明專利技術利用咪唑類有機堿添加劑與三價鐵離子形成溫和絡合物，在室溫時起到掩蔽三價鐵離子的作用，降低反應液中三價鐵離子的有效濃度，延長聚合反應時間，非常有利于固態電解電容器芯包充分含浸；同時，絡合物會不斷解離出三價鐵離子用于聚合，做到了控制反應速度且不顯著影響反應比例。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及固體電解電容器，與作為固體電解電容器電解質使用的導電性高分子，以及合成導電性高分子所使用的氧化劑溶液。
技術介紹
目前，用于聚合導電高分子的氧化劑主要為烷基芳香族磺酸鐵鹽類，其用于聚合如吡咯、苯胺、噻吩類等單體具有很好的效果，所得到的導電高分子被廣泛應用于固態電解電容器、防靜電涂層、LED、印刷電路板等領域。尤其是用對甲基苯磺酸鐵氧化聚合3，4-乙撐二氧噻吩(EDOT)得到的PED0T，因其高導電性、高穩定性等優點，倍受業界重視。但是，烷基芳香族磺酸鐵鹽與EDOT聚合反應速度太快，不利于電容器芯包在氧化劑和單體的混合溶液中直接含浸。為得到電化學性能優良的導電高分子，通常將電容器芯包在氧化劑和單體中分別含浸，并反復含浸幾次。EDOT聚合速度過快，不利于PEDOT結晶，造成聚合物松散，結構規整性差，不利于提高電導率。美國專利US4910645中使用大量的溶劑稀釋導電高分子單體，使單體濃度低于10wt%，可將電容器芯包在氧化劑和單體的混合溶液中直接含浸，實現原位聚合，但只能得到很少量的導電高分子聚合物，需反復含浸16次才能產生足夠的導電高分子聚合物，這樣電容器的制造工藝會非常復雜。
技術實現思路
為克服
技術介紹
中的困難，本專利技術提供了一種導電性高分子合成用氧化劑溶液，該導電性高分子合成用氧化劑溶液可以與聚合性單體混合，用于含浸電容器芯包，反應生成導電性高分子，用于生產高性能的固態電解電容器。為解決上述問題，本專利技術提供了一種導電性高分子合成用氧化劑溶液，包括:磺酸鐵鹽、添加劑與溶劑，所述溶劑為低級醇，所述低級醇選自碳原子數為I 4的一元醇中的一種或多種，所述添加劑包括咪唑類有機堿或吡唑類有機堿。例如以下通式的咪唑或吡唑類有機堿:本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種導電性高分子合成用氧化劑溶液，包括：磺酸鐵鹽、添加劑與溶劑，所述溶劑為低級醇，所述低級醇選自碳原子數為1～4的一元醇中的一種或多種，所述添加劑包括咪唑類有機堿或吡唑類有機堿。

【技術特征摘要】
1.一種導電性高分子合成用氧化劑溶液，包括:磺酸鐵鹽、添加劑與溶劑，所述溶劑為低級醇，所述低級醇選自碳原子數為I 4的一元醇中的一種或多種，所述添加劑包括咪唑類有機堿或吡唑類有機堿。2.根據權利要求1所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述導電性聞分子合成用氧化劑溶液中，鐵尚子與有機堿的質量比為1:0.02 0.2。3.根據權利要求2所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述導電性高分子合成用氧化劑溶液中，鐵離子與有機堿的質量比為1:0.04 0.1。4.根據權利要求1所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述磺酸鐵鹽為對甲基苯磺酸鐵。5.根據權利要求1所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述導電性高分子合成用氧化劑溶液中，鐵與磺酸根的摩爾比為:1:2.0 4.0。6.根據權利要求5所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述導電性高分子合成用氧化劑溶液中，鐵與磺酸根的摩爾比為:1:2.5 3.8。7.根據權利要求1所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述導電性高分子合成用氧化劑溶液中，磺酸鐵鹽的質量濃度為10% 75%。8.根據權利要求7所述的導電性高分子合成用氧化劑溶液，其特征在于，所述導電性高分子合成用氧化劑溶液中，磺酸鐵鹽的質量濃度為40% 60%。9.一種導電性高分子，其特征在于，所述導電性高分子是采用權利要求1至8任意一...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭仲天，鐘玲，李兵，陳長春，
申請(專利權)人：深圳新宙邦科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：