本發(fā)明專利技術(shù)揭露了一種半導(dǎo)體處理裝置，其包括微腔室，所述微腔室包括可在一打開位置和關(guān)閉位置之間移動的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，當(dāng)處于關(guān)閉位置時，半導(dǎo)體晶圓安裝于所述上工作表面和所述下工作表面之間形成的空腔內(nèi)，且與所述上、下工作面之間形成有供處理流體流動的空隙。所述上腔室部的上方與驅(qū)動裝置相連或/和下腔室部的下方與驅(qū)動裝置相接，所述驅(qū)動裝置包括有驅(qū)動對應(yīng)腔室部的不同位置的若干驅(qū)動單元，基于所述驅(qū)動裝置的驅(qū)動使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產(chǎn)生傾斜。這樣，可以使得所述上工作表面或下工作表面發(fā)生預(yù)定傾斜來控制其內(nèi)部的化學(xué)制劑流動。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體晶圓或相似工件的表面處理領(lǐng)域，特別涉及一種用于化學(xué)處理半導(dǎo)體晶圓表面，以及清潔、蝕刻和其它處理的裝置以及基于該裝置的處理流體收集方法。
技術(shù)介紹
晶圓是生產(chǎn)集成電路所用的載體。在實際生產(chǎn)中需要制備的晶圓具有平整、超清潔的表面，而用于制備超清潔晶圓表面的現(xiàn)有方法可分為兩種類別:諸如浸沒與噴射技術(shù)的濕法處理過程，及諸如基于化學(xué)氣相與等離子技術(shù)的干法處理過程。其中濕法處理過程是現(xiàn)有技術(shù)采用較為廣泛的方法，濕法處理過程通常包括采用適當(dāng)化學(xué)溶液浸沒半導(dǎo)體晶圓或噴射半導(dǎo)體晶圓等一連串步驟組成。現(xiàn)有技術(shù)中包含一種采用濕法處理過程對晶圓進(jìn)行超清潔處理的半導(dǎo)體處理裝置。該半導(dǎo)體處理裝置中形成有一可以緊密接收并處理半導(dǎo)體晶圓的微腔室，該微腔室可處于打開狀態(tài)以供裝載與移除半導(dǎo)體晶圓，也可處于關(guān)閉狀態(tài)以用于半導(dǎo)體晶圓的處理，其中處理過程中可將化學(xué)制劑及其它流體引入所述微腔室。所述打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)由該裝置中包含的兩個驅(qū)動裝置分別驅(qū)動構(gòu)成所述微腔室的上、下兩個腔室內(nèi)壁沿垂直方向的相對移動來實現(xiàn)。在實際使用中發(fā)現(xiàn)，某些情況下需要使化學(xué)制劑在所述微腔室和被處理的半導(dǎo)體晶圓之間的空隙中按照預(yù)定方式流動，比如使所述化學(xué)制劑從腔室內(nèi)壁的一邊向另一邊流動，再比如使所述化學(xué)制劑在腔室內(nèi)沿環(huán)流流動等等。現(xiàn)有技術(shù)的方式是采用控制所述化學(xué)制劑進(jìn)入所述微腔室的入口位置和控制所述化學(xué)制劑進(jìn)入所述微腔室的出口位置，同時采用流入微腔室內(nèi)的氣體作為所述化學(xué)制劑流動時的一個載體來使得所述化學(xué)制劑在所述空隙中按照預(yù)定方式流動，但是這種方法不能夠完全滿足用戶的需求。同時現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體處理裝置，排出處理中和處理后的化學(xué)制劑主要靠腔室內(nèi)部的壓力，在某些情況下的化學(xué)制劑收集效果還可以進(jìn)一步簡化。為此，本專利技術(shù)設(shè)計提供了另一種控制化學(xué)制劑在微腔室里的流動的以更好和更完全地滿足用戶的需求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的之一在于提供一種半導(dǎo)體處理裝置，其可以通過驅(qū)動裝置使得所述上腔室部和/或下腔室部的工作表面發(fā)生傾斜來控制化學(xué)制劑在所述微腔室內(nèi)的流動。本專利技術(shù)的另一目的在于提供一種處理流體收集方法，通過驅(qū)動所述上腔室部和下腔室部中的工作表面發(fā)生傾斜來幫助收集化學(xué)制劑。為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供一種半導(dǎo)體處理裝置，其包括:一用于容納和處理半導(dǎo)體晶圓的微腔室，所述微腔室包括可在一打開位置和關(guān)閉位置之間移動的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，當(dāng)處于關(guān)閉位置時，半導(dǎo)體晶圓安裝于所述上工作表面和所述下工作表面之間形成的空腔內(nèi)， 且與所述上、下工作面之間形成有供處理流體流動的空隙，所述微腔室中還包括至少一個供處理流體進(jìn)入所述空腔的入口和至少一個供處理流體排出所述空腔的出口。