電子電路、電子電路的制造方法和安裝部件技術

本發明專利技術公開了電子電路、電子電路的制造方法和安裝部件。所述電子電路包括：半導體芯片，所述半導體芯片設置有包含交換單端信號的焊盤的單端I/F；以及安裝部，所述安裝部上形成有傳輸差分信號的差分傳輸路徑，并且所述半導體芯片安裝在所述安裝部上使得所述單端I/F的所述焊盤與構成所述差分傳輸路徑的導體直接電連接。所述安裝部件包括差分傳輸路徑和電介質。根據本發明專利技術，能夠在抑制電路尺寸增大的同時進行高質量數據傳輸。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及電子電路、該電子電路的制造方法和安裝部件，特別地涉及例如能夠在抑制電路尺寸増大的同時進行質量良好的數據傳輸的電子電路、該電子電路的制造方法和安裝部件。
技術介紹
例如，在諸如電視機、攝像機和錄音機等各種電子設備中，在它們的殼體中包含有這樣的基板:在該基板上布置有集成電路(Integrated Circuit, IC)(包括大規模集成電路(Large-Scale Integration, LSI)),以作為進行各種信號處理的電子電路。另外，為了在布置于同一基板上的IC間或者布置于不同基板上的IC間進行數據(包括諸如圖像和聲音等實際數據和控制數據)交換，在IC間和基板間布置有配線。順便提及地，近年來，借助1C，對諸如3D (3維)圖像或高分辨率圖像等大容量數據進行信號處理，并且大容量數據可以在IC間高 速交換。此外，為了交換大容量數據，IC間和基板間的配線的導線數量増大，從而配線可能難以處理高頻。因此，已經提出了以無線方式進行IC間的數據交換。也即是，例如，在非專利文獻AMillimeter-ffave Intra-ConnectSolution (Kenichi, Kawasaki et.al., IEEE J.Solid-State Circuits, vol.45, n0.12,即 2655-2666，Dec.2010)和非專利文獻A 60-GHz 38-pJ/bit 3.5-Gb/s90_nm CMOS00K Digital Radio (Eric Juntunen et.al., IEEE Trans.Microwave Theory Tech.,vol.58, n0.2，Feb.2010)中披露了用于高速地交換數據的互補型金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)電路(IC),該 CMOS 電路將數據調制成毫米波段信號(毫米波)并且傳送該數據。順便提及地，對于在非專利文獻A Millimeter-ffave Intra-ConnectSolution (Kenichi, Kawasaki et.al., IEEE J.Solid-State Circuits, vol.45, n0.12,pp.2655-2666，Dec.2010)和非專利文獻A 60-GHz 38-pJ/bit 3.5-Gb/s90_nm CMOS 00KDigital Radio (Eric Juntunen et.al., IEEE Trans.Microwave Theory Tech., vol.58,n0.2,Feb.2010)等中披露的將數據調制為射頻(Radio Frequency,RF)信號并且傳送該數據的互補型金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)電路，用于處理RF信號的RF部的接ロ是用于交換單端信號的單端I/F(接ロ)。也即是，將單端I/F用作RF部的理由在于:例如，這樣的RF部輸出的RF信號易于測量(用于測量毫米波的測量設備的探針與單端信號相兼容)，CMOS的電路結構得到簡化以及降低了能耗。另ー方面，由單端信號實現的數據傳輸的質量低于由差分信號實現的數據傳輸的質量。也即是，雖然在傳輸單端信號的情況下，例如，當在CMOS電路(其上安裝有RF部)、轉接器(interposer)或印刷基板(PCB (印刷電路板))等上形成有微帶印刷線(micro strip track)的情況下，理想地使用無限大的接地導體(unlimited groundedconductor)，但是難以提供無限大的接地導體，因此數據傳輸的質量劣化。此外，對于使用單端信號的數據傳輸，由干與用于使用差分信號的數據傳輸相比，存在著更多的不必要的輻射，并且對來自外部(用于傳輸單端信號的傳輸路徑的外部)的噪聲的抗噪性弱，所以數據傳輸的質量劣化。因此，存在著如下進行高質量數據傳輸的方法，該方法將單端信號轉換為差分信號并且用該差分信號進行數據傳輸。單端信號與差分信號之間的轉換被稱為平衡-不平衡轉換，并且進行平衡-不平衡轉換的電路被稱為平衡-不平衡變換器(balun)。例如，在日本專利申請特開2004-104651號公報中披露了如下平衡-不平衡變換器，該平衡-不平衡變換器將共面印刷線(coplanar track)上的單端信號(不平衡輸入)轉換為差分信號(平衡輸出)，并且從共面帶狀印刷線(coplanar strip track)輸出轉換后的信號。通過使用平衡-不平衡變換器將RF部的單端信號轉換為差分信號能夠進行高質量的數據傳輸。然而，當使用平衡-不平衡變換器將RF部的單端信號轉換為差分信號時，在CMOS電路等中設置有平衡-不平衡變換器，這增大了電路尺寸。
技術實現思路
期望在抑制電路尺寸増大的同時進行高質量數據傳輸。本專利技術第一實施形式的電子電路包括:半導體芯片，所述半導體芯片設置有單端I/F，所述單端I/F包括用于交換單端信號的焊盤；以及安裝部，所述安裝部上形成有用于傳輸差分信號的差分傳輸路徑，并且所述半導體芯片安裝在所述安裝部上，使得所述單端I/F的所述焊盤與用于構成所述差分傳輸路徑的導體直接電連接。本專利技術第二實施形式的電子電路的制造方法包括:當將設置有單端I/F的半導體芯片安裝到上面形成有用于傳輸差分信號的差分傳輸路徑的安裝部上時，將所述單端I/F包括的焊盤直接電連接到用于構成所述差分傳輸路徑的導體。根據本專利技術第二實施形式，在所述半導體芯片上可以設置包含用于交換單端信號的焊盤的單端I/F，并且在所述安裝部上可以形成用于傳輸差分信號的差分傳輸路徑。此夕卜，所述半導體芯片安裝在所述安裝部上，使得所述單端I/F的所述焊盤與用于構成所述差分傳輸路徑的導體直接電連接。根據本專利技術第三實施形式的安裝部件，在所述安裝部件上形成有傳輸差分信號的差分傳輸路徑；在所述差分傳輸路徑上布置有電介質，并且在所述安裝部件上安裝設有包含用于交換單端信號的焊盤的單端I/F的半導體芯片。根據本專利技術第三實施形式，用于傳輸差分信號的差分傳輸路徑可以形成在安裝半導體芯片的安裝部件上，在所述半導體芯片上設置有包含用于交換單端信號的焊盤的單端I/F。此外，在所述差分傳輸路徑上布置有電介質。根據本專利技術實施例，能夠在抑制電路尺寸増大的同時進行高質量數據傳輸。附圖說明圖1表示用于交換單端信號毫米波的毫米波傳輸系統的結構示例；圖2表示用于交換單端信號毫米波的毫米波傳輸系統的另一結構示例；圖3是表示在安裝部是轉接器的情況下轉接器的結構示例的平面圖；圖4是表示采用了本專利技術實施形式的電子電路的第一實施例的結構示例的立體圖；圖5是表示采用了本專利技術實施形式的電子電路的第一實施例的結構示例的橫截面圖；圖6是表示采用了本專利技術實施形式的電子電路的第二實施例的結構示例立體圖；圖7是表示采用了本專利技術實施形式的電子電路的第二實施例的結構示例的橫截面圖；圖8是表不差分傳輸路徑的橫截面圖；圖9是表示作為差分傳輸路徑的共面帯狀印刷線的立體圖和橫截面圖；圖10是表示采用了本專利技術實施形式的電子電路的第三實施例的結構示例的立體圖；圖1lA至圖1lC表示在共面帶狀印刷線上布置電本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種電子電路，所述電子電路包括：半導體芯片，所述半導體芯片設置有單端I/F，所述單端I/F包括用于交換單端信號的焊盤；以及安裝部，所述安裝部上形成有用于傳輸差分信號的差分傳輸路徑，并且所述半導體芯片安裝在所述安裝部上，使得所述單端I/F的所述焊盤與用于構成所述差分傳輸路徑的導體直接電連接。

