一種電極間距可調節的模塊化PECVD反應內腔體制造技術

本實用新型專利技術涉及一種電極間距可調節的模塊化PECVD反應內腔體，其包括箱體、設置在箱體內的射頻電極、設置在箱體內的與射頻電極平行的接地電極以及設置在接地電極下方的接地電極驅動調節裝置。本實用新型專利技術為模塊化結構，可以方便的搭建單腔體或多腔體PECVD系統，通過調節裝置實現了電極間距可調，可以獲得最佳電極間距，以獲得最佳膜層質量與生長速率，擴大了設備應用范圍，滿足不同膜層對電極間距的要求。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種電極間距可調節的模塊化PECVD反應內腔體。
技術介紹
采用等離子體增強化學氣相沉積系統制備硅基薄膜器件由于具有基底溫度低、生長速度快、薄膜均勻性好等特點倍受青睞。隨著產業化進程的發展，模塊化的PECVD等離子反應內腔體將是一種發展趨勢，基于這種模塊化的反應內腔體可以方便的搭建單腔體或多腔體PECVD系統。大面積平行板式PECVD具有設備結構簡單，可制備大面積薄膜而廣泛應用于太陽能領域。目前在現有設備上多采用固定電極的PECVD反應內腔體，當PECVD電極固定后，無法根據膜層要求獲得最佳極間距；同時，生長不同的薄膜往往需要不同的電極間距，可調節電極間距的PECVD系統為膜層的優化與擴大設備的應用范圍提供了空間。綜上，電極間距可調節的模塊化大面積平行板式PECVD反應內腔體將成光伏領域的核心設備。它將為客戶自由搭建PECVD系統提供空間。
技術實現思路
本技術要解決的技術問題是提供一種調節簡單、使用方便的電極間距可調節的模塊化PECVD反應內腔體。本技術采用如下技術方案:本技術包括箱體、設置在箱體內的射頻電極、設置在箱體內的與射頻電極平行的接地電極以及設置在接地電極下方的接地電極驅動調節裝置。本技術所述的驅動調節裝置包括設置在接地電極下方的調節螺栓以及設置在箱體上的與調節螺栓相配合的調節螺母。本技術所述的驅動調節裝置由設置在接地電極下方的支撐棒以及與支撐棒相連接的設置在箱體外的驅動裝置構成。本技術所述的箱體上設置有縱向排列的導軌。本技術所述的箱體上設置有抽氣孔。本技術所述的接地電極穿置有頂桿，所述頂桿下方設置有頂板，頂板下方設置有穿置在箱體中的與外部驅動裝置連接的頂塊。本技術的有益效果為:本技術為模塊化結構，可以方便的搭建單腔體或多腔體PECVD系統，通過調節裝置實現了電極間距可調，可以獲得最佳電極間距，以獲得最佳膜層質量與生長速率，擴大了設備應用范圍，滿足不同膜層對電極間距的要求。附圖說明圖1為本技術調節裝置為手動調節結構示意圖。圖2為本技術調節裝置為自動調節結構示意圖。圖3為本技術箱體結構示意圖。在附圖中，I箱體，2射頻電極，3接地電極，4驅動裝置，5支撐棒，6工件，7調節螺栓，8調節螺母，9導軌，10抽氣孔，11工件傳輸口，12頂桿，13頂板，14頂塊。具體實施方式如附圖1、2所示，本技術包括箱體1、設置在箱體I內的射頻電極2、設置在箱體I內的與射頻電極2平行的接地電極3以及設置在接地電極3下方的接地電極驅動調節>j-U ρ α裝直。如附圖1所示，本技術所述的驅動調節裝置為手動調節，其包括設置在接地電極3下方的調節螺栓7以及設置在箱體I上的與調節螺栓7相配合的調節螺母8。如附圖2所示，本技術所述的驅動調節裝置為自動調節，其由設置在接地電極3下方的支撐棒5以及與支撐棒5相連接的設置在箱體I外的驅動裝置4構成。