所述上腔室部的上方與驅(qū)動裝置相連或/和下腔室部的下方與驅(qū)動裝置相接，所述驅(qū)動裝置包括有驅(qū)動對應(yīng)腔室部的不同位置的若干驅(qū)動單元，基于所述驅(qū)動裝置的驅(qū)動使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產(chǎn)生傾斜。進(jìn)一步的，所述上腔室部和所述下腔室部均為硬性非彈性材料形成，在所述驅(qū)動單元的驅(qū)動下上腔室部和所述下腔室部整體傾斜，進(jìn)而帶動所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產(chǎn)生傾斜。進(jìn)一步的，所述驅(qū)動裝置還包括控制單元，所述控制單元可編程地控制所述驅(qū)動單元中的一個或者多個，使得所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述上腔室部或下腔室部產(chǎn)生預(yù)定傾斜。更進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體處理裝置還包括下盒裝置，所述下盒裝置包括朝上形成開口的空腔，所述下腔室部被容納于所述空腔內(nèi)，且所述下工作表面通過所述開口外露于上方，與下腔室部相連的驅(qū)動裝置的驅(qū)動單元被夾持于所述下腔室部和所述空腔的底壁之間。更進(jìn)一步的，所述驅(qū)動單元沿所述空腔的底壁和側(cè)壁相交的邊緣均勻分布，所述驅(qū)動單元為流體驅(qū)動器，藉由其中一個或者幾個驅(qū)動單元的膨脹和收縮，驅(qū)動所述下腔室部發(fā)生空間位移而使得所述下工作表面產(chǎn)生預(yù)定傾斜。進(jìn)一步的，根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述下腔室部包括下工作表面和從所述下工作表面的邊緣向上延伸出的下周邊部分，在所述下工作表面的邊緣或者所述下周邊部分上包括有至少一個供處理流體排出所述空腔的出口。更進(jìn)一步的，所述供處理流體排出所述空腔的出口為多個，所述出口沿所述下工作表面的邊緣均勻分布，每個或者部分個出口通過可控閥門與外部收集裝置相連。根據(jù)本專利技術(shù)的另一個方面，一種處理流體收集方法，應(yīng)用于上述的半導(dǎo)體處理裝置，其包括:在采用一種處理流體對半導(dǎo)體晶圓處理中或處理后，驅(qū)動所述下工作表面朝向目標(biāo)出口產(chǎn)生預(yù)定傾斜，以將所述處理流體排出所述空腔。進(jìn)一步的，所述處理流體收集方法還包括:在采用另一種處理流體將半導(dǎo)體晶圓處理中或處理后，驅(qū)動所述下工作表面朝向另一目標(biāo)出口產(chǎn)生預(yù)定傾斜，以將所述處理流體排出所述空腔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)中的半導(dǎo)體處理裝置采用在上腔室部和/或下腔室部的外側(cè)設(shè)置多個驅(qū)動單元的方式，可以在不同時間和不同位置提供驅(qū)動力給所述上腔室部或者下腔室部，使得所述上工作表面或下工作表面發(fā)生預(yù)定傾斜來控制其內(nèi)部的化學(xué)制劑流動，比如可以控制化學(xué)制劑沿所述上工作表面或下工作表面沿同一方向流動或者沿環(huán)形流動。同時，本專利技術(shù)還可以通過使得所述上工作表面或下工作表面發(fā)生預(yù)定傾斜來幫助收集處理中和處理后的廢液。附圖說明結(jié)合參考附圖及接下來的詳細(xì)描述，本專利技術(shù)將更容易理解，其中同樣的附圖標(biāo)記對應(yīng)同樣的結(jié)構(gòu)部件，其中:圖1為本專利技術(shù)中的微腔室在一個實施例中的立體示意圖2為本專利技術(shù)中的半導(dǎo)體處理裝置在一個實施例中的組裝示意圖；圖3為本專利技術(shù)中的半導(dǎo)體處理裝置在一個實施例中的爆炸分解圖；圖4為本專利技術(shù)中的頂蓋板在一個實施例中的仰視示意圖；圖5為本專利技術(shù)中的上腔室板在一個實施例中的立體示意圖；圖6為本專利技術(shù)中的下腔室板在一個實施例中的立體示意圖；圖7為本專利技術(shù)中的下盒蓋板在一個實施例中的立體示意圖；和圖8為本專利技術(shù)中的處理流體收集方法在一個實施例中的方法流程圖。具體實施方式為使本專利技術(shù)的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本專利技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。