一種提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法技術

本發明專利技術提供了一種提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，包括：第一步驟，用于執行初始掩模板版圖設計；第二步驟，用于對設計出來的初始掩模板版圖進行區塊劃分；第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區塊的曝光圖形密度；第四步驟，用于根據各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布確定各區塊關鍵尺寸的調整幅度；第五步驟，用于根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度調整各區塊的關鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖；第六步驟，用于根據更新的掩模板版圖執行掩模板制造。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造領域，更具體地說，本專利技術涉及。
技術介紹
在集成電路制造工藝中，通常通過激光束或電子束將設計好的電路轉移到掩模板上，再通過曝光的方式將掩模版上的圖形轉移到硅片上。但是，由于電子束易在光掩模基板表面與曝光腔體內反復反射(霧化效應)，導致曝光區域圖形面積比重較大的區域的光阻比其他區域的光阻接受更多的電子。由此，在同樣的曝光能量下，顯影完后，正性光阻的掩模板曝光區域圖形面積比重較大的區域光阻的關鍵尺寸較其他區域的區域光阻的關鍵尺寸小；負性光阻的掩模板則相反，即負性光阻的掩模板曝光區域圖形面積比重較大的區域光阻的關鍵尺寸較其他區域的區域光阻的關鍵尺寸大。因此，希望提供一種能夠解決由掩模板曝光時的霧化效應造成的關鍵尺寸均一性不良的問題，最終提升掩模板整體的關鍵尺寸均一性的技術方案。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠解決由掩模板曝光時的霧化效應造成的關鍵尺寸均一性不良的問題，最終提升掩模板整體的關鍵尺寸均一性的方法。為了實現上述技術目的，本專利技術提供了，其包括:第一步驟，用于執行初始掩模板版圖設計；第二步驟，用于對設計出來的初始掩模板版圖進行區塊劃分；第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區塊的曝光圖形密度；第四步驟，用于根據各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布確定各區塊關鍵尺寸的調整幅度；第五步驟，用于根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度調整各區塊的關鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖；第六步驟，用于根據更新的掩模板版圖執行掩模板制造。優選地，所述各區塊周邊區域是以該區塊中心為圓心，以給定距離為半徑的圓所覆蓋的范圍內的區域。優選地，所述的給定距離的范圍是0.1mm至152.4mm。優選地，在所述第四步驟中，所述的各區塊關鍵尺寸的調整幅度的范圍是Inm至5優選地，各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布包括:該區塊周邊區域內的曝光圖形至該區塊的距離、以及該區塊周邊區域內的曝光圖形的密度；在所述第四步驟中，所述各區塊關鍵尺寸的調整幅度可由該區塊周邊區域內的曝光圖形至該區塊的距離、以及該區塊周邊區域內的曝光圖形的密度決定。優選地，在所述第四步驟中，區塊周邊區域內的曝光圖形至該區塊的距離越小，則該區塊關鍵尺寸的調整幅度越大；區塊周邊區域內的曝光圖形的密度越大，則該區塊關鍵尺寸的調整幅度越大。優選地，在第五步驟中，對于使用正性掩模板光阻的掩模板，根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度，將曝光區域圖形密度較大的透光圖形關鍵尺寸調小，曝光區域圖形密度較小的透光圖形關鍵尺寸調大；對于使用負性掩模板光阻的掩模板，根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度，將曝光區域圖形密度較大的透光圖形關鍵尺寸調大，曝光區域圖形密度較小的透光圖形關鍵尺寸調小。優選地，在第二步驟中，按照固定尺寸來進行區塊劃分。在本專利技術中，提供了 ；其中，在掩模板設計之后，針對各數據區域周圍的圖形密度情況，來調整該區域的關鍵尺寸的大小，以彌補由霧化效應帶來的各區域關鍵尺寸的差異，最終提高掩模板整體的關鍵尺寸均一性。附圖說明結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本專利技術有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中:圖1示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法的流程圖。圖2示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法生產的掩模板的關鍵尺寸分布圖。圖3示意性地示出了根據現有技術的生產的掩模板的關鍵尺寸分布圖。需要說明的是，附圖用于說明本專利技術，而非限制本專利技術。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。具體實施例方式為了使本專利技術的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本專利技術的內容進行詳細描述。圖1示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法的流程圖。更具體地說，如圖1所示，根據本專利技術優選實施例的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法包括:第一步驟SI，用于執行初始掩模板版圖設計；其中，可通過現有技術中已知的任何方式來執行初始掩模板版圖設計。第二步驟S2，用于對設計出來的初始掩模板版圖進行區塊劃分；其中，優選地，可以按照固定尺寸來進行區塊劃分，例如，可將20umX20um大小的單元格作為一個區塊。第三步驟S3，用于計算初始掩模板版圖各區塊的曝光圖形密度。其中，曝光圖形密度指的是曝光區域圖形面積除以區塊總面積之商。第四步驟S4，用于根據各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布確定各區塊關鍵尺寸的調整幅度；其中，優選地，所述各區塊周邊區域是以該區塊中心為圓心，以給定距離為半徑的圓所覆蓋的范圍內的區域。優選地，所述的給定距離的范圍是0.1mm至152.4mm。優選地，所述的各區塊關鍵尺寸的調整幅度的范圍是Inm至500nm。優選地，在具體實施例中，各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布包括:該區塊周邊區域內的曝光圖形至該區塊的距離、以及該區塊周邊區域內的曝光圖形的密度；由此所述各區塊關鍵尺寸的調整幅度可由該區塊周邊區域內的曝光圖形至該區塊的距離、以及該區塊周邊區域內的曝光圖形的密度決定。其中，該區塊周邊區域內的曝光圖形至該區塊的距離越小，則該區塊關鍵尺寸的調整幅度越大；此外，該區塊周邊區域內的曝光圖形的密度越大，則該區塊關鍵尺寸的調整幅度越大。第五步驟S5，用于根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度調整各區塊的關鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖。具體地說，在第五步驟S5中，對于使用正性掩模板光阻的掩模板來說，根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度，將曝光區域圖形密度較大的透光圖形關鍵尺寸調小，曝光區域圖形密度較小的透光圖形關鍵尺寸調大；對于使用負性掩模板光阻的掩模板，根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度，將曝光區域圖形密度較大的透光圖形關鍵尺寸調大，曝光區域圖形密度較小的透光圖形關鍵尺寸調小。第六步驟S6，用于根據更新的掩模板版圖執行掩模板制造。圖2和圖3不出了本專利技術與現有技術的對比的一個不例。圖2示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法生產的掩模板的關鍵尺寸分布圖P1，其中整片掩模板的關鍵尺寸波動為lonm。圖3示意性地示出了根據現有技術的生產的掩模板的關鍵尺寸分布圖P2，其中整片掩模板的關鍵尺寸波動為37nm。可以看出，在應用本專利技術之后，整片掩模板的關鍵尺寸波動從37nm下降至10nm。由此，在本專利技術上述實施例中，提供了；其中，在掩模板設計之后，針對各數據區域周圍的曝光區域圖形密度情況，來調整該區域的關鍵尺寸的大小，以彌補由霧化效應帶來的各區域關鍵尺寸的差異，最終提高掩模板整體的關鍵尺寸均一性。此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關系或者順序關系等。可以理解的是，雖然本專利技術已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本專利技術。對于任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本專利技術技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的
技術實現思路
對本專利技術技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本專利技術技術本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，其特征在于包括：第一步驟，用于執行初始掩模板版圖設計；第二步驟，用于對設計出來的初始掩模板版圖進行區塊劃分；第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區塊的曝光圖形密度；第四步驟，用于根據各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布確定各區塊關鍵尺寸的調整幅度；第五步驟，用于根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度調整各區塊的關鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖；第六步驟，用于根據更新的掩模板版圖執行掩模板制造。