如附圖1、2、3所示，本技術所述的箱體I上設置有縱向排列的導軌9。如附圖1、2、3所示，本技術所述的箱體I上設置有抽氣孔10。如附圖1、2所示，本技術所述的接地電極3穿置有頂桿12，所述頂桿下方設置有頂板13，頂板13下方設置有穿置在箱體I中的與外部驅動裝置連接的頂塊14。本技術通過導軌I套裝在外腔體中，內外腔體分別配有獨立的真空控制系統，內腔體通過抽氣孔10與其對應`的真空控制系統連接；射頻電極2通過接入點與外部的射頻發生器、射頻匹配器連接；反應氣體的引入可以從帶有氣體均勻分布功能的射頻電極2引入；用于頂桿12控制的頂塊14與外部驅動裝置連接，以輔助實現工件的自動傳輸。當本技術驅動調節裝置為自動調節時，用于電極間距調節的驅動裝置4通過支撐棒5與內腔體連接，支撐棒5與箱體I螺紋連接，驅動裝置4帶動支撐棒5轉動實現其電極間距調節作用。通過工件傳輸口 11把工件6放在接地電極3上，工件6為玻璃或硅片等基底，工件6放置好后，封閉工件傳輸口 11，內腔體已形成單獨的密閉空間。先對外腔體與本技術之間的間隙抽真空，再通過抽氣孔10對箱體I抽真空,使內外腔體間隙的真空度高于內腔體內的真空度，這樣即使在內腔體密閉性較差的條件下大氣環境中的氣體也無法直接污染到內腔體，保證了反應所需要的真空環境。通過驅動調節裝置調節射頻電極2和接地電極3之間的間距，調節范圍為IOmm至200mm。調好間距后，根據工藝要求通入相應的反應氣體，如硅烷、磷烷、三甲基硼烷等。在射頻電極2接入射頻頻率范圍在300Khz至30GHZ，反應氣體在射頻電場激勵作用下發生等離子體化學反應，在工件6表面形成所需要的薄膜。反應結束后，推動頂塊14，通過頂板13和頂桿12將工件6頂出接地電極3表面,打開工件傳輸口 11，即可將工件取走。本技術為模塊化結構，可以方便的搭建單腔體或多腔體PECVD系統，通過驅動調節裝置實現了電極間距可調，可以獲得最佳極間距，以獲得最佳膜層質量與生長速率，擴大了設備應用范圍，滿足不同膜層對電極間距的要求。當本技術驅動調節裝置為手動調節時，適合于工藝較穩定不需要頻繁調節電極間距的膜層制備。當工藝變更需要調節電極間距時，通過調節螺栓7，獲得工藝需求的電極間距即可滿足一段時期的生產需求，為擴展設備的應用范圍提供了空間。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種模塊化PECVD反應內腔體，其特征在于其包括箱體（1）、設置在箱體（1）內的射頻電極（2）、設置在箱體（1）內的與射頻電極（2）平行的接地電極（3）以及設置在接地電極（3）下方的接地電極驅動調節裝置。

【技術特征摘要】
1.種模塊化PECVD反應內腔體，其特征在于其包括箱體(I )、設置在箱體(I)內的射頻電極(2)、設置在箱體(I)內的與射頻電極(2)平行的接地電極(3)以及設置在接地電極(3)下方的接地電極驅動調節裝置。2.據權利要求1所述的一種模塊化PECVD反應內腔體，其特征在于所述的驅動調節裝置包括設置在接地電極(3)下方的調節螺栓(7)以及設置在箱體(I)上的與調節螺栓(7)相配合的調節螺母(8)。3.據權利要求1所述的一種模塊化PECVD反應內腔體，其特征在于所述的驅動調節裝置由設置在接地電極(3)下方的支...

【專利技術屬性】
技術研發人員：關峰，黃躍龍，馬云祥，孫曉東，高錦成，王志強，王穎，李爽，延小鵬，
申請(專利權)人：保定天威薄膜光伏有限公司，
類型：實用新型
國別省市：