為了便于描述本專利技術(shù)，首先描述作為所述半導(dǎo)體處理裝置的核心部件之一的微腔室。所述微腔室用于容納和處理半導(dǎo)體晶圓。請參考圖1，其示出了本專利技術(shù)中的微腔室在一個實施例100中的立體示意圖。所述微腔室100包括上腔室部120和下腔室部140，所述上腔室部120中形成一上工作表面及上周邊部分(未圖示)，所述下腔室部140中形成一下工作表面142及下周邊部分144，所述上工作表面、上周邊部分、下工作表面142和下周邊部分144圍繞成一個用于容納和處理半導(dǎo)體晶圓的空腔。所述上腔室部 120和所述下腔室部140可以通過諸如貫通立柱、滑軌或者掀開式結(jié)構(gòu)等機械結(jié)構(gòu)的作用或者導(dǎo)引下在一個關(guān)閉位置和一個打開位置之間移動。當(dāng)處于打開位置時，所述上腔室部120和所述下腔室部140互相分離，以便于裝載和移除將要被處理的或者已經(jīng)被處理過的半導(dǎo)體晶圓于所述空腔；當(dāng)處于關(guān)閉位置時，所述上腔室部120和所述下腔室部140對應(yīng)緊密貼合，所述上工作表面、上周邊部分、下工作表面142和下周邊部分144圍繞成所述空腔。當(dāng)半導(dǎo)體晶圓被裝載進(jìn)入所述空腔內(nèi)，并且所述空腔處于關(guān)閉位置時，可將化學(xué)試劑、混合劑及其他處理流體引入所本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其包括：一用于容納和處理半導(dǎo)體晶圓的微腔室，所述微腔室包括可在一打開位置和關(guān)閉位置之間移動的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，當(dāng)處于關(guān)閉位置時，半導(dǎo)體晶圓安裝于所述上工作表面和所述下工作表面之間形成的空腔內(nèi)，且與所述上、下工作面之間形成有供處理流體流動的空隙，所述微腔室中還包括至少一個供處理流體進(jìn)入所述空腔的入口和至少一個供處理流體排出所述空腔的出口，所述上腔室部的上方與驅(qū)動裝置相連或/和下腔室部的下方與驅(qū)動裝置相接，所述驅(qū)動裝置包括有驅(qū)動對應(yīng)腔室部的不同位置的若干驅(qū)動單元，基于所述驅(qū)動裝置的驅(qū)動使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產(chǎn)生傾斜。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其包括: 一用于容納和處理半導(dǎo)體晶圓的微腔室，所述微腔室包括可在一打開位置和關(guān)閉位置之間移動的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，當(dāng)處于關(guān)閉位置時，半導(dǎo)體晶圓安裝于所述上工作表面和所述下工作表面之間形成的空腔內(nèi)，且與所述上、下工作面之間形成有供處理流體流動的空隙，所述微腔室中還包括至少一個供處理流體進(jìn)入所述空腔的入口和至少一個供處理流體排出所述空腔的出口， 所述上腔室部的上方與驅(qū)動裝置相連或/和下腔室部的下方與驅(qū)動裝置相接，所述驅(qū)動裝置包括有驅(qū)動對應(yīng)腔室部的不同位置的若干驅(qū)動單元，基于所述驅(qū)動裝置的驅(qū)動使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產(chǎn)生傾斜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述上腔室部和所述下腔室部均為硬性非彈性材料形成，在所述驅(qū)動單元的驅(qū)動下上腔室部和所述下腔室部整體傾斜，進(jìn)而帶動所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整體產(chǎn)生傾斜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動裝置還包括控制單元，所述控制單元可編程地控制所述驅(qū)動單元中的一個或者多個，使得所述驅(qū)動單元驅(qū)動所述上腔室部或下腔室部產(chǎn)生預(yù)定傾斜。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理裝置還包括下盒裝置，所述下盒裝置包括朝上形成開口的空腔，所述下...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：溫子瑛，
申請(專利權(quán))人：無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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