【技術特征摘要】
1.一種提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，其特征在于包括: 第一步驟，用于執行初始掩模板版圖設計； 第二步驟，用于對設計出來的初始掩模板版圖進行區塊劃分； 第三步驟，用于計算初始掩模板版圖各區塊的曝光圖形密度； 第四步驟，用于根據各區塊周邊區域內的曝光圖形密度分布確定各區塊關鍵尺寸的調整幅度； 第五步驟，用于根據所確定的各區塊關鍵尺寸的調整幅度調整各區塊的關鍵尺寸，以得到更新的掩模板版圖； 第六步驟，用于根據更新的掩模板版圖執行掩模板制造。2.根據權利要求1所述的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，所述各區塊周邊區域是以該區塊中心為圓心，以給定距離為半徑的圓所覆蓋的范圍內的區域。3.根據權利要求2所述的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，所述的給定距離的范圍是0.1mm至152.4mm。4.根據權利要求1或2所述的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，在所述第四步驟中，所述的各區塊關鍵尺寸的調整幅度的范圍是Inm至500nm。5.根據權利要求1或2所述的提高光掩模板關鍵尺寸均一性的方法，其特征在于，各區塊周邊區域內的曝光圖形密度...

【專利技術屬性】
技術研發人員：闞歡，魏芳，張旭升，
申請(專利權)人：上海華力微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：