【技術特征摘要】
2011.11.04 JP 2011-2419431.一種電子電路，所述電子電路包括: 半導體芯片，所述半導體芯片設置有單端I/F，所述單端I/F包括用于交換單端信號的焊盤；以及 安裝部，所述安裝部上形成有用于傳輸差分信號的差分傳輸路徑，并且所述半導體芯片安裝在所述安裝部上，使得所述單端I/F的所述焊盤與用于構成所述差分傳輸路徑的導體直接電連接。2.根據權利要求1所述的電子電路，其中， 所述單端I/F包括用于交換單端信號的信號焊盤和接地的接地焊盤， 所述差分傳輸路徑包括兩個平行布置的導體，并且 所述半導體芯片安裝在所述安裝部上，使得所述信號焊盤與所述兩個導體中的ー個導體連接，并且所述兩個導體中的另ー個導體與所述接地焊盤連接。3.根據權利要求2所述的電子電路，其中，在所述差分傳輸路徑上布置有電介質。4.根據權利要求3所述的電子電路，其中，所述電介質的介電常數使所述單端I/F的阻抗與所述差分傳輸路徑的阻抗相匹配。5.根據權利要求3所述的電子電路，其中，所述電介質的介電常數大于所述安裝部的介電常數。6.根據權利要求3所述的電子電路，其中，所述電介質沿著所述差分傳輸路徑的所述兩個導體布置，并且所述電介質的寬度覆蓋從所述兩個導體中的一個導體到另ー個導體的全部區域。7.根據權利要求3所述的電子電路，其中，所述電介質沿著所述差分傳輸路徑的所述兩個導體布置，并且所述電介質的寬度與所述兩個導體之間的包括所述兩個導體自身的距離相同。8.根據權利要求3所述的電子電路，其中，所述電介質沿著所述差分傳輸路徑的所述兩個導體布置于所述兩個導體之間，并且所述電介質的寬度與所述兩個導體之間的不包括所述兩個導體自身的距離相同。9.根據權利要求2所述的電子電路，其中，所述差分傳輸路徑的所述兩個導體的厚度被調整為使得所述單端I/F的阻抗與所述差分...

【專利技術屬性】
技術研發人員：板垣智有，川崎研一，安仲健太郎，
申請(專利權)人：索尼公司，
類型：發明
國別省市：